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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS70-06E6433 | 0,0900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BA89202VH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA892 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DD231N20KHPSA1 | - - - | ![]() | 2683 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2000 v | 261a | 1,55 V @ 800 a | 25 mA @ 2000 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | DD171N16KHPSA1 | - - - | ![]() | 3347 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Dd171n | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | DD171N16 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1600 v | 171a | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
DD340N16SHPSA1 | 101.3700 | ![]() | 4194 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD340N16 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 330a | 1,31 V @ 1600 a | 1 ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 130 ° C. | |||||||||||||||
![]() | D820N28TXPSA1 | - - - | ![]() | 5990 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | DO-200AA, A-Puk | D820N28 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2800 v | 1,25 V @ 750 a | 40 mA @ 2800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 820a | - - - | |||||||||||||||
![]() | D6001N50TS05XPSA1 | - - - | ![]() | 9528 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | D6001N50 | Standard | BG-D15026K-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000541776 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 5000 v | 1,3 V @ 6000 a | 400 mA @ 5000 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 8010a | - - - | ||||||||||||||
![]() | SDD04S60 | - - - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SDD04S | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to252-3-11 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 4 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 150pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | IDT04S60CHKSA1 | - - - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | IDT04S60 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD89N16KAHPSA1 | - - - | ![]() | 5134 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | POW-R-BLOK ™ -MODUL | DD89N16 | Standard | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 89a | 1,5 V @ 300 a | 20 mA @ 1600 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | IDC04S60CEX7SA1 | - - - | ![]() | 2340 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC04S60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001304282 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 4 a | 0 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 130pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | D2200N22TVFXPSA1 | 366.6775 | ![]() | 9183 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | D2200N22 | Standard | BG-D7526K0-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 150 mA @ 2200 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 2200a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | D350SH45TXPSA1 | 930.8775 | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | D350SH45 | Standard | BG-D7526K0-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | - - - | 700a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | D850N36TXPSA1 | - - - | ![]() | 9333 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | D850N | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 3600 V | 1,28 V @ 850 a | 50 mA @ 3600 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 850a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BAS16WE6433HTMA1 | - - - | ![]() | 6165 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Standard | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BB 689-02V E7902 | - - - | ![]() | 1259 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB 689 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 23.2 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BAR6305WH6327XTSA1 | 0,5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar6305 | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAV99SH6433XTMA1 | 0,1059 | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BA89202VH6127XTSA1 | 0,5100 | ![]() | 76 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA89202 | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | Bar 64-02V E6127 | - - - | ![]() | 7239 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | Bar 64 | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 16.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 20V, 1 MHz | Pin - Single | 150 v | 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAV99SH6327XTSA1 | 0,5000 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | PG-SOT363-6-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAS40E6433HTMA1 | 0,5200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 120 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | AIDW40S65C5XKSA1 | 11.1900 | ![]() | 293 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100/101, Coolsic ™ | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-247-3 | Aidw40 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to247-3-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 a | 0 ns | 120 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 40a | 1138PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | D4201N22TXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200Ae | D4201N22 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2200 v | 1 V @ 4000 a | 200 mA @ 2200 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 6010a | - - - | ||||||||||||||
![]() | BAS40-05E6327 | 1.0000 | ![]() | 4145 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||
![]() | BAS7007E6327HTSA1 | 0,5400 | ![]() | 966 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas7007 | Schottky | PG-SOT-143-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | D2650N24TVFXPSA1 | 489.3350 | ![]() | 5378 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D2650N24 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2400 V | 1,25 V @ 2500 a | 200 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 2650a | - - - | ||||||||||||||
![]() | SDP06S60 | - - - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SDP06s | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-3-1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 300PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SIDC08D60C8X1SA2 | - - - | ![]() | 4818 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC08 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,95 V @ 30 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||
![]() | D8320N06TVFXPSA1 | 862.5600 | ![]() | 7370 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200ad | D8320N06 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 795 MV @ 4000 a | 100 mA @ 600 V | -25 ° C ~ 150 ° C. | 8320a | - - - |
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