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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | SIDC14D60F6X1SA4 | - - - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC14D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 45 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 45a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC03D60C8X7SA2 | - - - | ![]() | 2064 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC03 | Standard | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,95 V @ 10 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC08D60C8X7SA1 | - - - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC08 | Standard | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,95 V @ 30 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC07D60E6X1SA3 | - - - | ![]() | 6662 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC07D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 15 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X7SA1 | - - - | ![]() | 9034 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC06D60 | Standard | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 15 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC03D60F6X7SA1 | - - - | ![]() | 6036 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC03 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 6 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X1SA2 | - - - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC06D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 15 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X1SA1 | - - - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC06D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 10 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC14D60E6X1SA4 | - - - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC14D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 30 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC09D60E6X1SA3 | - - - | ![]() | 4016 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC09D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 20 a | 150 ns | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X1SA4 | - - - | ![]() | 6100 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC06D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 10 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC04D60F6X1SA2 | - - - | ![]() | 7851 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC04 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 9 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 9a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC26D60C8X1SA1 | - - - | ![]() | 2069 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC26D | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 100 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC04D60F6X1SA4 | - - - | ![]() | 1378 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC04 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 9 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 9a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC07D60F6X1SA1 | - - - | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC07D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 22.5 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 22.5a | - - - | |||||||||||||
![]() | SIDC03D60C8X1SA2 | - - - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC03 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,95 V @ 10 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | BAS40-04E6327 | - - - | ![]() | 4220 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.100 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BAV70E6767 | 0,0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV70 | Standard | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BAT68E6327 | 1.0000 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bat68 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 130 ma | 150 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - Single | 8v | 10ohm @ 5ma, 10 kHz | |||||||||||||||||||
![]() | DD261N22KTIMHPSA1 | 238.3867 | ![]() | 2270 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD261N22 | Standard | BG-PB50-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 260a | 1,42 V @ 800 a | 40 mA @ 2200 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | DD540N22KTIMHPSA1 | 385.0000 | ![]() | 4506 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD540N22 | Standard | BG-PB60AT-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 540a | 1,48 V @ 1,7 ka | 40 mA @ 2200 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | AIDK10S65C5ATMA1 | 5.4200 | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Coolsic ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Aidk10 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 60 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 303pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | IDK05G120C5XTMA1 | 5.4100 | ![]() | 603 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK05G120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 5 a | 33 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 19.1a | 301pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | IDK08G120C5XTMA1 | 6.2300 | ![]() | 955 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK08G120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,95 V @ 8 a | 40 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 22.8a | 365PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | IDK10G120C5XTMA1 | 7.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK10G120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 a | 18 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 31.9a | 525PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAV74 | 0,0400 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV74 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 200 ma | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | IDP15E60 | 0,8600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Idp | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | PG-to220-2 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 15 a | 87 ns | 50 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 29.2a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BBY55-03WE6327 | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 6.5PF @ 10V, 1 MHz | Einzel | 16 v | 2.5 | C2/C10 | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | Bas40 | 0,0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT23-3 (to-236) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -50 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | BAT15-099E6327 | 0,2100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-253-4, to-253aa | PG-SOT143-4 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 Ma | 100 MW | 0,5PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 4V | 5,5OHM @ 50 Ma, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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