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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Gbj15jl-tu | 2.3000 | ![]() | 3235 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ15 | Standard | Gbj | Herunterladen | 31-GBJ15JL-TU | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 900 mV @ 7,5 a | 10 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||
![]() | SF10DG_HF | 0,0551 | ![]() | 4281 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SF10DG | Standard | Do-41 | Herunterladen | 31-SF10DG_HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 75PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | DSC06A065D1-13 | 3.2300 | ![]() | 3526 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DSC06 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 (Typ WX) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 a | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 278PF @ 100MV, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | LZ52C5V1WS | - - - | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | LZ52C | 500 MW | 1206 | - - - | 31-lz52c5v1ws | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 50 Ohm | |||||||||||||||
![]() | LZ52C36WS | - - - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | LZ52C | 500 MW | 1206 | - - - | 31-lz52C36WS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 36 v | 80 Ohm | |||||||||||||||
![]() | TT8T08-13 | 0,1700 | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | Ttl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-TT8T08-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 4 a | 5 µa @ 800 V | 8 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
![]() | SBR60A100CT | 2.6800 | ![]() | 6521 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR60 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR60A100CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 840 mv @ 30 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | 2W01G | - - - | ![]() | 5196 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | 2W01 | Standard | Wog | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 2W01GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 100 V. | 2 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||
![]() | 2W04G | - - - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | 2W04 | Standard | Wog | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 2W04GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 400 V | 2 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||
![]() | GBPC1501W | - - - | ![]() | 8801 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC1501 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC1501WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 100 V. | 15 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||
![]() | GBPC2502W | - - - | ![]() | 9391 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC2502 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC2502WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 200 V. | 25 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||
![]() | GBPC35005W | - - - | ![]() | 8309 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC35005 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC35005WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µa @ 50 V | 35 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||
![]() | GBPC3506W | - - - | ![]() | 7175 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC3506 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC3506WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µa @ 600 V | 35 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||
![]() | MBR2050CT | - - - | ![]() | 1504 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR2050 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBR2050CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 20a | 950 mV @ 20 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | DDZ12BSF-7 | 0,2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | DDZ12 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 70 NA @ 10.9 V. | 11.74 v | 30 Ohm | |||||||||||||
![]() | Ddz5v1bsf-7 | 0,2100 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz5v1 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 2 V | 5.07 v | 130 Ohm | |||||||||||||
![]() | DDZ22CSF-7 | 0,1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | DDZ22 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 70 na @ 20 V | 21.63 v | 55 Ohm | |||||||||||||
![]() | Gdz5v6lp3-7 | 0,3300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Gdz5v6 | 250 MW | X3-DFN0603-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 µa @ 2,5 V | 5.6 v | |||||||||||||||
![]() | Ddz9v1csf-7 | 0,2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz9v1 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 8,39 V | 9.07 v | 30 Ohm | |||||||||||||
![]() | Ddz2v4bsf-7 | 0,2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz2v4 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 120 µa @ 1 V | 2,53 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | Ddz3v0bsf-7 | 0,2100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz3v0 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 3.12 v | 120 Ohm | |||||||||||||
![]() | D3Z11BF-7 | 0,2000 | ![]() | 2545 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | D3Z11 | 400 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 10 Ohm | |||||||||||||
![]() | D3Z33BF-7 | 0,2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | D3Z33 | 400 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 25 v | 32.97 v | 40 Ohm | |||||||||||||
![]() | D3Z4V7BF-7 | 0,2000 | ![]() | 6519 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | D3Z4v7 | 400 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 1 V | 4,65 v | 90 Ohm | |||||||||||||
![]() | D3Z6V2BF-7 | 0,2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | D3Z6v2 | 400 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 3 v | 6.2 v | 50 Ohm | |||||||||||||
![]() | D3Z7V5BF-7 | 0,2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | D3Z7v5 | 400 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 4 v | 7.44 v | 10 Ohm | |||||||||||||
![]() | DDZ9717-7-79 | - - - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9717 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZ9717-7-79TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 32.6 V. | 43 v | |||||||||||||
MMBZ5252BW-13-F | - - - | ![]() | 2506 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmbz5252BW-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||||
Ddzx7v5cq-7 | - - - | ![]() | 5493 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2,53% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx7 | 300 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-ddzx7v5cq-7tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 7,5 v | 6 Ohm | |||||||||||||
![]() | DFLS1100-7-G | - - - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS1100 | Schottky | PowerDi ™ 123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-DFLS1100-7-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 350 na @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 36PF @ 5V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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