SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Strom - Max Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Ausfluss @ if, f Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
BB804SF2E6327 Infineon Technologies BB804SF2E6327 0,0400
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Pg-SOT23 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 47,5PF @ 2V, 1 MHz 1 Paar Gemeinsamer Kathode 18 v 1.71 C2/C8 200 @ 2V, 100 MHz
BAS4006WE6327 Infineon Technologies BAS4006WE6327 0,0300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bas40 Schottky SOT-323 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 120 Ma (DC) 1 V @ 40 mA 100 ps 1 µa @ 30 V 150 ° C (max)
IDW40G65C5B Infineon Technologies IDW40G65C5B - - -
RFQ
ECAD 1531 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to247-3-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 20a (DC) 1,7 V @ 20 a 0 ns 210 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BB857H7902XTSA1 Infineon Technologies BB857H7902XTSA1 - - -
RFQ
ECAD 2845 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-80 BB857 SCD-80 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 0,52PF @ 28V, 1 MHz Einzel 30 v 12.7 C1/C28 - - -
BAR 63-06W H6327 Infineon Technologies Bar 63-06W H6327 - - -
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 SOT-323 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 3.000 100 ma 250 MW 0,3PF @ 5V, 1 MHz Pin - 1 Paar -Gemeinsame -Anode 50V 1ohm @ 10 mA, 100 MHz
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon Technologies BAR6402ELE6327XTMA1 0,4100
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) 0402 (1006 Metrik) Bar6402 PG-TSLP-2-19 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 15.000 100 ma 250 MW 0,35PF @ 20V, 1 MHz Pin - Single 150 v 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz
BAR8802LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies Bar8802lrhe6327XTSA1 - - -
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) SOD-882 Bar88 PG-TSLP-2-7 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 15.000 100 ma 250 MW 0,4PF @ 1V, 1 MHz Pin - Single 80V 600mohm @ 10 mA, 100 MHz
IDH09SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH09SG60CXKSA2 4.0156
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Lets Kaufen K. Loch To-220-2 IDH09SG60 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 2.1 V @ 9 a 0 ns 80 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 280pf @ 1V, 1 MHz
GLHUELSE1627XPSA1 Infineon Technologies Glhuelse1627xpsa1 2.1400
RFQ
ECAD 9752 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - - - - Glhuelse1627 - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - - - - - - - - - -
IDH03SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH03SG60CXKSA1 - - -
RFQ
ECAD 9127 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-2 IDH03SG60 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 2,3 V @ 3 a 0 ns 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 60pf @ 1V, 1 MHz
IDW40E65D1FKSA1 Infineon Technologies IDW40E65D1FKSA1 3.1200
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 IDW40E65 Standard PG-to247-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 650 V 1,7 V @ 40 a 129 ns 40 µa @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 80a - - -
BAS28E6433HTMA1 Infineon Technologies BAS28E6433HTMA1 0,1041
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa Bas28 Standard PG-SOT-143-3D Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 80 v 200 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 75 V 150 ° C (max)
IDP09E120XKSA1 Infineon Technologies IDP09E120XKSA1 0,7700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Standard PG-to220-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,15 V @ 9 a 140 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 23a - - -
IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW20G65C5XKSA1 9.0900
RFQ
ECAD 162 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 IDW20G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to247-3-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 20 a 0 ns 210 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 590PF @ 1V, 1 MHz
IRD3CH101DF6 Infineon Technologies IRD3CH101DF6 - - -
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet IRD3CH101 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001539704 Ear99 8541.10.0080 1
IDC73D120T6MX1SA2 Infineon Technologies IDC73D120T6MX1SA2 - - -
RFQ
ECAD 8525 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Sterben IDC73D120 Standard Sägen auf Folie Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000374980 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 2.05 V @ 150 a 26 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 150a - - -
SDT04S60 Infineon Technologies SDT04S60 - - -
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 SDT04S SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 1,9 V @ 4 a 0 ns 200 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 150pf @ 0v, 1 MHz
D1800N43TVFXPSA1 Infineon Technologies D1800N43TVFXPSA1 584.1325
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200AC, K-Puk D1800N43 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4300 v 1,32 V @ 1500 a 100 mA @ 4300 V -40 ° C ~ 160 ° C. 1800a - - -
IDP15E60XKSA1 Infineon Technologies IDP15E60XKSA1 1.2031
RFQ
ECAD 7436 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Lets Kaufen K. Loch To-220-2 IDP15 Standard PG-to220-2-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 15 a 87 ns 50 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 29.2a - - -
IDL06G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL06G65C5XUMA1 - - -
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung 4-Powertsfn IDL06G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-VSON-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000941310 Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 110 µa @ 650 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 190pf @ 1v, 1 MHz
IDDD08G65C6XTMA1 Infineon Technologies IDDD08G65C6XTMA1 4.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 10-Power-Modul IDDD08 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-HDSOP-10-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.700 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 0 ns 27 µA @ 420 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 401PF @ 1V, 1 MHz
IDD15E60BUMA1 Infineon Technologies IDD15E60BUMA1 - - -
RFQ
ECAD 6467 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IDD15E60 Standard PG-to252-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000065684 Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 15 a 87 ns 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 29.2a
BAS40-04B5000 Infineon Technologies BAS40-04B5000 1.0000
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky Pg-SOT23 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 40 v 120 Ma (DC) 1 V @ 40 mA 1 µa @ 30 V 150 ° C.
DD261N22KHPSA1 Infineon Technologies DD261N22KHPSA1 186.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Modul DD261N22 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 2200 v 260a 1,42 V @ 800 a 40 mA @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
D1821SH45TPRXPSA1 Infineon Technologies D1821SH45TPRXPSA1 - - -
RFQ
ECAD 5626 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet Chassis -berg Do-200Ae D1821SH45 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v 3,6 V @ 2500 a 150 mA @ 4500 V 0 ° C ~ 140 ° C. 2210a - - -
BAW101E6433 Infineon Technologies BAW101E6433 0,1100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BAW101 Standard SOT143 (SC-61) Herunterladen Ear99 8541.10.0070 2.623 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 300 V 250 Ma (DC) 1,3 V @ 100 mA 1 µs 150 NA @ 250 V 150 ° C.
SIDC30D120F6X1SA2 Infineon Technologies SIDC30D120F6X1SA2 - - -
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Sterben SIDC30D Standard Sägen auf Folie Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,1 V @ 35 a 27 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 35a - - -
SIDC08D120F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC08D120F6X1SA3 - - -
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Sterben SIDC08 Standard Sägen auf Folie Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 2.1 V @ 7 a 27 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 7a - - -
D1481N62TXPSA1 Infineon Technologies D1481N62TXPSA1 - - -
RFQ
ECAD 1278 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Do-200AC, K-Puk D1481N62 Standard - - - Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 6200 v 1,8 V @ 2500 a 50 mA @ 6200 V -40 ° C ~ 160 ° C. 2200a - - -
IDH06G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH06G65C5XKSA2 3.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 IDH06G65 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 110 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 190pf @ 1v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus