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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Gbu10v06-tu | 0,8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-GBU10v06-TU | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 920 mv @ 5 a | 5 µa @ 600 V | 10 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
![]() | DL4934-13 | - - - | ![]() | 2210 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | DL4934 | Standard | Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SBG3030CT-TF | - - - | ![]() | 3941 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBG3030CT | Schottky | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 550 mv @ 15 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||
![]() | FR1B-13 | - - - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | FR1B | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
BAT54W-7 | 0,5300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZT52C39S-7-F | 0,2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 27,3 V. | 39 v | 130 Ohm | ||||||||||||||
![]() | DFLS1150-7 | 0,5300 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS1150 | Schottky | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 820 MV @ 1 a | 2 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 28PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SDT5H100LP5-13 | 0,1614 | ![]() | 9745 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT5H100 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 660 mv @ 5 a | 3,5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||
![]() | SBR1045CTL-13 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SBR1045 | Superbarriere | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 5a | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | PDR5K-13 | - - - | ![]() | 8847 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDR5 | Standard | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 750 V | 990 mv @ 5 a | 3 µs | 10 µa @ 750 V | -65 ° C ~ 155 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||
![]() | Mur120-t | - - - | ![]() | 4532 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Mur120 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
BZX84B4V3Q-7-F | 0,0382 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84B4V3Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | FR1J-13 | - - - | ![]() | 5693 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Fr1J | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | ES2D-13-F | 0,4600 | ![]() | 109 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2d | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 2 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | DL4005-13-F | - - - | ![]() | 2701 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | DL4005 | Standard | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SDT660VD1-13 | 0,1725 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | To-252, (d-pak) typt th | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDT660VD1-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 500 mV @ 6 a | 30 mA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - - - | |||||||||||||||
![]() | SBG3045CT-TF | - - - | ![]() | 4064 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBG3045CT | Schottky | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 550 mv @ 15 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||
![]() | SBR10U300CT | 1.6590 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR10 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 300 V | 5a | 920 mv @ 10 a | 35 ns | 200 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
AZ23C51-7-F | 0,4100 | ![]() | 4766 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C51 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 51 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N5255b-t | - - - | ![]() | 4747 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5255 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SBR30A120CT | 2.0600 | ![]() | 2017 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR30 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 15a | 830 mv @ 15 a | 100 µA @ 120 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | MMSZ5223bs-7 | - - - | ![]() | 8907 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Mmsz5223bs | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 75 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
BZX84C4V3W-7 | - - - | ![]() | 2109 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 7% | -65 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N4448HWT-7 | 0,2900 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 1N4448 | Standard | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 125 Ma | 3PF @ 0,5 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SBR8U300P5-13 | - - - | ![]() | 2124 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8U300 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 900 mv @ 8 a | 30 ns | 50 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
DSC10C065 | 4.1000 | ![]() | 4396 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | TO220AC (Typ WX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-dsc10c065 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 230 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 355PF @ 100MV, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | SBRT25U80SLP-13 | - - - | ![]() | 3998 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Trenchsbr | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SBRT25 | Superbarriere | PowerDI5060-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 610 mv @ 25 a | 500 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - - - | |||||||||||||
![]() | BAV20WQ-7-F | 0,0375 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV20 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAV20WQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 NA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 400 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | PDR3G-13 | 0,5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDR3 | Standard | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 3 a | 3 µs | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
![]() | LZ52C3V6W | - - - | ![]() | 6333 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | LZ52C | 500 MW | 1206 | - - - | 31-lz52c3v6w | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 3.6 V | 85 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus