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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | SIDC46D170HX1SA2 | - - - | ![]() | 4014 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC46D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 75 a | 27 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 75a | - - - | ||||||||||||||
![]() | BAS16-02VE6327 | - - - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bas16 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Bas16 | Standard | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C. | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BAS40-06WH6327 | - - - | ![]() | 2463 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas40 | Schottky | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | DD175N32KHPSA1 | 292.7233 | ![]() | 4595 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD175N32 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 3200 v | 223a | 2.05 V @ 600 a | 20 mA @ 3200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | SIDC26D60C6 | - - - | ![]() | 4788 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC26D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000015059 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 100 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||
![]() | DD89N12KHPSA2 | 104.2340 | ![]() | 7275 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.30.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 89a | 1,5 V @ 300 a | 20 mA @ 1,2 kV | 150 ° C. | |||||||||||||||||
![]() | BAS70-04TE6327 | 0,0300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Bas70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK03G65C5XTMA1 | - - - | ![]() | 3226 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK03G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 3 a | 0 ns | 500 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 100pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | GATELEADWHBU445XXPSA1 | 29.6100 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | GATELEADWHBU445 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | BAS28E6359HTMA1 | - - - | ![]() | 1482 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas28 | Standard | PG-SOT143-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 80 v | 100 mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | Bar9002Else6327XTSA1 | 0,4700 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 Metrik) | Bar9002 | PG-TSSLP-2-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 1V, 1 MHz | Pin - Single | 80V | 800mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAT1502LSE6433XTMA1 | 0,6000 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 Metrik) | Bat1502 | PG-TSSLP-2-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 70.000 | 110 Ma | 100 MW | 0,23PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - Single | 4V | 10ohm @ 50 mA, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BGX50AE6327HTSA1 | 0,5100 | ![]() | 225 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BGX50 | Standard | PG-SOT-143-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1,3 V @ 100 mA | 200 NA @ 500 V | 140 Ma | Einphase | 70 V | |||||||||||||||
![]() | BBY 57-02V E6327 | - - - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BBY 57 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 5.5PF @ 4V, 1 MHz | Einzel | 10 v | 4.5 | C1/C4 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Bar 95-02LS E6327 | 0,4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 Metrik) | Bar 95 | PG-TSSLP-2-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 150 MW | 0,35PF @ 1V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1,5OHM @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAT6405E6327HTSA1 | 0,5200 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, BAT64 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAT6405 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 250 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BBY 61-02LS E6327 | - - - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | BBY 61 | PG-TSSLP-2-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | - - - | Einzel | 10 v | 2.45 | - - - | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BA 779 E6327 | - - - | ![]() | 2971 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ba 779 | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 ma | 0,6PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 7ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BA 892-02V E6127 | - - - | ![]() | 1431 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA 892 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BA 892-02V E6433 | - - - | ![]() | 9143 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA 892 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BA 895 E6327 | - - - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-80 | BA895 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 ma | 0,6PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 7ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAL74E6327HTSA1 | 0,0462 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAL74 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BAR161E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 1481 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar161 | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 140 Ma | 250 MW | 0,5PF @ 50V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 100V | 12ohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | Bar 50-02L E6327 | - - - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | Bar 50 | PG-TSLP-2-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 100 ma | 250 MW | 0,4PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 4,5OHM @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | Bar 50-02V E6327 | - - - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | Bar 50 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,4PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 4,5OHM @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAR61E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 2890 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-253-4, to-253aa | Bar61 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 140 Ma | 250 MW | 0,5PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Pi -Element | 100V | 12ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAR6302LE6327XTMA1 | 0,4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | Bar6302 | PG-TSLP-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | Bar 63-02W E6127 | - - - | ![]() | 2340 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | SC-80 | Bar 63 | SCD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 16.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAR6304WE6327HTSA1 | - - - | ![]() | 5567 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bar6304 | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAR6306E6327HTSA1 | 0,4500 | ![]() | 3578 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar6306 | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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