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Dioden (1803)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Strom - Max	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Ausfluss @ if, f	Kapazitätsverhöltnis	Kapazitätsverhöltnis	Q @ vr, f
PX8143HDMG018XTMA1	- - -	RFQ	1501	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet				PX8143HD			- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Veraltet		1
PX3746HDNG008XTMA1	- - -	RFQ	1998	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet				PX3746HD			- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Veraltet		1
PX8895EDQGG005XUMA1	- - -	RFQ	7869	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet				Px8895ed			- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Veraltet		1
PX8746HDNG018XTMA1	- - -	RFQ	5743	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet				PX8746HD			- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Veraltet		1
PX8244HDMG018XTMA1	- - -	RFQ	2739	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet				PX8244HD			- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Veraltet		1
PX3746HDNSM1401XTMA1	- - -	RFQ	7136	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet				PX3746HD			- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Veraltet		1
8202011	0,9700	RFQ	1	Infineon -technologien	- - -	Kasten	Aktiv							- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	3845-8202011	Ear99		1
DD340N22StimHPSA1	116.9500	RFQ	2	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv		Chassis -berg	Modul		Standard	BG-PB50SB-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)			1 Paar Serie Verbindung	2200 v	330a	1,31 V @ 800 a		1 mA @ 2200 V	130 ° C.
DD171N12KKHPSA2	191.5900	RFQ	7045	Infineon -technologien	Dd171n	Tablett	Aktiv		Chassis -berg	Modul	DD171N12	Standard	- - -	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	8	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)			1 Paar Serie Verbindung	1200 V	171a	1,26 V @ 500 a		20 mA @ 1200 V	150 ° C.
RD4.7FS (0) -T1 -ay	- - -	RFQ	2228	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet							- - -				2156-RD4.7FS (0) -T1-ay			1
DD98N22KHPSA2	131.2867	RFQ	1910	Infineon -technologien	Dd98n	Tablett	Aktiv		Chassis -berg	Modul		Standard	Modul	- - -	ROHS3 -KONFORM			448-DD98N22KHPSA2	Ear99	8541.30.0080	15	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)			1 Paar Serie Verbindung	2200 v	98a	1,53 V @ 300 a		25 mA @ 2,2 kV	150 ° C.
D690S26TS01XPSA1	- - -	RFQ	8959	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet		Chassis -berg	Do-200ab, B-Puk	D690S26	Standard	BG-D5726K-1	- - -		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	SP001046358	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)				2600 v		2,7 V @ 3000 a	9 µs	25 mA @ 2600 V	150 ° C (max)	690a	- - -
IDWD15G120C5XKSA1	10.8400	RFQ	240	Infineon -technologien	Coolsic ™+	Rohr	Aktiv		K. Loch	To-247-2	IDWD15	SIC (Silicon Carbide) Schottky	PG-to247-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	SP001687164	Ear99	8541.10.0080	30	Keine Erholungszeit> 500 mA (IO)				1200 V		1,65 V @ 15 a	0 ns	124 µa @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	49a	1050pf @ 1V, 1 MHz
IDWD30G120C5XKSA1	20.7500	RFQ	494	Infineon -technologien	Coolsic ™+	Rohr	Aktiv		K. Loch	To-247-2	IDWD30	SIC (Silicon Carbide) Schottky	PG-to247-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	30	Keine Erholungszeit> 500 mA (IO)				1200 V		1,65 V @ 30 a	0 ns	248 µa @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	87a	1980pf @ 1v, 1 MHz
BB565E7902	- - -	RFQ	5640	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-80			SCD-80	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0070	3.000												2.2pf @ 28V, 1 MHz	Einzel	30 v		11	C1/C28	- - -
BAT64-06B5003	0,0300	RFQ	57	Infineon -technologien	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Bat64	Schottky	PG-SOT23-3-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0070	3.000	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit			1 Paar -Gemeinsamer -Anode	40 v	120 Ma	750 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µa @ 30 V	150 ° C.
BAW56WE6327	- - -	RFQ	4805	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	BAW56	Standard	SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit			1 Paar -Gemeinsamer -Anode	80 v	200 Ma (DC)	1,25 V @ 150 mA	4 ns	150 NA @ 70 V	150 ° C (max)
BAW56W-E6327	- - -	RFQ	3501	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	BAW56	Standard	PG-SOT323-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	12.000	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit			1 Paar -Gemeinsamer -Anode	80 v	200 Ma (DC)	1,25 V @ 150 mA	4 ns	150 NA @ 70 V	150 ° C.
IDT08S60C	3.0800	RFQ	4	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		K. Loch	To-220-2		SIC (Silicon Carbide) Schottky	PG-to220-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1	Keine Erholungszeit> 500 mA (IO)				600 V		1,7 V @ 8 a	0 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	8a	310pf @ 1V, 1 MHz
BAW56-B5003	1.0000	RFQ	5932	Infineon -technologien	*	Schüttgut	Aktiv				BAW56			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0070	3.000
BAW78C	0,0800	RFQ	4	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-243aa		Standard	PG-SOT89-4-2	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0080	4.000	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)				200 v		1,6 V @ 1 a	1 µs	1 µA @ 200 V.	150 ° C.	1a	10pf @ 0v, 1 MHz
Bar61	- - -	RFQ	4496	Infineon -technologien	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)		To-253-4, to-253aa			PG-SOT143-4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	1		140 Ma	250 MW									0,5PF @ 50V, 1 MHz	Pin - Pi -Element	100V	12ohm @ 10 mA, 100 MHz
BA895E6327	0,0400	RFQ	21	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)		SC-80			SCD-80	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		50 ma										0,6PF @ 10V, 1 MHz	Pin - Single	50V	7ohm @ 10 mA, 100 MHz
BAR63-04WH6327	- - -	RFQ	8284	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)		SC-70, SOT-323			PG-SOT323-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0070	3.000		100 ma	250 MW									0,3PF @ 5V, 1 MHz	Pin - 1 Paar Serie Verbindung	50V	- - -
BA892-02V	- - -	RFQ	6892	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)		SC-79, SOD-523			PG-SC79-2-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		100 ma										1.1PF @ 3V, 1 MHz	Standard - Single	35 V	500mohm @ 10 mA, 100 MHz
Bar 64-06WH6327	0,0900	RFQ	3283	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)		SC-70, SOT-323			PG-SOT323-3-1	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0070	3.000		100 ma	250 MW									0,35PF @ 20V, 1 MHz	Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode	150 v	1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz
BAL99	- - -	RFQ	3268	Infineon -technologien	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		Standard	SOT23-3 (to-236)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	8.959	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)				80 v		1,25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 70 V	150 ° C (max)	250 Ma	1,5PF @ 0V, 1 MHz
Bar 67-04 E6327	- - -	RFQ	8899	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)		To-236-3, sc-59, SOT-23-3			Pg-SOT23	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3.000		200 ma	250 MW									0,55PF @ 5V, 1 MHz	Pin - 1 Paar Serie Verbindung	150 v	1ohm @ 10 mA, 100 MHz
BAS125-04WE6327	0,0900	RFQ	33	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	Bas125	Schottky	PG-SOT323-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit			1 Paar Serie Verbindung	25 v	100 mA (DC)	950 MV @ 35 mA		150 NA @ 25 V.	150 ° C.
BAS3005A-02VH6327	1.0000	RFQ	9978	Infineon -technologien	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523		Schottky	PG-SC79-2-1	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)				30 v		500 MV @ 500 mA		300 µa @ 30 V	150 ° C.	500 mA	10pf @ 5v, 1 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (1803)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²