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Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DZ600N16KHPSA1 | 267.4700 |  | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DZ600N16 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,4 V @ 2200 a | 40 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 735a | - - - | |||||||||||
 | DD340N18SHPSA1 | - - - | | 6190 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB50SB-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 330a | 1 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 135 ° C. | ||||||||||||||
 | BAW56WE6327HTSA1 | - - - | | 5048 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAW56 | Standard | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
 | 38dn06b02Elemxpsa1 | 232.6400 | | 19 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | 38dn06 | Standard | BG-D-ELEM-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 960 mv @ 4500 a | 50 mA @ 600 V | 180 ° C (max) | 5140a | - - - | |||||||||||
 | DD350N12KKHPSA1 | - - - | | 6068 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 350a | 1,28 V @ 1000 a | 30 mA @ 1200 V | 150 ° C. | |||||||||||||
 | BAS70E6433HTMA1 | 0,4800 | | 30 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | IDV30E60C | - - - | | 4131 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | IDV30E60 | Standard | PG-to220-2 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.05 V @ 30 a | 130 ns | 40 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 21a | - - - | |||||||||||
 | BAV99SE6433HTMA1 | - - - | | 7794 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
 | BAS7002WH6327XTSA1 | - - - | | 1430 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-80 | Bas7002 | Schottky | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
 | Bat 60b E6433 | - - - | | 2705 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | FLEDERMAUS 60 | Schottky | PG-SOD323-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 10 v | 600 mv @ 1 a | 25 µa @ 8 V | 150 ° C (max) | 3a | 30pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||
 | BAS7007WE6327BTSA1 | - - - | | 1196 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | Bas7007 | Schottky | PG-SOT343-4-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
 | IDL06G65C5XUMA2 | 2.9300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | IDL06G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-VSON-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 110 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 190pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
 | D4201N20TXPSA1 | - - - | | 5058 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | D4201N20 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 1 V @ 4000 a | 200 mA @ 2000 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 6010a | - - - | |||||||||||
 | IDW60C65D1XKSA1 | 2.8100 | | 626 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Schnell 1 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | IDW60C65 | Standard | PG-to247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 30a | 1,7 V @ 30 a | 66 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
| BAT 64-05 B5003 | - - - | | 8446 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FLEDERMAUS 64 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
 | DD1000S33HE3BOSA1 | - - - | | 8851 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD1000 | Standard | AG-IHVB130-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 3300 v | 1000a (DC) | 3,85 V @ 1000 a | 1000 a @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | SIDC14D120E6X1SA4 | - - - | | 7540 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC14D120 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,9 V @ 15 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||
| DD260N16KKHPSA1 | - - - | | 6468 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 260a | 1,32 V @ 800 a | 30 mA @ 1600 V | 150 ° C. | |||||||||||||
 | D901S45T | - - - | | 2357 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Do-200ad | D901S45 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000091324 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 3,5 V @ 2500 a | 250 mA @ 4500 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1225a | - - - | ||||||||||
 | BAT17-05E6327HTSA1 | 0,0700 | | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 0,75PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Common Cathode | 4V | 15ohm @ 5ma, 10 kHz | ||||||||||||||
| BAT6307WE6327HTSA1 | - - - | | 4958 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-82A, SOT-343 | Bat63 | Pg-sot343-3d | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 100 MW | 0,85PF @ 0,2 V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 3v | - - - | ||||||||||||||
| Bar 63-02W E6327 | - - - | | 7453 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-80 | Bar 63 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||
| Bar6406WH6327XTSA1 | 0,4300 | | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bar6406 | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 20V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 150 v | 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||
| BA89502VH6327XTSA1 | - - - | | 8613 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BA89502VH | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | BAT6302VH6327XTSA1 | 0,5500 | | 1108 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BAT6302 | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 100 MW | 0,85PF @ 0,2 V, 1 MHz | Schottky - Single | 3v | - - - | |||||||||||||
| SIDC16D60SIC3 | - - - | | 8579 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC16D | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000014898 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 170pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
| IDP23011XUMA1 | - - - | | 5633 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | IDP23011 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001586032 | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||
 | IDFW40E65D1EXKSA1 | 5.6700 | | 2084 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | IDFW40 | Standard | PG-to247-3-AI | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 2.1 V @ 40 a | 76 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 42a | - - - | ||||||||||
| 62-0253pbf | - - - | | 4770 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | 62-02 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001569294 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | IDP30E65D2XKSA1 | 2.1100 | | 433 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Idp30e65 | Standard | PG-to220-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 2,2 V @ 30 a | 42 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - - - |
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