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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBR8E45P5-13d | 0,1885 | ![]() | 3152 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8E45 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR8E45P5-13DDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 5 a | 280 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||
![]() | B340LA-13-F-2477 | - - - | ![]() | 7725 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | SMA | - - - | 31-B340LA-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 450 mV @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 180pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
MMBD4148W-7-F | 0,2100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBD4148 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1n5395-t | - - - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5395 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | DSC08065D1 | 2.6467 | ![]() | 4054 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DSC08 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 (Typ WX) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-dsc08065d1tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 295PF @ 100MV, 1 MHz | ||||||||||
![]() | B360-13-G | - - - | ![]() | 1986 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | B360 | Schottky | SMC | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SBR05U20LP-7 | - - - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | SBR05 | Superbarriere | X1-DFN1006-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 MV @ 500 mA | 50 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | - - - | ||||||||||
![]() | 1N5818-T | 0,3200 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5818 | Schottky | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SDT15H100P5-7 | 0,3495 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT15 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 660 mv @ 15 a | 250 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
![]() | SBR20100CTFP-JT | - - - | ![]() | 1584 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR20100 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR20100CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 820 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | PDS560Q-13-2478 | - - - | ![]() | 6999 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | - - - | 31-PDS560Q-13-2478 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 770 mv @ 8 a | 150 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||
![]() | LSC10065Q8 | - - - | ![]() | 6886 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | SIC (Silicon Carbide) Schottky | DFN8080 | - - - | 31-LSC10065Q8 | Veraltet | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | LS4148WT | - - - | ![]() | 8501 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | LS4148 | Standard | 0603 | - - - | 31-LS4148WT | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SBR10200CTL-13 | 0,7000 | ![]() | 448 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SBR10200 | Superbarriere | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 940 mv @ 5 a | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | 1N4004L-T | - - - | ![]() | 6330 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4004 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | In4004l-t | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | UF1005-A52 | - - - | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | 31-UF1005-A52 | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | B120-13 | - - - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B120 | Schottky | SMA | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SDM20U40-7-52 | 0,0412 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | SDM20 | Schottky | SOD-523 | Herunterladen | 31-SDM20U40-7-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 250 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
SDM40E20LS-7 | - - - | ![]() | 6208 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SDM40 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 20 v | 400 mA (DC) | 310 mv @ 100 mA | 250 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||
![]() | AZ23C6V8W-7-F-79 | - - - | ![]() | 5808 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | AZ23C6v8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | AZ23C6V8W-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | SBL1645CT-LS | - - - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SBL1645 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | 31-SBL1645CT-LS | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 16a | 550 mV @ 8 a | 150 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||
![]() | SBG1045CT-F | - - - | ![]() | 5721 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBG1045CT | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 550 mV @ 5 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||
![]() | Bas16t-7-F | 0,4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bas16 | Standard | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 85 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 2 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||
![]() | B360AF-13 | 0,4300 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | B360 | Schottky | Smaf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 3 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1n5264b-t | - - - | ![]() | 9137 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5264 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 46 v | 60 v | 170 Ohm | |||||||||||
MMBZ5236B-7-F | 0,1500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 6 V | 7,5 v | 6 Ohm | ||||||||||||
![]() | MMBD4448HTA-7 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-MMBD4448HTA-7DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
MMBZ5255BW-7-F | 0,3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5255 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | ||||||||||||
![]() | MBR6045PT-F | - - - | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | MBR6045PT | Schottky | To-3p | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBR6045PT-FDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 60a | 750 mV @ 60 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
ZC2811eta | - - - | ![]() | 4379 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZC2811 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 15 v | 410 mv @ 1 mA | 100 na @ 10 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20 ma | 1.2PF @ 0V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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