SIC
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Dioden (2089)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MBR50020CT GeneSiC Semiconductor MBR50020CT - - -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR50020CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT30020R GeneSiC Semiconductor MBRT30020R 107.3070
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT30020 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT30020Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 20 v 150a 750 MV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR30045CTL GeneSiC Semiconductor MBR30045CTL - - -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 150a 600 mv @ 150 a 5 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor Mur2x030a02 36.7500
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Mur2x030 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1305 Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 200 v 30a 1 V @ 30 a 60 ns 25 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 175 ° C.
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3209R Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3209Rgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,5 V @ 15 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
FR20DR02 GeneSiC Semiconductor FR20DR02 9.3555
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR20DR02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µa @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 20a - - -
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT60080 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60080Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 300a 880 mv @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT20080 GeneSiC Semiconductor MBRT20080 98.8155
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT20080GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR40DR02 GeneSiC Semiconductor FR40DR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR40DR02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 40a - - -
MBRT30030L GeneSiC Semiconductor MBRT30030L - - -
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 150a 580 mv @ 150 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3893R GeneSiC Semiconductor 1N3893R 9.3600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3893R Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
MBRTA60040L GeneSiC Semiconductor MBRTA60040L - - -
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 300a 600 mv @ 300 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT60030 GeneSiC Semiconductor MBRT60030 140.2020
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT60030GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 300a 750 MV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 GC50MPS06 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1346 Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 0 ns 175 ° C (max) 50a - - -
MBR6080R GeneSiC Semiconductor MBR6080R 21.3105
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR6080 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR6080Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 80 v 840 mv @ 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
MBRH24045 GeneSiC Semiconductor MBRH24045 76.4925
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 720 MV @ 240 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C. 240a - - -
MBR2X100A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A060 50.2485
RFQ
 ECAD 3572 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X100 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 60 v 100a 750 mV @ 100 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C.
M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor M3P75A-120 - - -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 5-SMD-Modul Standard 5-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 1,15 V @ 75 a 10 µa @ 1200 V 75 a DRIPHASE 1,2 kv
GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 8.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 GC2X8 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-1327 Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 40a (DC) 1,8 V @ 8 a 0 ns 7 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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