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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK12-13 | - - - | ![]() | 1621 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SK12 | Schottky | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 1 a | 500 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | DDZ9685Q-7 | 0,2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9685 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 2 V | 3.6 V | ||||||||||||||
![]() | SBL3030CT | - - - | ![]() | 9429 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SBL3030 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 550 mv @ 15 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||
![]() | MMSZ5256B-7 | - - - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5256B | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | |||||||||||||
BAV99-7-G | - - - | ![]() | 9466 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV99 | Standard | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAV99-7-GTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 75 V | 300 mA (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | DSC04A065D1-13 | 2.7400 | ![]() | 3276 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DSC04 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 (Typ WX) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,5 V @ 4 a | 170 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 184pf @ 100MV, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | S1GB-13 | - - - | ![]() | 4373 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S1g | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | DDZ9709S-7 | 0,0630 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ9709 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18.2 V. | 24 v | ||||||||||||||
MMBZ5241BW-7-F | 0,0630 | ![]() | 1034 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5241 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 22 Ohm | ||||||||||||||
![]() | B370-13 | - - - | ![]() | 3404 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | B370 | Schottky | SMC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 790 mv @ 3 a | 500 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
Ddzx11c-7 | 0,0435 | ![]() | 8082 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx11 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 8.4 V. | 11 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SDM05U20CSP-7 | 0,3800 | ![]() | 387 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-xdfn | SDM05 | Schottky | X3-WLB1006-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 430 MV @ 500 mA | 55 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 46PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ5221BS-7 | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-mmsz5221bs-7dkr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | D4g-t | 0,3400 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | T1, axial | D4g | Standard | T-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | PR1007R-T | - - - | ![]() | 1372 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | - - - | 31-PR1007R-T | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | S2AA-13 | - - - | ![]() | 8646 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S2a | Standard | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 1,5 a | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
MMBZ5242B-7-F | 0,1700 | ![]() | 161 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5242 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
![]() | LZ52C15W | 0,1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | LZ52C | 500 MW | 1206 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZT52C3V0T-7 | 0,2100 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4148WQ-13-F | 0,0277 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N4148 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-1N4148WQ-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 300 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
MB351-F | - - - | ![]() | 2879 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, MB | MB351 | Standard | Mb | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,2 V @ 17.5 a | 10 µa @ 100 V. | 35 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||
![]() | GBJ1006 | - - - | ![]() | 7071 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1006 | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | GBJ1006di | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 5 a | 10 µa @ 600 V | 10 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||
MMBZ5233B-7 | - - - | ![]() | 8076 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5233B | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MBR1060CTF-G1 | - - - | ![]() | 8219 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MBR106 | Schottky | To-220f-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | DDZ15S-7 | 0,3000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,54% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ15 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 12 v | 15 v | 18 Ohm | |||||||||||||
DDZX20C-13 | 0,0321 | ![]() | 8107 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx20 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDZX20C-13DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 15 V | 20 v | 28 Ohm | |||||||||||||
![]() | PBU805 | - - - | ![]() | 6920 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Kasten | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, PBU | Standard | PBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 V @ 2 a | 10 µa @ 600 V | 8 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
G20H150CTFW | - - - | ![]() | 2945 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Schottky | ITO-220AB | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-G20H150CTFW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 820 mv @ 10 a | 8 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | Bas40-4-7-f | - - - | ![]() | 9337 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23-3 | - - - | 31-Bas40-4-7-F | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 200 ma | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||
![]() | SBR10U100CT | 0,9300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR10 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR10U100CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 670 mv @ 5 a | 200 µA @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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