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Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BB659H7902 | 0,0300 |  | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 12.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 14.7 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
 | BB659C02VH7902XTSA1 | - - - | | 3432 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 15.3 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
 | BB831E7904 | - - - | | 9031 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-3d | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1,2PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 9.5 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
| BBY57-02VH6327 | 1.0000 | | 6401 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.5PF @ 4V, 1 MHz | Einzel | 10 v | 3.7 | C1/C4 | - - - | ||||||||||||||||
| BB69C-02V | - - - | | 6953 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| BBY55-02WH6327 | - - - | | 7076 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 6.5PF @ 10V, 1 MHz | Einzel | 16 v | 2.5 | C2/C10 | - - - | ||||||||||||||||
| BBY58-03WE6327 | 1.0000 | | 8622 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.5PF @ 6v, 1 MHz | Einzel | 10 v | 1.3 | C4/C6 | - - - | ||||||||||||||||
 | BBY58-02W E6327 | - - - | | 8025 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 43 | 5.5PF @ 6v, 1 MHz | Einzel | 10 v | 1.3 | C4/C6 | - - - | ||||||||||||||||
 | BBY5305WE6327 | 0,1200 | | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 3.1pf @ 3v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 6 v | 2.6 | C1/C3 | - - - | ||||||||||||||||
 | BBY5802LE6327 | 0,0900 | | 11 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | PG-TSLP-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 5.5PF @ 6v, 1 MHz | Einzel | 10 v | 1.3 | C4/C6 | - - - | ||||||||||||||||
| BAV70WH6433 | 0,0500 | | 659 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAV70 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 7,194 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
| BAR65-02VH6327 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | 100 ma | 250 MW | 0,8PF @ 3V, 1 MHz | Pin - Single | 30V | 900mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
| BAR63-03WE6433 | 0,0300 | | 2588 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | Bar6304WH6327 | 0,0600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,482 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | - - - | |||||||||||||||||
| BA892-02VE6327 | - - - | | 1487 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| BAT24-02LSE6327 | 0,5000 | | 121 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 Metrik) | PG-TSSLP-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 Ma | 100 MW | 0,23PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - Single | 4V | - - - | |||||||||||||||||
| BAT17-06WE6327 | 0,0700 | | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 0,75PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Gemeinsame -Anode | 4V | 15ohm @ 5ma, 10 kHz | |||||||||||||||||
| BAT17-04WH6327 | 0,0900 | | 33 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 0,7PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 4V | 15ohm @ 5ma, 1 MHz | |||||||||||||||||
| BAS40-05WH6327 | 0,0900 | | 169 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas40 | Schottky | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
 | BAW56E6433 | 0,0200 | | 110 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
| BA892E6770 | 0,0400 | | 5195 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-80 | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 6.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| DD750S65K3NOSA2 | - - - | | 2350 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BAR63-05E6327 | - - - | | 1808 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pg-SOT23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 50V | - - - | ||||||||||||||||||||
 | DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 | 132.7200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Ag-Easy1b-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,85 V @ 60 a | 174 µa @ 1200 V | 60 a | Einphase | 1,2 kv | ||||||||||||||||
| PX8847HDNG008XTMA1 | - - - | | 5006 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8847HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| PX8244HDMG008XTMA1 | - - - | | 6730 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8244HD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAT1704E6583HTSA1 | 0,0600 | | 21 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BAT1704E6583HTSA1-448 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ND171N16KHPSA2 | 172.6725 | | 4538 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Nd171n | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | ND171N16 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 1600 V | 150 ° C. | 171a | - - - | |||||||||||||||
| SIDC81D120F6YX1SA1 | - - - | | 9843 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Sidc81d | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| BAT60BE6359HTMA1 | 0,1325 | | 3517 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | PG-SOD323-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 10 v | 600 mv @ 1 a | 25 µa @ 8 V | 150 ° C. | 3a | 25pf @ 5v, 1 MHz |
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