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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | RS1J-13-G | - - - | ![]() | 3924 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | RS1J-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5223B-7 | - - - | ![]() | 5584 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5223B | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 75 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||
BZX84B9V1Q-7-F | 0,0382 | ![]() | 3391 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84B9V1Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5232B-7 | - - - | ![]() | 8818 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Zmm5232 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1S-7-F-79 | - - - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C5V1S-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V7S-7 | - - - | ![]() | 1974 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2-13-F-79 | - - - | ![]() | 6666 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C8V2-13-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C27TS-7-F | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 7,04% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 18,9 V. | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | GBPC3504W | - - - | ![]() | 2742 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC3504 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC3504WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µa @ 400 V | 35 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5819-B | - - - | ![]() | 6403 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5819 | Schottky | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1N5819-BDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | B340LB-13-G | - - - | ![]() | 2826 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B340 | Schottky | SMB | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 450 mV @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 180pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | B260A-13 | - - - | ![]() | 1617 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B260 | Schottky | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SBR3045SCTB-13 | - - - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBR3045 | Superbarriere | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR3045SCTB-13DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 700 mv @ 15 a | 500 µa @ 45 V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | ZMV829BTA | - - - | ![]() | 7247 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | ZMV829 | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 8.61PF @ 2V, 1 MHz | Einzel | 25 v | 5.8 | C2/C20 | 250 @ 3V, 50 MHz | ||||||||||||||||||||
BZX84C3V9Q-7-F | 0,0357 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,13% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C3V9Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||
AZ23C7V5-7-F | 0,3300 | ![]() | 4882 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C7V5 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 7,5 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | GBPC2510W | - - - | ![]() | 9502 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC2510 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC2510WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 1000 V | 25 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||
![]() | SDT8A120P5Q-7D | - - - | ![]() | 2971 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 840 mv @ 8 a | 300 µa @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84C11-7-G | - - - | ![]() | 2893 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C11-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B4V3Q-7-F | 0,0382 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84B4V3Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | SDT8A120p5q-13d | - - - | ![]() | 7999 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 840 mv @ 8 a | 300 µa @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | DDZ9V1BQ-7 | 0,0508 | ![]() | 6728 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Ddz9v1 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | BZT52C33SQ-7-F | 0,0359 | ![]() | 8585 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,06% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52C33SQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 23.1 V. | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C22-7-F-79 | - - - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C22-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT3U40P1-7-52 | 0,0824 | ![]() | 9607 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | SBRT3 | Superbarriere | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | 31-SBRT3U40P1-7-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 40 v | 490 mv @ 3 a | 180 µa @ 40 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V6-7 | - - - | ![]() | 1027 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | Bzx84 | 350 MW | SOT-23F | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84C16-7-G | - - - | ![]() | 3634 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C16-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10200CTF-E1 | - - - | ![]() | 7027 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MBR10200 | Schottky | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 950 mv @ 5 a | 150 µa @ 200 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||
![]() | DDZ9708-7 | 0,3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9708 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 16.7 V. | 22 v | ||||||||||||||||||||
![]() | ZMS2800TC | - - - | ![]() | 1788 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | ZMS2800 | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 15 Ma | 250 MW | 2PF @ 0V, 1MHz | Schottky - Single | 70V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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