- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (1803)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bat165 | - - - |  | 1062 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | PG-SOD323-2 | - - - | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 740 mv @ 750 mA | 150 ° C (max) | 750 Ma | 12pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||
 | DD340N18SHPSA1 | - - - | | 6190 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB50SB-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 330a | 1 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 135 ° C. | ||||||||||||||
| IRD3CH42DF6 | - - - | | 6322 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | IRD3CH42 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001539684 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | D1481N65TXPSA1 | - - - | | 9177 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D1481N65 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6500 v | 1,8 V @ 2500 a | 50 mA @ 6500 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 2200a | - - - | ||||||||||||
 | BAS12504WH6327XTSA1 | 0,7700 | | 28 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BAS12504 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 25 v | 100 mA (DC) | 950 MV @ 35 mA | 150 NA @ 25 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||
| BB565 | 0,0500 | | 4656 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BB565 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BAS1603WE6327HTSA1 | 0,4300 | | 47 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAS1603W | Standard | PG-SOD323-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | D1600U45X122XPSA1 | 2.0000 | | 8058 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200Ae | D1600U45 | Standard | BG-D12026K-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 4,3 V @ 2500 a | 150 mA @ 4500 V | 140 ° C (max) | 1560a | - - - | |||||||||||
 | BAS40-50B5003 | - - - | | 8439 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Bas40 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| IDC08S120EX7SA1 | - - - | | 5005 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC08S120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sägen auf Folie | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001155260 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 7,5 a | 0 ns | 180 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | 380PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
| SIDC02D60F6X1SA1 | - - - | | 4335 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC02 | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 3 a | 27 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
 | DZ1100N22KTIMHPSA1 | 673.1900 | | 8430 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DZ1100 | Standard | BG-PB70AT-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2200 v | 1.11 V @ 3000 a | 80 mA @ 2200 V | 150 ° C (max) | 1100a | - - - | |||||||||||
 | 46DN06B02ELEMPRXPSA1 | 287.0875 | | 2442 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | 46dn06 | Standard | BG-D-ELEM-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 980 mv @ 6000 a | 40 mA @ 600 V | 180 ° C (max) | 7740a | - - - | ||||||||||||
| IDC05S60CEX1SA1 | - - - | | 8571 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | IDC05S60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000599924 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 5 a | 0 ns | 70 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 240pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
| D1251S45TXPSA1 | 2.0000 | | 8488 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D1251S45 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 2,5 V @ 2500 a | 80 mA @ 4500 V | -40 ° C ~ 140 ° C. | 1530a | - - - | |||||||||||
| DD89N12KAHPSA1 | - - - | | 8254 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Standard | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 89a | 1,5 V @ 300 a | 20 mA @ 1200 V | 150 ° C. | |||||||||||||
 | BAT6404E6327HTSA1 | 0,5200 | | 8289 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, BAT64 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAT6404 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 250 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
 | DD100N16SHPSA1 | 29.6800 | | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD100N16 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 130a | |||||||||||||||
| GATELEADWHRD762XPSA1 | 29.6100 | | 6916 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | GATELEADWHRD762 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
 | IDL08G65C5XUMA1 | - - - | | 5916 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | IDL08G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-VSON-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000941312 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 140 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 250pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
| IDT05S60CHKSA1 | - - - | | 6756 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | IDT05S60 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||||||||||
 | DD180N18SHPSA1 | - - - | | 7317 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB34SB-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 226a | 1 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 135 ° C. | ||||||||||||||
 | BAS1602VH6327XTSA1 | 0,4300 | | 69 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BAS1602 | Standard | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
| Bav 199 B6327 | - - - | | 6048 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bav 199 | Standard | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 30.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 80 v | 200 ma | 1,25 V @ 150 mA | 1,5 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
 | BB659CH7903XTMA1 | - - - | | 1024 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-80 | BB659 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 2.75PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 15.3 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||
 | D471N85TXPSA1 | - - - | | 8864 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200ab, B-Puk | D471N85 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 8500 v | 3,2 V @ 1200 a | 50 mA @ 8500 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 760a | - - - | ||||||||||||
| IDL10G65C5XUMA2 | 5.3900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | IDL10G65 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-VSON-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 180 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 300PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
| DD82S08KKHPSA1 | - - - | | 1481 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 800 V | 96a | 1,55 V @ 300 a | 40 mA @ 800 V | 150 ° C. | |||||||||||||
 | D56U45CXPSA1 | - - - | | 5794 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Bolzenhalterung | - - - | D56U45C | Standard | BG-DSW272-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000097382 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 4,5 V @ 320 a | 3,3 µs | 5 mA @ 4500 V | 125 ° C (max) | 102a | - - - | ||||||||||
| DD241S14KHPSA1 | - - - | | 6248 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1400 v | 240a | 1,55 V @ 800 a | 200 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)