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Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIDC20D60C6 | - - - |  | 6689 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC20D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000015086 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 75 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 75a | - - - | ||||
 | IDM10G120C5XTMA1 | 6.7900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IDM10G120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 a | 0 ns | 62 µa @ 12 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 38a | 29PF @ 800V, 1 MHz | ||||
| IDC51D120T6MX1SA3 | - - - | | 7807 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC51D120 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000375000 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 100 a | 18 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 100a | - - - | ||||
 | 46DN06B02ELEMPRXPSA1 | 287.0875 | | 2442 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | 46dn06 | Standard | BG-D-ELEM-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 980 mv @ 6000 a | 40 mA @ 600 V | 180 ° C (max) | 7740a | - - - | ||||||
| 65DN06B02ELEMPRXPSA1 | 616.8400 | | 1809 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200ab, B-Puk | 65dn06 | Standard | BG-D-ELEM-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 890 mv @ 8000 a | 100 mA @ 600 V | 180 ° C (max) | 15130a | - - - | ||||||
| 38dn06b02Elempprxpsa1 | 232.6450 | | 8747 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | DO-200AA, A-Puk | 38dn06 | Standard | BG-D-ELEM-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 960 mv @ 4500 a | 50 mA @ 600 V | 180 ° C (max) | 5140a | - - - | ||||||
| PX8143JDMG029XTMA1 | - - - | | 1713 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8143JD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| PX8847DDQG004XUMA1 | - - - | | 8634 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Px8847dd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| PX8240HDNG018XTMA1 | - - - | | 1527 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8240HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| PX8143HDMG008XTMA1 | - - - | | 6956 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8143HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| PX8847HDNG008XTMA1 | - - - | | 5006 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8847HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| PX8746HDNG008XTMA1 | - - - | | 8971 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8746HD | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 2266-PX8746HDNG008XTMA1 | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||
| PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1 | - - - | | 5409 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Px8560ed | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| PX8244HDMG008XTMA1 | - - - | | 6730 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8244HD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| Px8746jdng029xtma1 | - - - | | 8384 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | PX8746JD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | BAT1704E6583HTSA1 | 0,0600 | | 21 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BAT1704E6583HTSA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||
| DD1000S33HE3B60BOSA1 | 1.0000 | | 1600 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | AG-IHVB130-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 3300 v | 1000a (DC) | 3,85 V @ 1000 a | 1000 a @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
| SIDC81D120F6YX1SA1 | - - - | | 9843 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Sidc81d | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| SIGC121T120R2CSYX1SA1 | - - - | | 1659 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | SIGC121T120 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| SIGC156T120R2CSYX1SA1 | - - - | | 6642 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Sigc156t | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| SIDC56D120F6YX1SA1 | - - - | | 8578 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Sidc56d | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
| IDC51D120T6HX7SA1 | - - - | | 9812 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | IDC51D120 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
| ND171N16KHPSA2 | 172.6725 | | 4538 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Nd171n | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | ND171N16 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 1600 V | 150 ° C. | 171a | - - - | ||||||
| DD171N12KAHPSA2 | 191.5900 | | 2078 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Dd171n | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD171N12 | Standard | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 171a | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 1200 V | 150 ° C. | ||||||
| BAS40E8224HTMA1 | 0,5200 | | 20 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | BAS40E8224 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 10.000 | ||||||||||||||||||
 | BAT60BE6359HTMA1 | 0,1325 | | 3517 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | PG-SOD323-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 10 v | 600 mv @ 1 a | 25 µa @ 8 V | 150 ° C. | 3a | 25pf @ 5v, 1 MHz | ||||||
| D950N22TB01XPSA1 | - - - | | 6062 | 0.00000000 | Infineon -technologien | D950N | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Aa, Apuk | Standard | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2200 v | 1,12 V @ 650 a | 40 mA @ 2200 V | 180 ° C. | 1024a | - - - | ||||||||
| DD171N16KKKKHPSA1 | 160.0375 | | 6321 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | DD171N16 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 8 | ||||||||||||||||||||
| SIDC105D120H8X1SA1 | - - - | | 6907 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC105D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000978580 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,41 V @ 45 a | 27 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 200a | - - - | ||||
| SIDC06D120H8X1SA2 | - - - | | 7658 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC06D120 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000527596 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,97 V @ 7,5 a | 27 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - - - |
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