SIC
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Dioden (1803)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Strom - Max Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Ausfluss @ if, f Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 100.1900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Standard Ag-Easy1b-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,85 V @ 40 a 116 µa @ 1200 V 40 a Einphase 1,2 kv
BAR 64-02V E6127 Infineon Technologies Bar 64-02V E6127 - - -
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 Bar 64 PG-SC79-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 16.000 100 ma 250 MW 0,35PF @ 20V, 1 MHz Pin - Single 150 v 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz
SIDC30D120H8X1SA4 Infineon Technologies SIDC30D120H8X1SA4 - - -
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben SIDC30D Standard Sägen auf Folie Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000491760 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,97 V @ 50 a 27 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 50a - - -
IDP45E60XKSA2 Infineon Technologies IDP45E60XKSA2 - - -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet IPD45 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 50
IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies IDH04G65C6XKSA1 2.5500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 IDH04G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,35 V @ 4 a 0 ns 14 µA @ 420 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a 205PF @ 1V, 1 MHz
IDH10S120AKSA1 Infineon Technologies IDH10S120AKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 IDH10S120 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 10 a 0 ns 240 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 500PF @ 1V, 1 MHz
BBY5102VH6327XTSA1 Infineon Technologies BBY5102VH6327XTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BBY51 PG-SC79-2-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 3.7pf @ 4V, 1 MHz Einzel 7 v 2.2 C1/C4 - - -
IDD04SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD04SG60CXTMA2 3.0300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IDD04SG60 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 2,3 V @ 4 a 0 ns 25 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 80pf @ 1V, 1 MHz
SIDC02D60C8F1SA1 Infineon Technologies SIDC02D60C8F1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 8239 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben SIDC02 Standard Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,95 V @ 6 a 27 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 6a - - -
DD350N18KHPSA1 Infineon Technologies DD350N18KHPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Chassis -berg Modul DD350N18 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1800 v 350a 1,28 V @ 1000 a 30 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAS70-05WH6327 Infineon Technologies BAS70-05WH6327 0,0800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bas70 Schottky PG-SOT323-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C.
IDW32G65C5BXKSA1 Infineon Technologies IDW32G65C5BXKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 240 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 16a (DC) 1,7 V @ 16 a 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
DD104N12KHPSA1 Infineon Technologies DD104N12KHPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 6768 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Chassis -berg Modul DD104N12 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 104a 1,4 V @ 300 a 20 mA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
D2201N45TXPSA1 Infineon Technologies D2201N45TXPSA1 969.6200
RFQ
 ECAD 3296 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200ad D2201N45 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v 1,2 V @ 2500 a 100 mA @ 4500 V -40 ° C ~ 140 ° C. 3250a - - -
D1131SH65TXPSA1 Infineon Technologies D1131SH65TXPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200Ae D1131SH65 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 6500 v 5.6 V @ 2500 a 150 mA @ 6500 V. 0 ° C ~ 140 ° C. 1100a - - -
AIDK08S65C5ATMA1 Infineon Technologies Aidk08S65C5atma1 5.9900
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Coolsic ™ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Aidk08 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-AIDK08S65C5ATMA1CT Ear99 8541.10.0080 1.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 8a 248PF @ 1V, 1 MHz
BAT64-06WH6327 Infineon Technologies BAT64-06WH6327 - - -
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bat64 Schottky PG-SOT323-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 120 Ma 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µa @ 30 V 150 ° C.
IDT10S60CHKSA1 Infineon Technologies IDT10S60CHKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7190 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet IDT10S60 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 500
IDC28D120T6MX1SA2 Infineon Technologies IDC28D120T6MX1SA2 - - -
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Sterben IDC28D120 Standard Sägen auf Folie Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000301861 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 2.05 V @ 50 a 10 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 50a - - -
BAS70-05B5000 Infineon Technologies BAS70-05B5000 0,0300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas70 Schottky PG-SOT23-3-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 100 na @ 50 V 150 ° C.
DD160N22KHPSA2 Infineon Technologies DD160N22KHPSA2 154.7400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon -technologien DD160N Tablett Aktiv Chassis -berg Modul Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 2200 v 172a 1,4 V @ 500 a 20 mA @ 2200 V 150 ° C.
BAS7002WH6327 Infineon Technologies BAS7002WH6327 1.0000
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-80 Schottky PG-SCD80-2 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 70 V 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C. 70 Ma 1,5PF @ 0V, 1 MHz
IRD3CH31DB6 Infineon Technologies IRD3CH31DB6 - - -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Sterben IRD3CH31 Standard Wafer Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001539694 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,7 V @ 50 a 240 ns 20 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 50a - - -
BAT1705WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT1705WH6327XTSA1 0,4000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAT1705 Pg-SOT323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 130 ma 150 MW 0,75PF @ 0V, 1 MHz Schottky - 1 Paar Common Cathode 4V 15ohm @ 5ma, 10 kHz
BAT 54-06 B5003 Infineon Technologies Bat 54-06 B5003 - - -
RFQ
 ECAD 9548 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAT 54 Schottky Pg-SOT23 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 200 Ma (DC) 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. 150 ° C (max)
BA 892-02V E6327 Infineon Technologies BA 892-02V E6327 - - -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BA 892 PG-SC79-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 100 ma 1.1PF @ 3V, 1 MHz Standard - Single 35 V 500mohm @ 10 mA, 100 MHz
BAS21E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS21E6327HTSA1 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas21 Standard Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. 150 ° C (max) 250 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
BAW101E6327HTSA1 Infineon Technologies BAW101E6327HTSA1 0,1529
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BAW101 Standard PG-SOT-143-3D Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 300 V 250 Ma (DC) 1,3 V @ 100 mA 1 µs 150 NA @ 250 V 150 ° C (max)
SIDC42D60E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC42D60E6X1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Sterben Sidc42d Standard Sägen auf Folie Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,25 V @ 100 a 27 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 100a - - -
DD435N28KHPSA1 Infineon Technologies DD435N28KHPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul Standard Modul Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 2800 v 573a 1,71 V @ 1200 a 50 mA @ 2800 V -40 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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