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Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BA895E6327 | 0,0400 |  | 21 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-80 | SCD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 ma | 0,6PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 7ohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BAR63-04WH6327 | - - - | | 8284 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | - - - | ||||||||||||||||
 | BA892-02V | - - - | | 6892 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | Bar 64-06WH6327 | 0,0900 | | 3283 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 20V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 150 v | 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
 | BAL99 | - - - | | 3268 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Standard | SOT23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.959 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 70 V | 150 ° C (max) | 250 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
 | Bar 67-04 E6327 | - - - | | 8899 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pg-SOT23 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 200 ma | 250 MW | 0,55PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 150 v | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
 | BAS125-04WE6327 | 0,0900 | | 33 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas125 | Schottky | PG-SOT323-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 25 v | 100 mA (DC) | 950 MV @ 35 mA | 150 NA @ 25 V. | 150 ° C. | |||||||||||||
| BAS3005A-02VH6327 | 1.0000 | | 9978 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 MV @ 500 mA | 300 µa @ 30 V | 150 ° C. | 500 mA | 10pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||
| BAR6502WE6327 | 0,0300 | | 5069 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.500 | 100 ma | 250 MW | 0,8PF @ 3V, 1 MHz | Pin - Single | 30V | 900mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
 | BAS70-02W E6327 | 0,0200 | | 100 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-80 | Schottky | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | 70 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
 | BAS70-06B5000 | 0,0300 | | 180 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | |||||||||||||
 | BAS3005S-02LRHE6327 | 0,1300 | | 61 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bas | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-882 | Schottky | PG-TSLP-2-17 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 MV @ 500 mA | 300 µa @ 30 V | 150 ° C. | 500 mA | 15pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | BAS70B5003 | 0,0300 | | 26 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | 70 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
| BAS70-04WE6327 | 0,2400 | | 16 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||||
 | BAT15-098LRHE6327 | 0,1900 | | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 4-xfdfn | Bat15 | PG-TSLP-4-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 Ma | Schottky - 2 Unabhängig | 4V | ||||||||||||||||||
| BAT1805E6327 | - - - | | 2117 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat1805 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1,571 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 100 mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 120 ns | 20 na @ 20 v | 150 ° C (max) | ||||||||||||
| BAT15-05WH6327XTSA1 | 0,1900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 110 Ma | 100 MW | 0,5PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Common Cathode | 4V | 5,5OHM @ 50 Ma, 1 MHz | ||||||||||||||||
| BAT18-05E6327 | - - - | | 8732 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1pf @ 20V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 35 V | 700 MOHM @ 5MA, 200 MHz | |||||||||||||||||
| BAS40B5003 | 0,0300 | | 107 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | 120 Ma | 3PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
| BAT62-02WH6327 | 1.0000 | | 3623 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | Bav 70W H6327 | 0,0400 | | 78 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bav 70 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 7,194 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||
| BAV70WE6327 | - - - | | 1236 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAV70 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||
 | BAT68E6359HTMA1 | 0,0700 | | 30 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bat68 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 130 ma | 150 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - Single | 8v | 10ohm @ 5ma, 10 kHz | ||||||||||||||||
| BAT64B5000 | - - - | | 7800 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C. | 120 Ma | 4PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||
 | IDP06E60XKSA1 | 0,9800 | | 8 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | PG-to220-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 6 a | 70 ns | 50 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 14.7a | - - - | |||||||||||||
| BAT64-06B5000 | 0,0300 | | 180 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat64 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 120 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||||
 | BAT63-07WE6327 | 0,0900 | | 13 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-82A, SOT-343 | PG-SOT343-4 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 100 MW | 0,85PF @ 0,2 V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 3v | - - - | ||||||||||||||||
| BBY66-05WH6327 | - - - | | 7995 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| BB565H7908 | - - - | | 2816 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | SCD-80 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.2pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 11 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||||
 | BB814E6327gr2 | 0,0900 | | 23 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 22.7pf @ 8v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 18 v | 2.25 | C2/C8 | 200 @ 2V, 100 MHz |
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