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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D1800N42TVFXPSA1 | - - - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | D1800N42 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4200 v | 1,32 V @ 1500 a | 100 mA @ 4200 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 1800a | - - - | |||||||||
![]() | DD46S10KHPSA1 | - - - | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1000 v | 64a | 1,6 V @ 150 a | 20 mA @ 1000 v | 125 ° C. | ||||||||||
![]() | IRD3CH24DD6 | - - - | ![]() | 8979 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | IRD3CH24 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | D970N08TXPSA1 | - - - | ![]() | 9178 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | DO-200AA, A-Puk | D970N0 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 970 mv @ 750 a | 20 mA @ 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 970a | - - - | |||||||||
![]() | IDT04S60CHKSA1 | - - - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | IDT04S60 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 500 | ||||||||||||||||||||
![]() | SIDC08D60C6 | - - - | ![]() | 6306 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC08 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000015029 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,95 V @ 30 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||
![]() | IDC40S120C5X7SA1 | 41.4720 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | - - - | IDC40S120 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
![]() | DD540N22KXPSA1 | 299.5200 | ![]() | 6768 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB60E2A-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 540a | 1,48 V @ 1,7 ka | 40 mA @ 2,2 kV | 150 ° C. | |||||||||||
![]() | D850N36TXPSA1 | - - - | ![]() | 9333 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | D850N | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 3600 V | 1,28 V @ 850 a | 50 mA @ 3600 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 850a | - - - | |||||||||
![]() | SDT12S60 | - - - | ![]() | 6826 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SDT12s | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 12 a | 0 ns | 400 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 450pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||
![]() | D475N36BXPSA1 | - - - | ![]() | 1358 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | D475N3 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 3600 V | 40 mA @ 3600 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 475a | - - - | ||||||||||
![]() | DD89N08KKHPSA1 | - - - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Standard | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 800 V | 89a | 1,5 V @ 300 a | 20 mA @ 800 V | 150 ° C. | ||||||||||
![]() | DD360N22KHPSA1 | 229.0200 | ![]() | 6691 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DD360N22 | Standard | BG-PB50AT-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 25 mA @ 2200 V | 360 a | Einphase | 2,2 kv | ||||||||||
![]() | DD104N18KHPSA1 | 148.9253 | ![]() | 9413 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DD104N18 | Standard | BG-PB20-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 20 mA @ 1800 V | 104 a | Einphase | 1,8 kv | ||||||||||
![]() | DF80R12W2H3FB11BOMA1 | - - - | ![]() | 3343 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DF80R12 | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000908732 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 950 mv @ 30 a | 100 µa @ 1,2 V | 50 a | Einphase | 1,2 v | |||||||||
![]() | F475R07W2H3B51BOMA1 | - - - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | F475R07 | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,7 V @ 37,5 a | 37,5 a | Einphase | 650 V | |||||||||||
![]() | DF160R12W2H3FB11BOMA1 | - - - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DF160R12 | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000908738 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 950 mv @ 30 a | 100 µa @ 1,2 V | 50 a | Einphase | 1,2 v | |||||||||
![]() | SIDC14D60E6X1SA1 | - - - | ![]() | 1150 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC14D60 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 30 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | ||||||||
![]() | IDD09SG60CXTMA1 | - - - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IDD09SG60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 9 a | 0 ns | 80 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9a | 280pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | DD46S12KHPSA1 | - - - | ![]() | 7663 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 64a | 1,6 V @ 150 a | 20 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
![]() | BAV99SH6433XTMA1 | 0,1059 | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||
![]() | D405N26Expsa1 | - - - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | D405N26 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | PX3746HDNSM1386XTMA1 | - - - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX3746HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | D1230N14TXPSA1 | 138.1625 | ![]() | 3336 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | D1230N14 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1.063 V @ 800 a | 50 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 1230a | - - - | ||||||||
![]() | IDC04S60CEX1SA1 | - - - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC04S60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000599920 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 4 a | 0 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 130pf @ 1v, 1 MHz | |||||||
![]() | IDC08S60CEX1SA3 | - - - | ![]() | 7021 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC08S60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000601232 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | SIDC42D60E6X1SA1 | - - - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | Sidc42d | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 100 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100a | - - - | ||||||||
![]() | IDT10S60CHKSA1 | - - - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | IDT10S60 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 500 | ||||||||||||||||||||
![]() | BAW56E6327 | - - - | ![]() | 5640 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||
![]() | Bat 54-06 B5003 | - - - | ![]() | 9548 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAT 54 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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