Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB511SM-30T2R | 0,2000 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | RB511 | Schottky | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 370 mv @ 10 mA | 7 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 ma | - - - | ||||||||||
![]() | RB098BGE100TL | 1.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RB095 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 3a | 770 mv @ 3 a | 3 µa @ 100 V. | 150 ° C. | ||||||||||
![]() | RBQ10BM100AFHTL | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBQ10 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 770 mv @ 5 a | 80 µa @ 100 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | SCS220AE2C | - - - | ![]() | 2555 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | SCS220 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 10a (DC) | 1,55 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175 ° C (max) | |||||||||
![]() | Pdzvtr30a | 0,1275 | ![]() | 8565 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,67% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtr30 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 23 V | 30 v | 18 Ohm | ||||||||||||
![]() | RB160A40T-31 | - - - | ![]() | 9207 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Axial | RB160 | Schottky | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB160A40T-31TR | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 510 mv @ 1 a | 30 µa @ 40 V | 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
Mtzjt-726.2b | - - - | ![]() | 4228 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MTZJT726.2B | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 3 V | 6.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | Tdzvtr27 | 0,3800 | ![]() | 3749 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tdzvtr27 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 19 V | 27 v | |||||||||||||
![]() | RB068L-60TE25 | 0,2224 | ![]() | 2813 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RB068 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 680 mv @ 2 a | 2 µa @ 60 V | 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
![]() | RB168MM200TFTR | 0,6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB168 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 890 mv @ 1 a | 850 NA @ 200 V. | 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
![]() | RB168VWM150TFTR | 0,5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB168 | Schottky | PMDE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 890 mv @ 1 a | 1 µA @ 150 V | 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
![]() | Rbe1vam20atr | 0,4200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Rbe1vam20 | Schottky | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 530 mv @ 1 a | 200 µa @ 20 V | 125 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||
![]() | RF505TF6S | 1.5600 | ![]() | 942 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | RF505 | Standard | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||||
![]() | RSX058BM2SFHTL | 1.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 870 mv @ 3 a | 200 Na @ 200 V | 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | RSX058BGE2STL | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-RSX058BGE2STLTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 870 mv @ 3 a | 200 Na @ 200 V | 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
![]() | RBLQ20NL10SFHTL | 2.5800 | ![]() | 9305 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RBLQ20 | Schottky | To-263l | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 860 mv @ 20 a | 80 µa @ 100 V | 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||
![]() | RB501VM-40TE-17 | 0,3100 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | RB501 | Schottky | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 550 mV @ 100 mA | 30 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 ma | 6PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | RBLQ20BM10FHTL | 1.6400 | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBLQ20 | Schottky | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 860 mv @ 20 a | 80 µa @ 100 V | 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||
![]() | RBS2MM40CTR | 0,4300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RBS2lam40 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 370 mv @ 2 a | 800 µa @ 20 V | 125 ° C (max) | 2a | - - - | ||||||||||
![]() | PTZTFTE2510B | 0,6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,66% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µa @ 7 V. | 10.6 v | 6 Ohm | |||||||||||||
![]() | RB078BGE30STL | 2.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RB078 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB078BGE30STLTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 720 mv @ 5 a | 5 µa @ 30 V | 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||
![]() | RFL30TZ6SGC13 | 6.1700 | ![]() | 671 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | RFL30 | Standard | To-247ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RFL30TZ6SGC13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,5 V @ 30 a | 55 ns | 5 µa @ 650 V | 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||
![]() | BAT54HYFHT116 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 50 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C. | 200 ma | 12pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Dan202UFHT106 | - - - | ![]() | 2365 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dan202 | Standard | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-DAN202UFHT106TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C. | |||||||||
![]() | RB420DFHT146 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RB420 | Schottky | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 450 mv @ 10 mA | 1 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 ma | 6PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Gdzt2R4.7 | - - - | ![]() | 2127 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Gdz | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Gdzt2r | 100 MW | GMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 2 µa @ 1 V | 4,7 v | |||||||||||||
![]() | DB2L33500L | 0,5900 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DB2L33500 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 20.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | RB421DFHT146 | 0,5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RB421 | Schottky | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 550 mV @ 100 mA | 30 µa @ 10 V | 125 ° C. | 100 ma | 6PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | RB088RSM10STL1 | 1.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 840 mv @ 10 a | 3,7 µa @ 100 V. | 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | SCS210KGC | 8.5400 | ![]() | 577 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS210 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | 175 ° C (max) | 10a | 550pf @ 1V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus