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Dioden (3328)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RFV15TG6SGC9 | 1.7900 |  | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | RFV15 | Standard | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,8 V @ 15 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 15a | - - - | |||||||||
 | EDZ8HRTE6118B | - - - | | 7791 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | EDZ8HRT | 100 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-EDZ8HRTE6118BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||
| EDZUCTE614.7B | - - - | | 6764 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | EDZUCT | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-EDZUCTE614.7BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||
 | Tdztr18b | - - - | | 8641 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tdztr18 | 500 MW | Tumd2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 12 V | 18 v | |||||||||||||
 | UMN20NTR | 0,1501 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umn20 | Standard | Umd6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 10 na @ 20 V | 150 ° C. | ||||||||||
| Edzgte6116b | - - - | | 1153 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Edzgt | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-edzgte6116btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||
 | RB088BGE150TL | 1.6300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RB088 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | - - - | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 880 mv @ 5 a | 15 µA @ 150 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
 | Dan202umfhtl | 0,2800 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dan202 | Standard | Umd3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||
 | Pdzvtftr2.2b | 0,4400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,68% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtftr2.2 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA @ 700 mV | 2,32 v | 20 Ohm | ||||||||||||
 | RBR15BGE30ATL | 1.8400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBR15 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 510 MV @ 7,5 a | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C. | ||||||||||
 | RfUH20ns3stl | 2.1700 | | 757 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RFUH20 | Standard | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-rfuh20ns3stlct | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 350 V | 1,5 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 350 V | 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||
 | Udzste-177.5b | 0,4000 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 30 Ohm | ||||||||||||
 | BAV99HMT116 | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV99 | Standard | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 80 v | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||||||
 | RB060M-60TR | 0,4000 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB060 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 610 mv @ 2 a | 50 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 2a | - - - | ||||||||||
 | 1SS400GTE61 | - - - | | 9035 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-1SS400GTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | 1SS133T-72 | - - - | | 6865 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 1SSS133 | Standard | MSD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1SS133T72 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 175 ° C (max) | 130 ma | 2PF @ 0,5 V, 1 MHz | ||||||||
 | EDZVT2R9.1B | 0,2800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 30 Ohm | ||||||||||||
 | RBQ5RSM65BTL1 | 0,9000 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 65 V | 660 mv @ 5 a | 90 µa @ 65 V | 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||
| Pdzvtr24a | 0,4500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5,79% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtr24 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 19 V | 24,2 v | 16 Ohm | ||||||||||||
 | RB550SS-30T2R | - - - | | 8885 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | RB550SS-30 | Schottky | Kmd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 590 mv @ 500 mA | 8 µa @ 15 V | 150 ° C (max) | 500 mA | - - - | ||||||||||
 | Rb521zs-307ept2r | - - - | | 7604 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | RB521 | Schottky | GMD2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB521ZS-307EPT2RTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 370 mv @ 10 mA | 7 µa @ 10 V | 150 ° C. | 100 ma | - - - | |||||||||
| RB068MM100TR | 0,4400 | | 62 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB068 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 870 mv @ 2 a | 400 na @ 100 v | 150 ° C (max) | 2a | - - - | ||||||||||
| RR601BM4SFHTL | 1.2000 | | 25 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RR601 | Standard | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 6 a | 10 µa @ 400 V | 150 ° C (max) | 6a | - - - | ||||||||||
 | EDZTE6113B | - - - | | 3165 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | EDZTE6113 | 150 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 v | 13 v | 37 Ohm | ||||||||||||
| RB160M-30TR | 0,3900 | | 789 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB160 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 480 mv @ 1 a | 50 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||
 | YFZVFHTR20B | 0,3500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,51% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | YFZVFHTR20 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 NA @ 15 V | 19.11 v | 28 Ohm | ||||||||||||
 | RB706WM-40TL | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RB706 | Schottky | EMD3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 30 ma | 370 mv @ 1 mA | 500 na @ 30 v | 125 ° C. | ||||||||||
| Kdzlvtftr100 | 0,4500 | | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Kdzlvtftr100 | 1 w | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µa @ 76 V | 100 v | |||||||||||||
| Tdztr6.8 | 0,1088 | | 4516 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tdztr6.8 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 3,5 V | 6,8 v | |||||||||||||
| RB060M-40TR | 0,6000 | | 88 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB060 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 560 mv @ 2 a | 500 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 2a | - - - |
2000+
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