SIC
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Dioden (2089)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MBRH24045R GeneSiC Semiconductor MBRH24045R 76.4925
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH24045 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 720 MV @ 240 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C. 240a - - -
1N3767R GeneSiC Semiconductor 1N3767R 6.2320
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3767R Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3767Rgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 900 V 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
MBR7520R GeneSiC Semiconductor MBR7520R 21.9195
RFQ
 ECAD 6349 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR7520 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR7520Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 650 mv @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
1N3767 GeneSiC Semiconductor 1N3767 6.2320
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N3767 Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3767gn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 900 V 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
MBRF60060 GeneSiC Semiconductor MBRF60060 - - -
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 300a 800 mV @ 250 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA500100R GeneSiC Semiconductor MBRTA500100R - - -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 250a 840 mv @ 250 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURH7005R GeneSiC Semiconductor Murh7005r - - -
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Standard D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 70a - - -
MBRF30045R GeneSiC Semiconductor MBRF30045R - - -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab MBRF3004 Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 45 V 150a 700 mV @ 150 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FST7360M GeneSiC Semiconductor Fst7360m - - -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 35a 750 mV @ 35 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N1190A GeneSiC Semiconductor 1N1190a 10.3200
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1190 Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1043 Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 40a - - -
MBRT30080 GeneSiC Semiconductor MBRT30080 - - -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT30080GN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 150a 880 mv @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTL - - -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 150a 600 mv @ 150 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF12030 GeneSiC Semiconductor MBRF12030 - - -
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 60a 700 mv @ 60 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR40030CT GeneSiC Semiconductor MBR40030CT 98.8155
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR40030 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR40030CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FR30AR02 GeneSiC Semiconductor Fr30ar02 10.5930
RFQ
 ECAD 6700 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Fr30ar02gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,4 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30a - - -
MURT10060R GeneSiC Semiconductor Murt10060r 93.0525
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Murt10060 Standard, Umgekehrte Polarität Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt10060rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 600 V 50a 1,7 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR7530 GeneSiC Semiconductor MBR7530 20.8845
RFQ
 ECAD 8336 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR7530gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 650 mv @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
MBRT50060 GeneSiC Semiconductor MBRT50060 - - -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT50060GN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 250a 800 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURT20020R GeneSiC Semiconductor Murt20020r 104.4930
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Murt20020 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt20020rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann GB02SHT01 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-46 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1254 Ear99 8541.10.0080 200 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 100 v 1,6 V @ 1 a 0 ns 5 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 210 ° C. 4a 76PF @ 1V, 1 MHz
FR70B02 GeneSiC Semiconductor FR70B02 17.5905
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR70B02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,4 V @ 70 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70a - - -
MURF30005 GeneSiC Semiconductor Murf30005 - - -
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3879R GeneSiC Semiconductor 1N3879R 7.3900
RFQ
 ECAD 860 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 1N3879R Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1071 Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,4 V @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
MBRF20060R GeneSiC Semiconductor MBRF20060R - - -
RFQ
 ECAD 3022 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 100a 750 mV @ 100 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E 2.7700
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Klebeband (CT) Schneiden Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 GE10MPS06 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 26a 466PF @ 1V, 1 MHz
MBRTA40040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40040RL - - -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 200a 600 mv @ 200 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S12MR GeneSiC Semiconductor S12MR 4.2345
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S12m Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S12MRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a - - -
FR85DR02 GeneSiC Semiconductor FR85DR02 24.1260
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR85DR02GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,4 V @ 85 a 200 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
BR88 GeneSiC Semiconductor BR88 2.0200
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, BR-8 Standard BR-8 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) BR88gn Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 4 a 10 µa @ 600 V 8 a Einphase 800 V
MBRTA80080 GeneSiC Semiconductor MBRTA80080 - - -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 400a 840 mv @ 400 a 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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