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Dioden(48)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Montageart | Paket/Koffer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P3D06020I2 | 8.8400 |  | 9682 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220I-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220I-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06020I2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 35A | ||||||
 | P3D06020T2 | 8.8400 | | 2609 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | - | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06020T2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,6 V bei 20 A | 0 ns | 100 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 45A | 904 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | P3D12020G2 | 12.4100 | | 4772 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-263-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12020G2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 60 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 49A | ||||||
 | P3D12005K2 | 4.5000 | | 6239 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12005K2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 44 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 23A | ||||||
 | P3D06008E2 | 3.3300 | | 2523 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-252-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06008E2TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 36 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 22A | ||||
 | P3D12020K3 | 12.4100 | | 1272 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12020K3 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 70A | ||||||
 | P3D06002T2 | 2.1000 | | 5217 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06002T2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 10 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 6A | ||||||
 | P3D06006T2 | 2.5000 | | 2115 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06006T2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 30 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 23A | ||||||
 | P3D12020K2 | 12.4100 | | 5644 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12020K2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 60 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 51A | ||||||
 | P3D06004G2 | 2.1000 | | 6325 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-263-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06004G2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 20 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 14A | ||||||
 | P3D12010K3 | 6.5400 | | 3747 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12010K3 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 44 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 46A | ||||||
 | P3D06010F2 | 4.1600 | | 5570 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220F-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06010F2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 44 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 21A | ||||||
 | P3D06010G2 | 4.1600 | | 5972 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-263-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06010G2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 44 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 30A | ||||||
 | P3D06006F2 | 2.5000 | | 2548 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220F-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06006F2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 30 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 15A | ||||||
 | P3D06010E2 | 4.1600 | | 8153 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-252-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06010E2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 44 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 28A | ||||||
 | P3D06004T2 | 2.1000 | | 2096 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06004T2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 20 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 15A | ||||||
 | P3D06008F2 | 3.3300 | | 6959 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220F-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06008F2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 36 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 18A | ||||||
 | P3D06040K3 | 13.8400 | | 2820 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P6D | Rohr | Aktiv | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06040K3 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 100 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 106A | ||||||
 | P3D06002G2 | 2.1000 | | 4224 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-263-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06002G2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 10 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 7A | ||||||
 | P3D06006I2 | 2.5000 | | 8790 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220I-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220I-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06006I2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 30 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 18A | ||||||
 | P3D06020F2 | 8.8400 | | 7762 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220F-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06020F2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 29A | ||||||
 | P3D06006G2 | 2.5000 | | 3063 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-263-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06006G2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 30 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 21A | ||||||
 | P3D12030K2 | 14.9200 | | 2635 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12030K2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 65 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 57A | ||||||
 | P3D06008I2 | 3.3300 | | 4460 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220I-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220I-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06008I2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 36 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 21A | ||||||
 | P3D06020P3 | 8.8400 | | 6681 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-3PF-3 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06020P3 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 44 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 40A | |||||||
 | P3D12005E2 | 4.5000 | | 1816 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-252-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12005E2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 44 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 19A | ||||||
 | P3D06004E2 | 2.1000 | | 8434 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-252-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06004E2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 20 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 12A | ||||||
 | P6D12002E2 | 2.6900 | | 9835 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P6D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-252-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P6D12002E2TR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 8A | ||||||
 | P3D12020GS | 12.4100 | | 9668 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Tape & Reel (TR) | Aktiv | TO-263S | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263S | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D12020GSTR | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 60 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 50A | ||||||
 | P3D06016I2 | 7.7800 | | 2155 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3D | Rohr | Aktiv | TO-220I-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220I-2 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3D06016I2 | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 0 ns | 45 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 28A |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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