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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS16WE6327 | 0,0200 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bas16 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Standard | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C. | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | DDB6U100N16RBOSA1 | 67.6000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | Ag-Econo2a | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,55 V @ 100 a | 5 ma @ 1600 V | 150 ° C. | 104a | - - - | |||||||||||
![]() | DD800S17H4B2BOSA2 | 848.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD800S17 | Standard | AG-IHMB130-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1700 v | - - - | 2.1 V @ 800 a | 900 a @ 900 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | D2601NH90TXPSA1 | - - - | ![]() | 3824 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | D2601NH90 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 9000 v | 5,5 V @ 4000 a | 150 mA @ 9000 V | 0 ° C ~ 140 ° C. | 1790a | - - - | ||||||||||
![]() | D56S45CPRXPSA1 | - - - | ![]() | 8664 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | Zucht | D56S45C | Standard | BG-DSW272-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 4,5 V @ 320 a | 3,3 µs | 5 mA @ 4500 V | 125 ° C. | 102a | - - - | ||||||||||
![]() | PX3743DDQSM1382XUMA1 | - - - | ![]() | 3956 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Px3743dd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DZ435N40KS01HPSA1 | 539.9633 | ![]() | 5337 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DZ435N40 | Standard | BG-PB501-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4000 v | 50 mA @ 4000 V | 150 ° C (max) | 700a | - - - | |||||||||||
![]() | SIDC03D120F6X1SA1 | - - - | ![]() | 9824 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC03 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2.1 V @ 2 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
![]() | DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 | 100.1900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Ag-Easy1b-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,85 V @ 40 a | 116 µa @ 1200 V | 40 a | Einphase | 1,2 kv | ||||||||||||
![]() | Bat 54-06 B5003 | - - - | ![]() | 9548 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAT 54 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | BA 892-02V E6327 | - - - | ![]() | 8897 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA 892 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||
![]() | BAS21E6327HTSA1 | 0,4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 150 ° C (max) | 250 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | BAW101E6327HTSA1 | 0,1529 | ![]() | 3278 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BAW101 | Standard | PG-SOT-143-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 300 V | 250 Ma (DC) | 1,3 V @ 100 mA | 1 µs | 150 NA @ 250 V | 150 ° C (max) | |||||||||
![]() | DD435N28KHPSA1 | - - - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2800 v | 573a | 1,71 V @ 1200 a | 50 mA @ 2800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | 56DN06ELEMXPSA1 | - - - | ![]() | 6186 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | 56dn06 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 10000 a | 100 mA @ 600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 6400a | - - - | |||||||||||
![]() | IDC08S60CEX1SA3 | - - - | ![]() | 7021 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC08S60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000601232 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | D3001N60T | - - - | ![]() | 4243 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Do-200Ae | D3001N60 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000091186 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6000 v | 1,7 V @ 4000 a | 100 mA @ 6000 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 3910a | - - - | |||||||||
![]() | IDH12G65C5XKSA2 | 6.5300 | ![]() | 618 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | IDH12G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 12 a | 0 ns | 190 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 360pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
![]() | ND171N14KHPSA1 | - - - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND171N14 | Standard | BG-PB34-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 20 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 104a | - - - | |||||||||||
![]() | BAW56E6327 | - - - | ![]() | 5640 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | IDC04S60CEX1SA1 | - - - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC04S60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000599920 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 4 a | 0 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 130pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
![]() | IDH16G65C6XKSA1 | 6.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | IDH16G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,35 V @ 16 a | 0 ns | 53 µa @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34a | 783PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SDB20S30 | - - - | ![]() | 1640 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SDB20 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-3-45 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 300 V | 10a (DC) | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | BAT54B5000 | 0,0200 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bat54 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | DD104N08KAHPSA1 | - - - | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Standard | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 800 V | 104a | 1,4 V @ 300 a | 20 mA @ 800 V | 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | IDC08D120T6MX1SA2 | - - - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC08D120 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000301857 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 10 a | 2,7 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||
![]() | BAS70-04E6327 | 1.0000 | ![]() | 6830 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | D4810N24TVFXPSA1 | - - - | ![]() | 3099 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | D4810N24 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2400 V | 1.078 V @ 4000 a | 200 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 4810a | - - - | |||||||||||
![]() | D475N36BXPSA1 | - - - | ![]() | 1358 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | D475N3 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 3600 V | 40 mA @ 3600 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 475a | - - - | ||||||||||||
![]() | ND350N16KHPSA1 | - - - | ![]() | 3827 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND350N16 | Standard | BG-PB50ND-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 30 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 350a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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