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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT6307WH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 9299 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-82A, SOT-343 | Bat63 | Pg-sot343-3d | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 100 MW | 0,85PF @ 0,2 V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 3v | - - - | |||||||||||||||||
![]() | D2601N90TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 6854 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200Ae | D2601N90 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 9000 v | 100 mA @ 9000 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 3040a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BAT5404E6327HTSA1 | 0,5000 | ![]() | 154 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAT5404 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | SIDC30D120E6X1SA2 | - - - | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC30D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,9 V @ 35 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||||||
![]() | Glhuelse1627xpsa1 | 2.1400 | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | Glhuelse1627 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | BAR6405E6327HTSA1 | 0,3600 | ![]() | 4739 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar6405 | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 20V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 150 v | 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAS28E6327HTSA1 | 0,4900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas28 | Standard | PG-SOT-143-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | BAV99SE6433HTMA1 | - - - | ![]() | 7794 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | BAT6402WH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 6186 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, BAT64 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-80 | Bat64 | Schottky | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 120 Ma | 6PF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BAS7006WH6327XTSA1 | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas7006 | Schottky | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | DD350N08KHPSA1 | - - - | ![]() | 3991 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 800 V | 350a | 1,28 V @ 1000 a | 30 mA @ 800 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | IDL10G65C5XUMA1 | - - - | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | IDL10G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-VSON-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000941314 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 180 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 300PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | IDP1301GXUMA1 | - - - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | IDP1301 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000951208 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | D1030N22TPRXOSA1 | - - - | ![]() | 5999 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Do-200ab, B-Puk | D1030N22 | Standard | BG-D5726K-1 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP001651618 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2200 v | 1,11 V @ 1000 a | 40 mA @ 2200 V | 160 ° C (max) | 1030a | - - - | ||||||||||||||
![]() | DF75R12W1H4FB11BOMA1 | - - - | ![]() | 6611 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DF75R12 | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001080544 | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 800 mV @ 50 a | 100 µa @ 1,2 V | 50 a | Einphase | 1,2 v | |||||||||||||||
![]() | BB55502VH7912XTSA1 | - - - | ![]() | 4653 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB555 | PG-SC79-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 2.3pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 9.8 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | BAS28WH6327XTSA1 | 0,0884 | ![]() | 2184 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | Bas28 | Standard | PG-SOT343-4-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | FS3L50R07W2H3FB11BOMA1 | - - - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS3L50R07 | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000944582 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 2 V @ 30 a | 75 a | DRIPHASE | 650 V | ||||||||||||||||
![]() | FS3L30R07W2H3FB11BPSA1 | - - - | ![]() | 1879 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS3L50R07 | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000944592 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 2 V @ 30 a | 45 a | DRIPHASE | 650 V | ||||||||||||||||
![]() | BB85702VH7902XTSA1 | 0,1221 | ![]() | 3205 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB85702 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 0,52PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 12.7 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||||
![]() | BAT6302VH6327XTSA1 | 0,5500 | ![]() | 1108 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BAT6302 | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 100 MW | 0,85PF @ 0,2 V, 1 MHz | Schottky - Single | 3v | - - - | ||||||||||||||||
![]() | IDB10S60C | - - - | ![]() | 5674 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDB10 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-3-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 140 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 480pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | IDW40E65D1FKSA1 | 3.1200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | IDW40E65 | Standard | PG-to247-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 a | 129 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - - - | |||||||||||||
![]() | BAT6404E6433HTMA1 | 0,4700 | ![]() | 7149 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, BAT64 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAT6404 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 250 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
F43L50R07W2H3FB11BPSA1 | - - - | ![]() | 9196 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001395348 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDP40E65D2XKSA1 | 2.5600 | ![]() | 298 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | IDP40E65 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 2,3 V @ 40 a | 75 ns | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 40a | - - - | |||||||||||||
![]() | IDH03G65C5XKSA2 | 2.1100 | ![]() | 460 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-2 | IDH03G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 100pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAV170E6327HTSA1 | 0,4300 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV170 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 1,5 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
IDW20S120FKSA1 | - - - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 10a (DC) | 1,8 V @ 10 a | 240 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||
![]() | BAS12504WH6327XTSA1 | 0,7700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAS12504 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 25 v | 100 mA (DC) | 950 MV @ 35 mA | 150 NA @ 25 V. | 150 ° C (max) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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