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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GKN130/16 | 35.3677 | ![]() | 6548 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | GKN130 | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,5 V @ 60 a | 22 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 165a | - - - | |||||||||
![]() | 1N1202A | 4.2345 | ![]() | 8639 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1202 | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1042 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 12 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - - - | ||||||||
![]() | GAP3SLT33-214 | 10.7600 | ![]() | 1119 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | Sic Schottky MPS ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | GAP3SLT33 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Do-214aa | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 3300 v | 2,2 V @ 300 mA | 0 ns | 10 µA @ 3300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | 42pf @ 1v, 1 MHz | |||||||
![]() | MSRT25080A | 54.2296 | ![]() | 1580 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MSRT25080 | Standard | Drei -Turf | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 800 V | 250a (DC) | 1,2 V @ 250 a | 15 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MUR10040CT | 75.1110 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Twin Tower | MUR10040 | Standard | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MUR10040CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 50a | 1,3 V @ 50 a | 90 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
1N8035-ga | - - - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-276aa | 1N8035 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-276 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 15 a | 0 ns | 5 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 250 ° C. | 14.6a | 1107PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBRTA80035R | - - - | ![]() | 6887 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 35 V | 400a | 720 MV @ 400 a | 1 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | FR30KR05 | 10.5930 | ![]() | 4390 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR30KR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1 V @ 30 a | 500 ns | 25 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 30a | - - - | ||||||||
![]() | Murt10005 | - - - | ![]() | 8545 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Murt10005gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 50a | 1,3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | MBR6035R | 21.3105 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR6035 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR6035Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 650 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - - - | ||||||||
![]() | Msrta30060d | 159.9075 | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | MSRTA300 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1242-msrta30060d | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 600 V | 300a | 1,1 V @ 300 a | 20 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MBRTA800100 | - - - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 400a | 840 mv @ 400 a | 1 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | GBU6M | 0,5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Gbu6mgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 6 a | 5 µA @ 1000 V | 6 a | Einphase | 1 kv | |||||||||
![]() | 150K100A | 35.5695 | ![]() | 8311 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | 150K100 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 150K100AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,33 V @ 150 a | 24 mA @ 1000 v | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | ||||||||
![]() | Murt40005r | - - - | ![]() | 3577 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Murt40005Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 v | 200a | 1,3 V @ 200 a | 125 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | MSRT150140D | 98.8155 | ![]() | 9637 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MSRT150 | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1242-MSRT150140D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1400 v | 150a | 1,1 V @ 150 a | 10 µa @ 1400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MBRH30035L | - - - | ![]() | 7289 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D-67 | Schottky | D-67 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 600 mv @ 300 a | 3 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 300a | - - - | |||||||||||
![]() | MBRT60040RL | - - - | ![]() | 4824 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 300a | 600 mv @ 300 a | 5 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | BR61 | 0,7425 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, BR-6 | Standard | BR-6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | BR61gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 100 V. | 6 a | Einphase | 100 v | ||||||||||
![]() | MBRF200200R | - - - | ![]() | 2843 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | Schottky | To-244ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 100a | 920 mv @ 100 a | 1 ma @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRH240200R | 76.4925 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | D-67 | MBRH240200 | Schottky | D-67 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 MV @ 240 a | 1 ma @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 240a | - - - | |||||||||
![]() | FR70KR05 | 17.7855 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR70KR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,4 V @ 70 a | 500 ns | 25 µa @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 70a | - - - | ||||||||
![]() | MBRT300200 | 107.3070 | ![]() | 7152 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 150a | 920 MV @ 150 a | 1 ma @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | Mur40005Ctr | - - - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Twin Tower | Standard | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Mur40005Ctrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 v | 200a | 1,3 V @ 125 a | 90 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | MBRT60020RL | - - - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 20 v | 300a | 580 mv @ 300 a | 3 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MSRT100120D | 87.1935 | ![]() | 5976 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MSRT100 | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1242-MSRT100120d | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 100a | 1,1 V @ 100 a | 10 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | Fst6315m | - - - | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D61-3m | Schottky | D61-3m | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 15 v | 30a | 700 mv @ 30 a | 1 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | FR16DR05 | 8.5020 | ![]() | 6857 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR16DR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 16 a | 500 ns | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||
![]() | FST160200 | 75.1110 | ![]() | 3080 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | To-249ab | Schottky | To-249ab | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 80a | 920 mv @ 80 a | 1 ma @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | S25KR | 5.2485 | ![]() | 5105 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | S25K | Standard, Umgekehrte Polarität | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S25KRgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 25 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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