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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Aidk08S65C5atma1 | 5.9900 | ![]() | 195 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Coolsic ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Aidk08 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 448-AIDK08S65C5ATMA1CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 248PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Aidk12S65C5atma1 | 6.5400 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Coolsic ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Aidk12 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 12 a | 0 ns | 70 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 363PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | IDK20G120C5XTMA1 | 13.0300 | ![]() | 2890 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK20G120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 20 a | 123 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 56a | 1050pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | IDK16G120C5XTMA1 | 11.5600 | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK16G120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,95 V @ 16 a | 80 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40a | 730pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | DD250S65K3C1NPSA1 | 210.0000 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD250S65 | Standard | A-IHV130-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 6500 v | 250a (DC) | 3,5 V @ 250 a | 370 mA @ 3600 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||
![]() | IDW16G65C5FKSA1 | - - - | ![]() | 3069 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-3 | IDW16G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to247-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 16 a | 0 ns | 600 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 16a | 470pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | IDP08E65D2XKSA1 | 1.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Idp08e65 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 2,3 V @ 3 a | 40 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||
![]() | Idp15e65d1xksa1 | 1.7700 | ![]() | 8865 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | IDP15E65 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 a | 114 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||
![]() | BA892H6433XTMA1 | - - - | ![]() | 5929 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-80 | BA892 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BA89202VH6127XTSA1 | 0,5100 | ![]() | 76 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA89202 | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BA89202VH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA892 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BA89202VH6433XTMA1 | - - - | ![]() | 3281 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA892 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAR6305WH6327XTSA1 | 0,5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar6305 | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAR6306WH6327XTSA1 | 0,5400 | ![]() | 1135 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bar6306 | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | Bar6405WH6327XTSA1 | 0,4300 | ![]() | 8881 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bar6405 | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 20V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 150 v | 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAS1602WH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 6265 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-80 | BAS1602 | Standard | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BAS16SH6327XTSA1 | 0,4600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas16 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAS16SH6727XTSA1 | - - - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas16 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAS3005A02VH6327XTSA1 | 0,4500 | ![]() | 1085 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Bas3005 | Schottky | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 MV @ 500 mA | 300 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 15pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BAS4006WH6327XTSA1 | 0,4200 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas4006 | Schottky | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAS7004SH6327XTSA1 | 0,6200 | ![]() | 4802 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas7004 | Schottky | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAS7004SH6727XTSA1 | - - - | ![]() | 9980 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas7004 | Schottky | PG-SOT363-6-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | BAT1704WH6327XTSA1 | 0,4000 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bat1704 | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 0,75PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 4V | 15ohm @ 5ma, 10 kHz | ||||||||||||||||
![]() | BAT1705WH6327XTSA1 | 0,4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAT1705 | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 0,75PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Common Cathode | 4V | 15ohm @ 5ma, 10 kHz | ||||||||||||||||
![]() | BAT5402VH6327XTSA1 | 0,5300 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BAT5402 | Schottky | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAT6406WH6327XTSA1 | 0,5200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, BAT64 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAT6406 | Schottky | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 250 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAV99SH6327XTSA1 | 0,5000 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | PG-SOT363-6-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | Bav 99W H6433 | - - - | ![]() | 2353 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bav 99 | Standard | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | BAW56SH6727XTSA1 | - - - | ![]() | 2724 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAW56 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BB659H7902XTSA1 | - - - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-80 | BB659 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 14.7 | C1/C28 | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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