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Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bar50-03WE6327 | 0,0400 |  | 36 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,4PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 4,5OHM @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||
 | BAR63-05WH6327 | - - - | | 7995 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 50V | - - - | |||||||||||||
 | BAR65-02VH6327 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | 100 ma | 250 MW | 0,8PF @ 3V, 1 MHz | Pin - Single | 30V | 900mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||
| BAR63-03WE6433 | 0,0300 | | 2588 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||
| Bar6304WH6327 | 0,0600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,482 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | - - - | |||||||||||||
 | BAL74E6327 | - - - | | 3017 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
| BA892-02VE6327 | - - - | | 1487 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||
| BAS52-02VH6327 | - - - | | 6815 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 µa @ 45 V | 150 ° C. | 750 Ma | 5pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||
 | BAS40-60B5000 | - - - | | 1118 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Bas40 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | |||||||||||||||||||||
| BAS3005B-02VH6327 | 0,0900 | | 275 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 620 MV @ 500 Ma | 25 µa @ 30 V | 150 ° C. | 500 mA | 6PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||
 | BAT24-02LSE6327 | 0,5000 | | 121 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 Metrik) | PG-TSSLP-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 Ma | 100 MW | 0,23PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - Single | 4V | - - - | |||||||||||||
| BAS70-05B5003 | 0,0300 | | 30 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||
 | BAT17-06WE6327 | 0,0700 | | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 0,75PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Gemeinsame -Anode | 4V | 15ohm @ 5ma, 10 kHz | |||||||||||||
| BAS3005A-02VE6327 | 0,0400 | | 4118 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 MV @ 500 mA | 300 µa @ 30 V | 150 ° C. | 500 mA | 10pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||
| BAS70-06B5003 | 0,0300 | | 60 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||
 | Bas70-5 | 1.0000 | | 9868 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Bas70 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | |||||||||||||||||||||
 | BAS7006B5003 | 0,0300 | | 30 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas7006 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||
| BAS70-04B5000 | 0,0300 | | 99 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150 ° C. | ||||||||||
| BAT17-04WH6327 | 0,0900 | | 33 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 ma | 150 MW | 0,7PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 4V | 15ohm @ 5ma, 1 MHz | |||||||||||||
| BAT1707E6327 | - - - | | 2036 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| BAS40-50B5003 | - - - | | 8439 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Bas40 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| BAS40-04B5000 | 1.0000 | | 6554 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||
 | BAS4007WH6327 | 0,1200 | | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | Bas4007 | Schottky | PG-SOT343-4 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||
| BAS4006WE6327 | 0,0300 | | 36 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas40 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||
 | BAS28E6327 | 1.0000 | | 7034 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas28 | Standard | PG-SOT-143-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 80 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||
| BAR6405WE6433 | 0,0300 | | 2222 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 20V, 1 MHz | Pin - Single | 150 v | 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||
| BAS40-06B5000 | 0,0300 | | 137 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 0 ns | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. | |||||||||
| BAS116E6327 | - - - | | 1619 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 1,5 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (max) | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | BAR6302WH6327 | - - - | | 9185 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-80 | SCD-80 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||
| BAS40-05WH6327 | 0,0900 | | 169 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas40 | Schottky | PG-SOT323-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 30 V | 150 ° C. |
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