SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
D471N85TXPSA1 Infineon Technologies D471N85TXPSA1 - - -
RFQ
ECAD 8864 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Do-200ab, B-Puk D471N85 Standard - - - Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 8500 v 3,2 V @ 1200 a 50 mA @ 8500 V -40 ° C ~ 160 ° C. 760a - - -
D901S45T Infineon Technologies D901S45T - - -
RFQ
ECAD 2357 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Do-200ad D901S45 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen SP000091324 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v 3,5 V @ 2500 a 250 mA @ 4500 V -40 ° C ~ 125 ° C. 1225a - - -
DD400S33KL2CNOSA1 Infineon Technologies DD400S33KL2CNOSA1 - - -
RFQ
ECAD 4746 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul Standard A-IHV73-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 3300 v - - - 2,6 V @ 400 a 530 A @ 1800 V. -40 ° C ~ 125 ° C.
IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies IDL02G65C5XUMA2 1.8700
RFQ
ECAD 5308 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 4-Powertsfn IDL02G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-VSON-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 2 a 0 ns 35 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 70pf @ 1v, 1 MHz
IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies IDL04G65C5XUMA2 2.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 4-Powertsfn IDL04G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-VSON-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 4 a 0 ns 70 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 130pf @ 1v, 1 MHz
IDL06G65C5XUMA2 Infineon Technologies IDL06G65C5XUMA2 2.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 4-Powertsfn IDL06G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-VSON-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 110 µa @ 650 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 190pf @ 1v, 1 MHz
IDL10G65C5XUMA2 Infineon Technologies IDL10G65C5XUMA2 5.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 4-Powertsfn IDL10G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-VSON-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 180 µa @ 650 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 300PF @ 1V, 1 MHz
IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies IDH20G65C6XKSA1 8.1100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 IDH20G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,35 V @ 20 a 0 ns 67 µa @ 420 V -55 ° C ~ 175 ° C. 41a 970PF @ 1V, 1 MHz
D255K04BXPSA1 Infineon Technologies D255K04BXPSA1 - - -
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Bolzenhalterung DO-205AA, DO-8, Stud D255K Standard - - - Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 20 mA @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 255a - - -
D1481N62TXPSA1 Infineon Technologies D1481N62TXPSA1 - - -
RFQ
ECAD 1278 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Do-200AC, K-Puk D1481N62 Standard - - - Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 6200 v 1,8 V @ 2500 a 50 mA @ 6200 V -40 ° C ~ 160 ° C. 2200a - - -
D1481N65TXPSA1 Infineon Technologies D1481N65TXPSA1 - - -
RFQ
ECAD 9177 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Do-200AC, K-Puk D1481N65 Standard - - - Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 6500 v 1,8 V @ 2500 a 50 mA @ 6500 V -40 ° C ~ 160 ° C. 2200a - - -
D3040N68T Infineon Technologies D3040N68T - - -
RFQ
ECAD 4920 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv D3040 - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen SP000948892 Ear99 8541.10.0080 1
D3041N65TXPSA1 Infineon Technologies D3041N65TXPSA1 2.0000
RFQ
ECAD 2325 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200Ae D3041N65 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 6500 v 1,7 V @ 4000 a 100 mA @ 6500 V -40 ° C ~ 160 ° C. 4090a - - -
D2601N85TXPSA1 Infineon Technologies D2601N85TXPSA1 2.0000
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200Ae D2601N85 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 8500 v 100 mA @ 8500 V -40 ° C ~ 160 ° C. 3040a - - -
D801S45T Infineon Technologies D801S45T - - -
RFQ
ECAD 7805 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Klemmen Do-200AC, K-Puk D801s Standard - - - Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen SP000293419 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v 3,7 V @ 2500 a 250 mA @ 4500 V -40 ° C ~ 125 ° C. 1570a - - -
D1381S45TXPSA1 Infineon Technologies D1381S45TXPSA1 3.0000
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200ad D1381S45 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v 2,6 V @ 2500 a 100 mA @ 4500 V -40 ° C ~ 140 ° C. 1630a - - -
D1821SH45TPRXPSA1 Infineon Technologies D1821SH45TPRXPSA1 - - -
RFQ
ECAD 5626 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Chassis -berg Do-200Ae D1821SH45 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v 3,6 V @ 2500 a 150 mA @ 4500 V 0 ° C ~ 140 ° C. 2210a - - -
DZ600N14KHPSA1 Infineon Technologies DZ600N14KHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 6683 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Chassis -berg Modul DZ600N14 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,4 V @ 2200 a 40 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 735a - - -
DZ600N16KHPSA1 Infineon Technologies DZ600N16KHPSA1 267.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DZ600N16 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,4 V @ 2200 a 40 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 735a - - -
DD61S14KKHPSA1 Infineon Technologies DD61S14KKHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 4181 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul Standard Modul Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 76a 1,62 V @ 230 a 40 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DD89N14KHPSA1 Infineon Technologies DD89N14KHPSA1 134.8400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DD89N14 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1400 v 89a 1,5 V @ 300 a 20 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DD89N14KKHPSA1 Infineon Technologies DD89N14KKHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 4590 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg POW-R-BLOK ™ -MODUL Standard POW-R-BLOK ™ -MODUL Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 89a 1,5 V @ 300 a 20 mA @ 1400 V 150 ° C.
DD89N16KKHPSA1 Infineon Technologies DD89N16KKHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 3132 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Chassis -berg POW-R-BLOK ™ -MODUL DD89N16 Standard POW-R-BLOK ™ -MODUL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 89a 1,5 V @ 300 a 20 mA @ 1600 V 150 ° C.
DD98N22KHPSA1 Infineon Technologies DD98N22KHPSA1 136.4800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DD98N22 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 2200 v 98a 1,53 V @ 300 a 25 mA @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DD241S12KHPSA1 Infineon Technologies DD241S12KHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 8858 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul Standard Modul Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 261a 1,55 V @ 800 a 200 mA @ 1200 V 150 ° C.
DD241S14KHPSA1 Infineon Technologies DD241S14KHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 6248 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul Standard Modul Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 240a 1,55 V @ 800 a 200 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DD350N12KKHPSA1 Infineon Technologies DD350N12KKHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 6068 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul Standard Modul Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 350a 1,28 V @ 1000 a 30 mA @ 1200 V 150 ° C.
DD350N14KHPSA1 Infineon Technologies DD350N14KHPSA1 - - -
RFQ
ECAD 3986 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul DD350N14 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 350a 1,28 V @ 1000 a 30 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DD350N16KHPSA1 Infineon Technologies DD350N16KHPSA1 229.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DD350N16 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 350a 1,28 V @ 1000 a 30 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
DD600N14KHPSA2 Infineon Technologies DD600N14KHPSA2 - - -
RFQ
ECAD 3838 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul DD600N14 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1400 v 600a 1,32 V @ 1800 a 40 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus