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Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 46dn06b02Elemxpsa1 | 287.0900 |  | 20 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | 46dn06 | Standard | BG-D-ELEM-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 980 mv @ 6000 a | 40 mA @ 600 V | 180 ° C (max) | 10450a | - - - | ||||||||||||||
 | SIGC156T60NR2CYX1SA1 | - - - | | 4316 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Sigc156t | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| SIDC81D60E6YX1SA1 | - - - | | 5482 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Sidc81d | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| BAT1902ELE6327XTMA1 | 0,1800 | | 255 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BAT1902ELE6327XTMA1-448 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | DDB6U144N16RBPSA1 | 128.4300 | | 14 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ | Tablett | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Ag-Econo2a | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,65 V @ 150 a | 5 ma @ 1600 V | 100 a | DRIPHASE | 1,6 kv | ||||||||||||||||
 | DD390N22StimHPSA1 | 128.2900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB50SB-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 390a | 1,34 V @ 800 a | 1 mA @ 2200 V | 150 ° C. | |||||||||||||||
 | DD171N16KHPSA2 | 150.7900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Dd171n | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD171N16 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 171a | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 1600 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
| DD160N22KHPSA2 | 154.7400 | | 8 | 0.00000000 | Infineon -technologien | DD160N | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 172a | 1,4 V @ 500 a | 20 mA @ 2200 V | 150 ° C. | |||||||||||||||
 | DD171N18KHPSA2 | 185.3600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Dd171n | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD171N18 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 171a | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 1800 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
| ND171N18KHPSA2 | 177.7125 | | 9212 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | ND171N18 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 1800 V | 150 ° C. | 171a | - - - | |||||||||||||||
| D3501N42TS06PRXPSA1 | - - - | | 8625 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | Standard | BG-D12035K-1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4200 v | 1,27 V @ 4000 a | 100 mA @ 4200 V | 160 ° C. | 4870a | - - - | |||||||||||||||||
| D3041N68TS04XPSA1 | - - - | | 5416 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | Standard | BG-D12026K-1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6800 v | 1,7 V @ 4000 a | 100 mA @ 6800 V | 160 ° C. | 4090a | - - - | |||||||||||||||||
| DD98N24KS5HPSA1 | - - - | | 4792 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Dd98n | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Standard | POW-R-BLOK ™ -MODUL | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2400 V | 98a | 1,53 V @ 300 a | 25 mA @ 2400 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||
| BAT1504WH2110XTSA1 | 0,6700 | | 89 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bat1504 | PG-SOT323-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 110 Ma | 100 MW | 0,35PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 4V | 5,8ohm @ 50 mA, 1 MHz | ||||||||||||||||
| DD600N18KB1HPSA1 | - - - | | 3297 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB60AT-1 | - - - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 600a | 1,32 V @ 1,8 ka | 40 mA @ 1800 V. | 150 ° C. | ||||||||||||||||||
| DD171N16KAHPSA1 | 160.0375 | | 7467 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | DD171N16 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BAR63-02L UM | - - - | | 9172 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-bar63-02lum | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB565H7912XTSA1 | - - - | | 3202 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-80 | BB565 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 2.2pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 11 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
| BB689H7912XTSA1 | - - - | | 5838 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-80 | BB689 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 23.2 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
 | BBY5102VH6327XTSA1 | - - - | | 5789 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BBY51 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 3.7pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 7 v | 2.2 | C1/C4 | - - - | ||||||||||||||||
| BBY5602VH6327XTSA1 | 0,4300 | | 6919 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BBY5602 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 12.1pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 10 v | 3.3 | C1/C3 | - - - | |||||||||||||||
 | IDW20C65D2XKSA1 | 2.5500 | | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Schnell 2 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | IDW20C65 | Standard | PG-to247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001174446 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 10a | 2,2 V @ 10 a | 30 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | HFA15PB60PBF | - - - | | 7462 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfred® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-2 | HFA15 | Standard | To-247AC Modifiziert | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||
| IDC08S60CEX7SA1 | - - - | | 3999 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC08S60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001304290 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | DD1200S33K2CNOSA1 | - - - | | 9090 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Block, 4 Blei | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000100613 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 3300 v | 1200A (DC) | 3,5 V @ 1200 a | 1700 A @ 1800 V. | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||
 | Ddb6u85n16lhosa1 | 136.3700 | | 7651 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Ddb6u85 | Standard | Ag-Isopack-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 3 Unabhängig | 1600 v | 60a | 1,44 V @ 100 a | 5 ma @ 1600 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
 | DZ600N18KHPSA1 | 274.4000 | | 13 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DZ600N18 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 40 mA @ 1800 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 600a | ||||||||||||||||
| IDP2302XUMA1 | - - - | | 4224 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | IDP2302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001368358 | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||
| IDC08S120Ex1SA3 | - - - | | 7356 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC08S120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sägen auf Folie | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000599930 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 7,5 a | 0 ns | 180 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | 380PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | BA885E6327 | 0,0800 | | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 ma | 0,6PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | - - - |
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