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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT54SDW-7 | - - - | ![]() | 9432 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bat54 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||
![]() | SBR40U150CT-G-2223 | - - - | ![]() | 9560 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-3 | Standard | To-220-3 | - - - | 31-SBR40U150CT-G-2223 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 860 mv @ 20 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||
![]() | SBR12E45LH1-13 | - - - | ![]() | 9456 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5sp | SBR12 | Superbarriere | PowerDi5sp ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 520 mv @ 12 a | 300 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||
![]() | BZX84C15T-7-F | 0,3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,12% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bzx84 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||
![]() | LL4150-7 | - - - | ![]() | 7021 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4150 | Standard | Mini Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | 200 ma | - - - | ||||||||||
BAV99BRVA-7 | 0,3700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BAV99 | Standard | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Paar Serie Verbindung | 75 V | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
ZHCS506QTA | 0,1934 | ![]() | 3282 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZHCS506 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 630 MV @ 500 mA | 10 ns | 40 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 20pf @ 25v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | RS1MB-13 | - - - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS1M | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | B340A-13-F | 0,4300 | ![]() | 131 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B340 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | UF1506S-B | - - - | ![]() | 9841 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1,5 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SBR2U10LP-13 | - - - | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 3-udfn | SBR2U10 | Superbarriere | 3-X1-DFN1411 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 10 v | 460 mv @ 2 a | 60 ns | 2 ma @ 10 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 102pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||
BAV99W-7-F | 0,1600 | ![]() | 8935 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAV99 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 75 V | 150 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
FES2DE-7 | 0,0859 | ![]() | 6613 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219aa | Standard | F1A (DO219AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FES2DE-7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 2 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 32pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SBL3030PT | - - - | ![]() | 7871 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | SBL3030 | Schottky | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 550 mv @ 15 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | SBR12A45SD1-T-52 | 0,3950 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Superbarriere | Do-201ad | Herunterladen | 31-SBR12A45SD1-T-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 480 mv @ 12 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||||
BZX84B22-7-F | 0,0337 | ![]() | 4129 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 15,4 V. | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||
![]() | DSC08A065FP | 4.0500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | DSC08 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | ITO-220AC (Typ WX) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-dsc08a065fp | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,5 V @ 8 a | 230 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 370pf @ 100mv, 1 MHz | ||||||||||
ZHCS1000TA | 0,5800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZHCS1000 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 12 ns | 100 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | 1a | 25pf @ 25v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | S5MB-13 | 0,4200 | ![]() | 725 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | RS1MSP1-7 | - - - | ![]() | 5200 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | RS1M | Standard | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 10 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SBR20A100CTE | 1.1620 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | SBR20 | Superbarriere | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR20A100CTEDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 750 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
MMBZ5231B-7-F | 0,1600 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5231 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||||
![]() | SD101AW-13-F | - - - | ![]() | 2966 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD101a | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZT52C13TQ-7-F | 0,0474 | ![]() | 2011 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,54% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | |||||||||||
![]() | MBRF20100CT-LJ | - - - | ![]() | 7255 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Rohr | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBRF20100CT-LJDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9687Q-13 | - - - | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9687 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZ9687q-13tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 4 µa @ 2 V. | 4.3 v | |||||||||||
![]() | APD245VRTR-G1 | - - - | ![]() | 6651 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | APD245 | Schottky | Do-214AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
![]() | MMSZ5257bs-7 | - - - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5257B | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||
![]() | SDT5100LP5-7D | 0,1595 | ![]() | 8692 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT5100 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 820 mv @ 5 a | 4 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
![]() | D7g-t | 0,0643 | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | T1, axial | D7g | Standard | T-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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