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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S1KP1M-7 | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | Standard | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | PR1504S-B | - - - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | S5mc_hf | 0,0878 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | SMC | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-s5mc_hf | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBZ525BT-7-F | 0,0736 | ![]() | 9015 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBZ5255 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SBR3040CTFP | 1.6200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR3040 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 15a | 550 mv @ 15 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | PD3S0230-7 | 0,4400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | PD3S0230 | Schottky | PowerDi ™ 323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 10.7PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4935-T | 0,2000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4935 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4936GL-T | - - - | ![]() | 9549 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4936 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
![]() | SR103-T | - - - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR103 | Schottky | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | Bat54at-7-f | 0,4500 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bat54 | Schottky | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||
![]() | SBR12A45SD1-T-01 | - - - | ![]() | 2204 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Schüttgut | Lets Kaufen | K. Loch | Do-201ad, axial | Superbarriere | Do-201ad | - - - | 31-SBR12A45SD1-T-01 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 480 mv @ 12 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | SBR1A30T5-7 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | SBR1A30 | Superbarriere | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 570 mv @ 1 a | 15 ns | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 95PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | MMBD4448HCDW-7-F-79 | - - - | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBD4448HCDW-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S3B-13 | - - - | ![]() | 7080 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S3B | Standard | SMC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,15 V @ 3 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SDT2U60CP3-7 | 0,2018 | ![]() | 4421 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-dfn | Schottky | X3-DSN1406-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-SDT2U60CP3-7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 2 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 110pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | PBPC1001 | - - - | ![]() | 1104 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Kasten | Veraltet | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, PBPC-8 | Standard | PBPC-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 150 | 1,1 V @ 5 a | 10 µa @ 50 V | 8 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||
![]() | B530C-13-F-2477 | - - - | ![]() | 3095 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | SMC | - - - | 31-B530C-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 300PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SB1100 | - - - | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | 31-SB1100TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8M100P5Q-13d | 0,2041 | ![]() | 7553 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8M100 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 880 mv @ 8 a | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||
![]() | PR2002-T | - - - | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do-15 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | MMBZ5252BTS-7-F | - - - | ![]() | 5209 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||||
![]() | ES1A-13-F | 0,4700 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1a | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SDT5H100P5-13 | 0,1450 | ![]() | 5643 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT5H100 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 620 mv @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||
![]() | B140Q-13-F | 0,4100 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B140 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAV19W-7-F | 0,2800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV19 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SBR30100CT | - - - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SBR30100 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR30100CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 850 mv @ 15 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
![]() | ZHCS400TA-79 | - - - | ![]() | 7097 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-ZHCS400TA-79TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 MV @ 400 mA | 40 µa @ 30 V | - - - | 400 ma | 20pf @ 25v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SBR30A40CTFP-G | - - - | ![]() | 9786 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR30A40CTFP-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 30a | 500 mV @ 15 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | MMBZ5223BTS-7-F | 0,1300 | ![]() | 8955 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5223 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 75 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N5404-A | - - - | ![]() | 2028 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Schüttgut | Veraltet | 1N5404 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1N5404-adi | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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