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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIDC08D120F6X1SA3 | - - - | ![]() | 7249 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC08 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2.1 V @ 7 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7a | - - - | ||||||||||||||
![]() | IDH06G65C5XKSA2 | 3.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | IDH06G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 110 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 190pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SIDC30D120F6X1SA2 | - - - | ![]() | 3311 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC30D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,1 V @ 35 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||||||
![]() | IDB30E60ATMA1 | 1.3066 | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDB30 | Standard | PG-to263-3-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 30 a | 126 ns | 50 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 52.3a | - - - | |||||||||||||
![]() | IDP12E120XKSA1 | 2.4400 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Idp12e120 | Standard | PG-to220-2-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,15 V @ 12 a | 150 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 28a | - - - | |||||||||||||
![]() | D1481N62TXPSA1 | - - - | ![]() | 1278 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D1481N62 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6200 v | 1,8 V @ 2500 a | 50 mA @ 6200 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 2200a | - - - | |||||||||||||||
![]() | DD261N22KHPSA1 | 186.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD261N22 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2200 v | 260a | 1,42 V @ 800 a | 40 mA @ 2200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | D1821SH45TPRXPSA1 | - - - | ![]() | 5626 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Do-200Ae | D1821SH45 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 3,6 V @ 2500 a | 150 mA @ 4500 V | 0 ° C ~ 140 ° C. | 2210a | - - - | ||||||||||||||
![]() | BAW101E6433 | 0,1100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BAW101 | Standard | SOT143 (SC-61) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.623 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 300 V | 250 Ma (DC) | 1,3 V @ 100 mA | 1 µs | 150 NA @ 250 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BAT 15-098LRH E6327 | - - - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | 4-xfdfn | FLEDERMAUS 15 | PG-TSLP-4-7 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 110 Ma | 100 MW | 0,35PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 2 Unabhängig | 4V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | IDL04G65C5XUMA2 | 2.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | IDL04G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-VSON-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 70 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 130pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | D452N18evfxpsa1 | - - - | ![]() | 1080 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | SCHAUBENHAUTERUNG | Nicht Standardmäßig | D452n | Standard | FL54 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 50 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 450a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | D970N04TXPSA1 | - - - | ![]() | 9842 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | DO-200AA, A-Puk | D970N0 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 970 mv @ 750 a | 20 mA @ 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 970a | - - - | |||||||||||||||
![]() | D1481N65TXPSA1 | - - - | ![]() | 9177 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D1481N65 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6500 v | 1,8 V @ 2500 a | 50 mA @ 6500 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 2200a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BAT64-04B5000 | 0,0300 | ![]() | 97 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat64 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 120 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | D1461S45TXPSA1 | 3.0000 | ![]() | 5902 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200, Variante | D1461S45 | Standard | BG-D10026K-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 mA @ 4500 V | -40 ° C ~ 140 ° C. | 1720a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DD340N18SHPSA1 | - - - | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB50SB-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 330a | 1 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 135 ° C. | |||||||||||||||||
![]() | BAS70-04B5000 | 0,0300 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | D2700U45x122xosa1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200Ae | D2700U45 | Standard | BG-D12026K-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 150 mA @ 4500 V | 140 ° C (max) | 2900a | - - - | |||||||||||||||
![]() | IDC51D120T6MX1SA3 | - - - | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC51D120 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000375000 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2.05 V @ 100 a | 18 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||
![]() | BAS28E6327HTSA1 | 0,4900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas28 | Standard | PG-SOT-143-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | SIDC30D120E6X1SA2 | - - - | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC30D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,9 V @ 35 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||||||
![]() | Bat165 | - - - | ![]() | 1062 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | PG-SOD323-2 | - - - | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 740 mv @ 750 mA | 150 ° C (max) | 750 Ma | 12pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | DD435N40KHPSA1 | 563.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD435N40 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 4000 v | 573a | 1,71 V @ 1200 a | 50 mA @ 4000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | BB659CH7912XTSA1 | - - - | ![]() | 2633 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-80 | BB659 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 15.3 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
![]() | D8320N02TVFXPSA1 | - - - | ![]() | 1170 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200ad | D8320N02 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 795 MV @ 4000 a | 100 mA @ 200 V | -25 ° C ~ 150 ° C. | 8320a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BAS12504WH6327XTSA1 | 0,7700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAS12504 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 25 v | 100 mA (DC) | 950 MV @ 35 mA | 150 NA @ 25 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
![]() | IDT06S60C | - - - | ![]() | 2374 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Thinq! ™ | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 80 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a (DC) | 280pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BB565 | 0,0500 | ![]() | 4656 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BB565 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16UE6327HTSA1 | 0,1129 | ![]() | 6965 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | Bas16 | Standard | PG-SC74-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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