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Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAR6302WE6327 | - - - |  | 6842 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-80 | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | - - - | |||||||||||||||||
 | BAR6302VE6327 | 0,0400 | | 4841 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | - - - | |||||||||||||||||
 | BAS16-03WE6327 | 1.0000 | | 9038 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Bas16 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Bas16 | Standard | PG-SOD323-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C. | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
 | BB644E7904 | - - - | | 3744 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| BB66402VE7902 | - - - | | 3540 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 16.4 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
| BB664H7902 | 0,0500 | | 7818 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | SCD-80 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,750 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 16.4 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
 | BBY53-05WH6327 | 0,1500 | | 4292 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.750 | 3.1pf @ 3v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 6 v | 2.2 | C1/C3 | - - - | ||||||||||||||||
| BBY6605WE6327 | 0,1700 | | 14 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 13,5PF @ 4,5 V, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 12 v | 5.41 | C1/C4.5 | - - - | ||||||||||||||||
| BBY5806WE6327 | 0,1200 | | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.5PF @ 6v, 1 MHz | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 10 v | 3.5 | C1/C4 | - - - | ||||||||||||||||
| IDH10SG60C | 1.0000 | | 2192 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-2 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 2,1 V @ 10 a | 0 ns | 90 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 290pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| BA595E6327 | 0,0500 | | 1683 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.020 | 50 ma | 0,6PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | - - - | |||||||||||||||||||||
 | IDP15E65D1 | - - - | | 9156 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | PG-to220-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 a | 114 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||
| BBY5305WH6327XTSA1554 | 1.0000 | | 4257 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 3.1pf @ 3v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 6 v | 2.2 | C1/C3 | - - - | |||||||||||||||||||
 | BA885E6327 | 0,0800 | | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 ma | 0,6PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | - - - | |||||||||||||||||||||
| BAR65-03WE6327 | 0,0800 | | 54 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250 MW | 0,8PF @ 3V, 1 MHz | Pin - Single | 30V | 900mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||
 | DD250S65K3C1NPSA1 | 210.0000 | | 5021 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD250S65 | Standard | A-IHV130-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 6500 v | 250a (DC) | 3,5 V @ 250 a | 370 mA @ 3600 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||
| BAR63-02L UM | - - - | | 9172 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-bar63-02lum | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIDC14D60C8X1SA3 | - - - | | 6634 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC14D60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 50 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 50a | - - - | ||||||||||||||
 | BAW 56T E6327 | - - - | | 4348 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BAW 56 | Standard | PG-SC75-3D | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
 | BBY 56-02W E6327 | - - - | | 4051 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-80 | BBY 56 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 12.1pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 10 v | 3.3 | C1/C3 | - - - | ||||||||||||||||
 | BAV70WE6327BTSA1 | - - - | | 4089 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAV70 | Standard | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
 | D770N18TXPSA1 | - - - | | 5408 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | D770N | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 1,08 V @ 400 a | 30 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 770a | - - - | |||||||||||||||
 | Bar 88-02V E6327 | - - - | | 7232 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | Bar 88 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,4PF @ 1V, 1 MHz | Pin - Single | 80V | 600mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BAR63-06WH6327 | - - - | | 1329 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,261 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode | 50V | - - - | |||||||||||||||||
| PX3746HDNSM1386XTMA1 | - - - | | 9972 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX3746HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BA89202LE6327 | 0,0700 | | 38 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | PG-TSLP-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | BA 892-02L E6327 | - - - | | 8899 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | SOD-882 | BA 892 | PG-TSLP-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 45.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | D251K14BXPSA1 | - - - | | 3681 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | D251K | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 30 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 255a | - - - | ||||||||||||||||
| BBY53-05WE6327 | - - - | | 2238 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | 3.1pf @ 3v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 6 v | 2.2 | C1/C3 | - - - | ||||||||||||||||
 | BAS70-07E6433 | 0,1200 | | 137 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas70 | Schottky | PG-SOT143-4 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C. |
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