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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GDZ6V8LP3Q-7 | 0,0498 | ![]() | 4202 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4,93% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | 250 MW | X3-DFN0603-2 | Herunterladen | 31-GDZ6V8LP3Q-7 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 500 NA @ 3,5 V. | 6,8 v | |||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1004 | - - - | ![]() | 4704 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1004 | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | GBJ1004di | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 5 a | 10 µa @ 400 V | 10 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5263B-7-F | 0,2400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5263 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 43 v | 56 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | GBJ802 | - - - | ![]() | 1085 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Gbj802di | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 200 V. | 8 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | KBP2005G | 0,5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | KBP2005 | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | KBP2005GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 50 V | 2 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||
BZX84C8V2-7-F-31 | - - - | ![]() | 4151 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,1% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C8V2-7-F-31TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Zv932v2ta | 0,6900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | LBS10-13 | 0,1302 | ![]() | 7165 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | LBS10 | Standard | T-DFN5564-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | 1 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||
MB254 | - - - | ![]() | 8442 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, MB | MB254 | Standard | Mb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 400 V | 25 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||
MB156 | - - - | ![]() | 9740 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, MB | MB156 | Standard | Mb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 10 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||
MB256 | - - - | ![]() | 1666 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, MB | MB256 | Standard | Mb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 600 V | 25 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||
MB151 | - - - | ![]() | 5337 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, MB | MB151 | Standard | Mb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 10 µa @ 100 V. | 15 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||
MB352 | - - - | ![]() | 7732 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, MB | MB352 | Standard | Mb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,2 V @ 17.5 a | 10 µa @ 100 V. | 35 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | RS407L | - - - | ![]() | 4878 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RS-4L | RS407 | Standard | RS-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | RS407LDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 1000 V | 4 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||
MB3505 | - - - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, MB | MB3505 | Standard | Mb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,2 V @ 17.5 a | 10 µa @ 50 V | 35 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||||
![]() | SDT15150VP5-7D | 0,2610 | ![]() | 5789 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDT15150VP5-7DTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1 V @ 15 a | 80 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | Ddz4v3csf-7 | 0,1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz4v3 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 4.44 v | 130 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | MBR1060-LS | - - - | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | MBR1060 | Schottky | To-220ac | - - - | 31-MBR1060-ls | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 950 mv @ 10 a | 100 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 400PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MBR10150CT-LJ | - - - | ![]() | 4832 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR10150 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBR10150CT-LJDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 5a | 890 mv @ 5 a | 50 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 75 ° C. | ||||||||||||||
![]() | SB170-T | - - - | ![]() | 4787 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Schottky | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 800 mV @ 1 a | 500 µA @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Mmbz5230b-7-g | - - - | ![]() | 3330 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBZ5230B-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP210G | 0,6300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | KBP210 | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | KBP210GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1,1 V @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||
![]() | ZMV832BTC | - - - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | ZMV832 | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 23.1pf @ 2v, 1 MHz | Einzel | 25 v | 6.5 | C2/C20 | 200 @ 3V, 50 MHz | |||||||||||||||||
![]() | AS1B | - - - | ![]() | 5876 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | SMA | - - - | 31-AS1B | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,3 µs | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DSC06065D1 | 2.0482 | ![]() | 1010 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DSC06 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 (Typ WX) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-dsc06065d1tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 226PF @ 100MV, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | B330A-13-F-2477 | - - - | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | SMA | - - - | 31-B330A-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1-7-F | 0,2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | PBPC1004 | - - - | ![]() | 7409 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Kasten | Veraltet | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, PBPC-8 | Standard | PBPC-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 150 | 1,1 V @ 5 a | 10 µa @ 400 V | 8 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||
![]() | RS602 | - - - | ![]() | 5094 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RS-6 | Standard | RS-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 100 V. | 6 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||
![]() | DDZ9697S-7 | 0,4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ9697 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 7,6 V. | 10 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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