SIC
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Dioden (2089)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J 23.9900
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca SIC (Silicon Carbide) Schottky To-263-7 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GC05MPS33J Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 3300 v 0 ns 175 ° C. 5a - - -
1N1187R GeneSiC Semiconductor 1N1187R 7.4730
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1187R Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N1187Rgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 300 V 1,2 V @ 35 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a - - -
MBRTA60045R GeneSiC Semiconductor MBRTA60045R - - -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 45 V 300a 700 mv @ 300 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA40030L GeneSiC Semiconductor MBRTA40030L - - -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GKN240/16 GeneSiC Semiconductor GKN240/16 73.3638
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud GKN240 Standard DO-205AB (DO-9) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,4 V @ 60 a 60 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C. 320a - - -
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor Mur20020ctr 101.6625
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur20020 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur20020ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8330SM - - -
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3SM Schottky D61-3SM Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen FST8330SMGN Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 80A (DC) 650 mv @ 80 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X160A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A180 59.6700
RFQ
 ECAD 7942 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X160 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 180 v 160a 920 MV @ 160 a 3 ma @ 180 v -40 ° C ~ 150 ° C.
GKR130/18 GeneSiC Semiconductor GKR130/18 35.8210
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud GKR130 Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1800 v 1,5 V @ 60 a 22 Ma @ 1800 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 165a - - -
1N1186AR GeneSiC Semiconductor 1N1186ar - - -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1186ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 1242-1110 Ear99 8541.10.0080 5 - - - 200 v 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 40a - - -
KBP201 GeneSiC Semiconductor KBP201 0,3750
RFQ
 ECAD 6938 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP Standard KBP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) KBP201GN Ear99 8541.10.0080 2.000 1,1 V @ 2 a 10 µa @ 50 V 2 a Einphase 50 v
MUR40010CT GeneSiC Semiconductor Mur40010ct 132.0780
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur40010 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur40010ctgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 200a 1,3 V @ 125 a 90 ns 25 µa @ 50 V
MBRT30040L GeneSiC Semiconductor MBRT30040L - - -
RFQ
 ECAD 8883 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 150a 600 mv @ 150 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURT30060R GeneSiC Semiconductor Murt30060r 118.4160
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Murt30060 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murt30060Rgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 600 V 150a 1,7 V @ 150 a 200 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109,2000
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg 3-smd-modul MSRTA6001 - - - Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MSRTA6001Rgn Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) - - - 1600 v 600A (DC) -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60030Ctrl - - -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 300a 580 mv @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S12KR GeneSiC Semiconductor S12KR 4.2345
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud S12K Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S12KRgn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a - - -
SD51R GeneSiC Semiconductor SD51R 20.2170
RFQ
 ECAD 3373 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud SD51 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) SD51Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 660 mv @ 60 a 5 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 60a - - -
MSRTA60060A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060A 109,2000
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA60060 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 600A (DC) 1,2 V @ 600 a 25 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C.
FR85GR05 GeneSiC Semiconductor FR85GR05 24.1260
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR85GR05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 85 a 500 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a - - -
MBR30045CT GeneSiC Semiconductor MBR30045CT 94.5030
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR30045 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR30045CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 150a 650 mv @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURH10005 GeneSiC Semiconductor Murh10005 - - -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D-67 Standard D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Murh10005gn Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V 100a - - -
MBR40030CTL GeneSiC Semiconductor MBR40030CTL - - -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor MBR20060Ctr 90.1380
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR20060 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR20060Ctrgn Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 60 v 200a (DC) 750 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v
MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTL - - -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 200a 600 mv @ 200 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA20040R GeneSiC Semiconductor Murta20040r 145.3229
RFQ
 ECAD 4975 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Murta20040 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 400 V 100a 1,3 V @ 100 a 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH120100 GeneSiC Semiconductor MBRH120100 60.0375
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRH120100GN Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 840 mv @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a - - -
MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40040Ctrl - - -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 200a 600 mv @ 200 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRT20035R GeneSiC Semiconductor MBRT20035R 98.8155
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MBRT20035 Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1102 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 100a 750 mV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC3506T GeneSiC Semiconductor GBPC3506T 2.8650
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC GBPC3506 Standard GBPC Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 600 V 35 a Einphase 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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