SIC
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Dioden (1803)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
IDW40G120C5BFKSA1 Infineon Technologies IDW40G120C5BFKSA1 24.3200
RFQ
 ECAD 863 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 IDW40G120 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 55a (DC) 1,65 V @ 20 a 166 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
IDH10SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH10SG60CXKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 6781 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-2 IDH10SG60 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 2,1 V @ 10 a 0 ns 90 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 290pf @ 1V, 1 MHz
SIDC14D60C8X1SA1 Infineon Technologies SIDC14D60C8X1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben SIDC14D60 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,9 V @ 50 a 27 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 50a - - -
BAS28 Infineon Technologies Bas28 0,0300
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv Bas28 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-Bas28 Ear99 8541.10.0070 3.000
IDW15E65D2 Infineon Technologies IDW15E65D2 1.2000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-3 Standard PG-to247-3-1 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 650 V 2,3 V @ 15 a 47 ns 40 µa @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
D740N36TXPSA1 Infineon Technologies D740N36TXPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Do-200ab, B-Puk D740N36 Standard - - - Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 3600 V 1,45 V @ 700 a 70 mA @ 3600 V -40 ° C ~ 160 ° C. 750a - - -
MMBD914LT1 Infineon Technologies MMBD914LT1 1.0000
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Standard SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µa @ 75 V 200 ma 4PF @ 0V, 1MHz
SIDC14D60F6X7SA1 Infineon Technologies SIDC14D60F6X7SA1 - - -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Sterben SIDC14D60 Standard Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,6 V @ 45 a 27 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 45a - - -
ND175N34KHPSA1 Infineon Technologies ND175N34KHPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Nd175n - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 3
D6001N50TXPSA1 Infineon Technologies D6001N50TXPSA1 3.0000
RFQ
 ECAD 8428 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200Ae D6001N50 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 5000 v 1,3 V @ 6000 a 400 mA @ 5000 V -40 ° C ~ 160 ° C. 8010a - - -
BAT64-05B5000 Infineon Technologies BAT64-05B5000 - - -
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat64 Schottky PG-SOT23-3-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 120 Ma 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µa @ 30 V 150 ° C.
IDB12E120ATMA1 Infineon Technologies IDB12E120ATMA1 - - -
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IDB12 Standard PG-to263-3-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,15 V @ 12 a 150 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 28a - - -
BAS5202VH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS5202VH6327XTSA1 0,4100
RFQ
 ECAD 660 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BAS5202 Schottky PG-SC79-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 600 MV @ 200 Ma 10 µa @ 45 V 150 ° C (max) 750 Ma 10pf @ 10v, 1 MHz
BAV99UE6327 Infineon Technologies BAV99UE6327 - - -
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 BAV99 Standard PG-SC74-6 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Paar Serie Verbindung 80 v 200 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 150 NA @ 70 V 150 ° C (max)
DD171N12KAHPSA2 Infineon Technologies DD171N12KAHPSA2 191.5900
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 Infineon -technologien Dd171n Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DD171N12 Standard - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 171a 1,26 V @ 500 a 20 mA @ 1200 V 150 ° C.
BAS40-02LE6327 Infineon Technologies BAS40-02LE6327 - - -
RFQ
 ECAD 8926 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOD-882 Bas40 Schottky PG-TSLP-2-1 Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 1 V @ 40 mA 1 µa @ 30 V 150 ° C. 120 Ma 3PF @ 0V, 1MHz
IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL02G65C5XUMA1 - - -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung 4-Powertsfn IDL02G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-VSON-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 2 a 0 ns 35 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 70pf @ 1v, 1 MHz
BAS40E6433 Infineon Technologies BAS40E6433 0,0700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 1 V @ 40 mA 100 ps 1 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
IDB23E60ATMA1 Infineon Technologies IDB23E60ATMA1 - - -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IDB23 Standard PG-to263-3-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 23 a 120 ns 50 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 41a - - -
IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH03G65C5XKSA2 2.1100
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Nicht für Designs K. Loch To-220-2 IDH03G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 3 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 100pf @ 1v, 1 MHz
D1821SH45TS05XOSA1 Infineon Technologies D1821SH45TS05XOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Do-200, Variante D1821SH45 Standard BG-D10026K-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001303724 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v - - - 1710a - - -
DZ435N36KHPSA1 Infineon Technologies DZ435N36KHPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 5720 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Abgebrochen bei Sic Chassis -berg Modul DZ435N36 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 3600 V 1,71 V @ 1200 a 50 mA @ 3600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 700a - - -
DD220N16SHPSA1 Infineon Technologies DD220N16SHPSA1 54.5900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DD220N16 Standard BG-PB34SB-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1600 v 273a 1,39 V @ 500 a 1 ma @ 1600 V 150 ° C (max)
DD1200S17H4B2BOSA2 Infineon Technologies DD1200S17H4B2BOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DD1200 Standard AG-IHMB130-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1700 v - - - 2,1 V @ 1200 a 1250 a @ 900 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAS3005B-02VH6327 Infineon Technologies BAS3005B-02VH6327 0,0900
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 Schottky PG-SC79-2-1 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 620 MV @ 500 Ma 25 µa @ 30 V 150 ° C. 500 mA 6PF @ 5V, 1 MHz
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Infineon Technologies DD1200S33KL2CB5NOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Chassis -berg Block, 4 Blei Standard Modul Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000100628 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 3300 v 1200A (DC) 3,5 V @ 1200 a 1700 A @ 1800 V. -40 ° C ~ 125 ° C.
BAS 16-02W E6327 Infineon Technologies BAS 16-02W E6327 - - -
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-80 Bas16 Standard SCD-80 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 80 v 1,25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 V 150 ° C (max) 200 ma 2PF @ 0V, 1MHz
IDB45E60ATMA1 Infineon Technologies IDB45E60ATMA1 - - -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IDB45 Standard PG-to263-3-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 45 a 140 ns 50 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 71a - - -
BAT54-05WH6327 Infineon Technologies BAT54-05WH6327 0,0700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky PG-SOT323-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 200 Ma (DC) 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. 150 ° C.
IDP1301GXUMA1 Infineon Technologies IDP1301GXUMA1 - - -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 Infineon -technologien * Band & Rollen (TR) Aktiv IDP1301 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000951208 Ear99 8541.10.0080 1.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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