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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS4002S-02LRHE6327 | 0,0700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-882 | Bas40 | Schottky | PG-TSLP-2-17 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 550 MV @ 200 Ma | 10 µa @ 40 V | 150 ° C. | 200 ma | 7pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | IDH12SG60CXKSA1 | - - - | ![]() | 3601 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | Idh12 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 2,1 V @ 12 a | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | D931SH65TXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200ad | D931SH65 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6500 v | 5.6 V @ 2500 a | 100 mA @ 6500 V | 0 ° C ~ 140 ° C. | 1220a | - - - | ||||||||||||||
![]() | BAS7004SH6727XTSA1 | - - - | ![]() | 9980 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas7004 | Schottky | PG-SOT363-6-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | DD800S17K3_B2 | - - - | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD800S17 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000100633 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1700 v | - - - | 2,2 V @ 800 a | 780 a @ 900 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||
![]() | BAS21E6359HTMA1 | - - - | ![]() | 2945 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000010222 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 150 ° C (max) | 250 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BAR63-06WH6327 | - - - | ![]() | 1329 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,261 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 50V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | IDH10G65C6XKSA1 | 4.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | IDH10G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,35 V @ 10 a | 0 ns | 33 µa @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24a | 495PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAS40-05W | 0,0900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas40 | Schottky | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||
![]() | IDT08S60CHKSA1 | - - - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | IDT08S60 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH04G65C6XKSA1 | 2.5500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | IDH04G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,35 V @ 4 a | 0 ns | 14 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 205PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | IDK06G65C5XTMA2 | 3.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK06G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 a | 0 ns | 1,1 mA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 190pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
DD340N16SHPSA1 | 101.3700 | ![]() | 4194 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD340N16 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 330a | 1,31 V @ 1600 a | 1 ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 130 ° C. | |||||||||||||||
![]() | BB914E6327HTSA1 | 0,5600 | ![]() | 712 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BB914E6327 | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 19.75PF @ 8V, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 18 v | 2.42 | C2/C8 | - - - | |||||||||||||||
![]() | DD1200S12H4 | - - - | ![]() | 9762 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD1200 | Standard | AG-IHMB130-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1200 V | - - - | 2,35 V @ 1200 a | 475 a @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | Bat 54-06 B5003 | - - - | ![]() | 9548 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAT 54 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | DZ600N08KHPSA1 | - - - | ![]() | 5187 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | DZ600N08 | Standard | BG-PB501-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,4 V @ 2200 a | 40 mA @ 800 V | 150 ° C. | 735a | - - - | |||||||||||||||
![]() | D251K14BXPSA1 | - - - | ![]() | 3681 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | D251K | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 30 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 255a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BA 892-02L E6327 | - - - | ![]() | 8899 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | BA 892 | PG-TSLP-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 45.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAS70-07E6433 | 0,1200 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas70 | Schottky | PG-SOT143-4 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BAT5402VH6327XTSA1 | 0,5300 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BAT5402 | Schottky | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | D3501N42TVFXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 2731 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200Ae | D3501N42 | Standard | BG-D12035K-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4200 v | 100 mA @ 4200 V | 160 ° C (max) | 4870a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BA89202LE6327 | 0,0700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | PG-TSLP-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAS16SE6327BTSA1 | - - - | ![]() | 8216 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas16 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | D4810N24TVFXPSA1 | - - - | ![]() | 3099 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | D4810N24 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2400 V | 1.078 V @ 4000 a | 200 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 4810a | - - - | |||||||||||||||
![]() | D5810N06TVFXPSA1 | 436.3100 | ![]() | 5051 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D5810N06 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 100 mA @ 600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 5800a | - - - | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | 19.9300 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | IDW40G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 210 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 590PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | SIDC14D60E6X1SA3 | - - - | ![]() | 6243 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC14D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 30 a | 27 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||
![]() | BAT6804WE6327BTSA1 | - - - | ![]() | 4328 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAT6804 | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 8v | 10ohm @ 5ma, 10 kHz | |||||||||||||||||
![]() | IDC40D120T6MX1SA4 | - - - | ![]() | 1449 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC40D120 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000301865 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 75 a | 14 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 75a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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