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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BAT54S-7-F | 0,2000 | ![]() | 855 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | 1N4001-B | - - - | ![]() | 4746 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4001 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1N4001-BDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 50 V | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | S1AF | - - - | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | SMA | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-s1af | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | APD245VG-E1 | - - - | ![]() | 1790 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | APD245 | Schottky | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||
![]() | MBRF1060CT_HF | - - - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF106 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | 31-MBRF1060CT_HF | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | SBR40S45CT | - - - | ![]() | 3773 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | - - - | 31-SBR40S45CT | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10200CT-G1 | 0,4932 | ![]() | 3748 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR10200 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 950 mv @ 5 a | 150 µa @ 200 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||
DZ23C3V3-7 | - - - | ![]() | 5201 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23C3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||
![]() | DFLR1200-7-G | - - - | ![]() | 6826 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DFLR1200 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DFLR1200-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT4U60LP-7 | - - - | ![]() | 6478 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | SBRT4 | Superbarriere | U-DFN3030-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 520 mv @ 4 a | 150 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 180pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||
MMBZ5252BQ-7-F | 0,0337 | ![]() | 7776 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-MMBZ5252BQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX84C6V8-13-F-79 | - - - | ![]() | 4155 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C6V8-13-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRD835L-TF | - - - | ![]() | 1224 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MBRD835 | Schottky | To-252, (d-pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 510 mv @ 8 a | 1,4 mA @ 35 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
![]() | S2D-13-F | 0,4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2d | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 1,5 a | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZT52C9V1LP-7 | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | BZT52 | 250 MW | X1-DFN1006-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | ||||||||||||
![]() | SBR1045SP5-7D | - - - | ![]() | 5191 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR1045SP5-7DTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 550 mV @ 10 a | 450 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 500PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | RS3J-13-F | 0,6000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3J | Standard | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SBR4060CTFP | 2.0100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR4060 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 700 mV @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRF1040CT-JT | - - - | ![]() | 1596 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF1040 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 5a | 650 mv @ 5 a | 100 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | SDM1A40LP8-7 | - - - | ![]() | 2583 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 2-Ufdfn | Schottky | U-DFN1608-2 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDM1A40LP8-7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 590 mv @ 1 a | 14 ns | 20 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 69PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SBR3U60P5Q-7 | 0,2083 | ![]() | 8272 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR3U60 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 620 mv @ 3 a | 100 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | BZT52C3V0-7-F | 0,2100 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | ||||||||||||
![]() | MMSZ5258bs-7 | 0,1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40DW-05-7-F-52 | 0,1399 | ![]() | 2569 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas40 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | 31-Bas40DW-05-7-F-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 40 v | 200 ma | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||
![]() | SDM1L20DCP3-7 | 0,3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | SDM1L20 | Schottky | X3-DSN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 20 v | 1a | 500 MV @ 500 mA | 8.6 ns | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | SBR3U60P5-7D | - - - | ![]() | 8286 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR3U60 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 600 mv @ 3 a | 60 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | S5GC-13-F | 0,4900 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S5g | Standard | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SB1100A-01 | - - - | ![]() | 6926 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-SB1100A-01 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||
FR802 | - - - | ![]() | 7727 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | FR802 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 981-FR802 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 8 a | 150 ns | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
![]() | S2DA-13 | - - - | ![]() | 3499 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S2d | Standard | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 1,5 a | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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