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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT18-05E6327 | - - - | ![]() | 8732 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1pf @ 20V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 35 V | 700 MOHM @ 5MA, 200 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAT62-02WH6327 | 1.0000 | ![]() | 3623 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT63-07WE6327 | 0,0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-82A, SOT-343 | PG-SOT343-4 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 100 MW | 0,85PF @ 0,2 V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 3v | - - - | |||||||||||||||||
![]() | BBY66-05WH6327 | - - - | ![]() | 7995 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB565H7908 | - - - | ![]() | 2816 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | SCD-80 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.2pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 11 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BB814E6327gr2 | 0,0900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 22.7pf @ 8v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 18 v | 2.25 | C2/C8 | 200 @ 2V, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BB669E7904 | 0,0400 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 20.9 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BB814E6359HTMA1 | 0,1200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 22.7pf @ 8v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 18 v | 2.25 | C2/C8 | 200 @ 2V, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BB659C-02VH7908 | - - - | ![]() | 3197 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.917 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 15.3 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BB659CH7902 | 0,0300 | ![]() | 4296 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 15.3 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 | 72.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Ag-Easy1b-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,85 V @ 20 a | 58 µa @ 1200 V | 20 a | Einphase | 1,2 kv | ||||||||||||||||
![]() | BAS40-07WH6327 | - - - | ![]() | 9996 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | Bas40 | Schottky | PG-SOT343-4 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | RKP404KS-1#Q1 | - - - | ![]() | 7592 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-RKP404KS-1#Q1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bar 63-05 E6433 | - - - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar 63 | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAT 15-099LRH E6327 | - - - | ![]() | 1106 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | 4-xfdfn | FLEDERMAUS 15 | PG-TSLP-4-7 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 110 Ma | 100 MW | 0,35PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 4V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | DZ1070N22KTIMHDSA1 | - - - | ![]() | 2133 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | DZ1070 | - - - | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB 664-02V E7902 | - - - | ![]() | 5102 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB 664 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 17.8 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DD800S33K2CB3S2NDSA1 | - - - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | DD800S33 | Standard | A-IHV130-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 3300 v | 800A (DC) | 3,5 V @ 800 a | 1100 a @ 1800 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BAR63-04E6327 | - - - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pg-SOT23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | BAR63-06E6327HTSA1 | 1.0000 | ![]() | 4962 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BAT68E6327 | 1.0000 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bat68 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 130 ma | 150 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - Single | 8v | 10ohm @ 5ma, 10 kHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BAT15-099E6327 | 0,2100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-253-4, to-253aa | PG-SOT143-4 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 Ma | 100 MW | 0,5PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 4V | 5,5OHM @ 50 Ma, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | PX3746HDNSM1401XTMA1 | - - - | ![]() | 7136 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX3746HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK10G65C5XTMA1 | - - - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK10G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 10 a | 0 ns | 1,7 mA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 300PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAS170WE6327HTSA1 | 0,4800 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Bas170 | Schottky | PG-SOD323-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X1SA1 | - - - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC06D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 10 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||
![]() | DD500S33HE3BPSA1 | 975.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD500S33 | Standard | AG-IHVB130-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 3300 v | - - - | 3,85 V @ 500 a | 500 Pro @ 1800 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | BAS7007WH6327XTSA1 | 0,5000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | Bas7007 | Schottky | PG-SOT343-4-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | 56DN06ELEMPRXPSA1 | - - - | ![]() | 1512 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | 56dn06 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 10000 a | 100 mA @ 600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 6400a | - - - | |||||||||||||||
![]() | DD98N22KHPSA2 | 131.2867 | ![]() | 1910 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Dd98n | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 448-DD98N22KHPSA2 | Ear99 | 8541.30.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 98a | 1,53 V @ 300 a | 25 mA @ 2,2 kV | 150 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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