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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D1461S45TXPSA2 | - - - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | Chassis -berg | Do-200, Variante | D1461S45 | Standard | BG-D10026K-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000096651 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 mA @ 4500 V | -40 ° C ~ 140 ° C. | 1720a | - - - | ||||||||||||
![]() | D1600U45X122XPSA1 | 2.0000 | ![]() | 8058 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200Ae | D1600U45 | Standard | BG-D12026K-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 4,3 V @ 2500 a | 150 mA @ 4500 V | 140 ° C (max) | 1560a | - - - | |||||||||||
![]() | D2200N20TVFXPSA1 | 366.6775 | ![]() | 5299 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Lets Kaufen | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | D2200N20 | Standard | BG-D7526K0-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 150 mA @ 2000 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 2200a | - - - | |||||||||||||
![]() | DD180N18SHPSA1 | - - - | ![]() | 7317 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB34SB-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 226a | 1 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 135 ° C. | ||||||||||||||
![]() | DD180N20SHPSA1 | - - - | ![]() | 2167 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB34SB-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 2000 v | 226a | 1 ma @ 2000 v | -40 ° C ~ 135 ° C. | |||||||||||||
![]() | DD340N18SHPSA1 | - - - | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | BG-PB50SB-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 330a | 1 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 135 ° C. | ||||||||||||||
![]() | DD800S45KL3B5NPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD800S45 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | - - - | 2 Unabhängig | 4500 v | 800A (DC) | 3.1 V @ 800 a | 1000 a @ 2800 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||
![]() | DDB6U104N16RRB37BOSA1 | - - - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | Ddb6u104 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 10 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U180N16RRPB37BPSA1 | 185.9900 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 2 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DDB6U180 | Standard | AG-ECONO2-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 2,15 V @ 50 a | 1 ma @ 1600 V | 50 a | DRIPHASE | 1,6 kv | ||||||||||||
![]() | GATELEAD28133HPSA1 | 20.8400 | ![]() | 4090 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Tablett | Aktiv | GATELEAD28133 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ND104N16KHPSA1 | - - - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND104N16 | Standard | BG-PB20-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 20 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 104a | - - - | ||||||||||||
![]() | ND104N18KHPSA1 | - - - | ![]() | 3822 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND104N18 | Standard | BG-PB20-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 20 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 104a | - - - | ||||||||||||
![]() | ND171N12KHPSA1 | - - - | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND171N12 | Standard | BG-PB34-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 20 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 171a | - - - | ||||||||||||
![]() | ND171N18KHPSA1 | - - - | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND171N18 | Standard | BG-PB34-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 20 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 171a | - - - | ||||||||||||
![]() | ND175N34KHPSA1 | - - - | ![]() | 9954 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Nd175n | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 3 | |||||||||||||||||||||||
![]() | ND241S14KHPSA1 | - - - | ![]() | 7186 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND241s | Standard | BG-PB50ND-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 200 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 261a | - - - | |||||||||||||
![]() | 38DN68S02Elemxpsa1 | - - - | ![]() | 1283 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | 38dn68 | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000362158 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||
![]() | D1821SH45TS05XOSA1 | - - - | ![]() | 4105 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200, Variante | D1821SH45 | Standard | BG-D10026K-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001303724 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | - - - | 1710a | - - - | |||||||||||||
![]() | D56U45CXPSA1 | - - - | ![]() | 5794 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Bolzenhalterung | - - - | D56U45C | Standard | BG-DSW272-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000097382 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 4,5 V @ 320 a | 3,3 µs | 5 mA @ 4500 V | 125 ° C (max) | 102a | - - - | ||||||||||
![]() | 21DN02S01EVOPRXPSA1 | - - - | ![]() | 2433 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | 21dn02 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000541810 | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||
![]() | 56dn06LemevMitPrxpsa1 | - - - | ![]() | 3560 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Do-200ab, B-Puk | 56dn06 | Standard | E-EUPEC-0 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000961310 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 10000 a | 100 mA @ 600 V | 180 ° C (max) | 6400a | - - - | |||||||||||
![]() | ND171N08KHPSA1 | - - - | ![]() | 5160 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Nd171n | Standard | BG-PB34-1 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000539950 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 800 V | 150 ° C (max) | 171a | - - - | |||||||||||
![]() | TZ800N18KS05HPSA1 | - - - | ![]() | 9055 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | TZ800n | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP001692500 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IDWD10G120C5XKSA1 | 9.0000 | ![]() | 3811 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | IDWD10 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,65 V @ 10 a | 0 ns | 80 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34a | 730pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | IDT10S60C | 3.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Thinq! ™ | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 140 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a (DC) | 480pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | IDT06S60C | - - - | ![]() | 2374 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Thinq! ™ | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to220-2-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 80 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a (DC) | 280pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BB 844 E6327 | - - - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 13pf @ 8v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 18 v | 3.8 | C2/C8 | - - - | |||||||||||||
![]() | BB565H7902 | 0,0400 | ![]() | 8075 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | SCD-80 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 784 | 2.2pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 11 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||
![]() | BB535E7904 | 0,0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | PG-SOD323-3d | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | 2.3pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 9.8 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||
![]() | BB659H7902 | 0,0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-80 | PG-SCD80-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 12.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 14.7 | C1/C28 | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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