SIC
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Dioden (2089)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Strom - Max Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Ausfluss @ if, f
MBR50080CT GeneSiC Semiconductor MBR50080CT - - -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR50080CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 250a 880 mv @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S70DR GeneSiC Semiconductor S70DR 9.8985
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S70D Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S70drgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 70 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 180 ° C. 70a - - -
FST8330M GeneSiC Semiconductor Fst8330m - - -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m Herunterladen 1 (unbegrenzt) Fst8330mgn Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 80A (DC) 650 mv @ 80 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF30045 GeneSiC Semiconductor MBRF30045 - - -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab MBRF3004 Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 150a 700 mV @ 150 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5832R GeneSiC Semiconductor 1n5832r 19.7895
RFQ
 ECAD 9223 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1n5832r Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N5832Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 520 mv @ 40 a 20 mA @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C. 40a - - -
MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor MSRTA200100D 142.3575
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Modul MSRTA200 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-MSRTA200100D Ear99 8541.10.0080 24 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1000 v 200a 1,1 V @ 200 a 10 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR8080 GeneSiC Semiconductor MBR8080 21.1680
RFQ
 ECAD 7977 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR8080GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 80 v 840 mv @ 80 a 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 80a - - -
MURF30040 GeneSiC Semiconductor Murf30040 - - -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 150a 1,3 V @ 150 a 110 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-220 - - -
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-220-2 GB01SLT12 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 1 a 0 ns 2 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 69PF @ 1V, 1 MHz
MBRT40035 GeneSiC Semiconductor MBRT40035 118.4160
RFQ
 ECAD 3138 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1057 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 200a 750 mv @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC1502W GeneSiC Semiconductor GBPC1502W 2.4180
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC1502 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) GBPC1502WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 200 V. 15 a Einphase 200 v
MBRH240100 GeneSiC Semiconductor MBRH240100 76.4925
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 840 mv @ 240 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C. 240a - - -
MBRH24040R GeneSiC Semiconductor MBRH24040R 76.4925
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH24040 Schottky D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 720 MV @ 240 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C. 240a - - -
MBRTA800100R GeneSiC Semiconductor MBRTA800100R - - -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 400a 840 mv @ 400 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR50030CT GeneSiC Semiconductor MBR50030CT - - -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR50030CTGN Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A12 48.6255
RFQ
 ECAD 1042 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Mur2x100 Standard SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 1200 V 100a 2,35 V @ 100 a 25 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
FR6JR05 GeneSiC Semiconductor FR6JR05 5.1225
RFQ
 ECAD 4435 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR6JR05GN Ear99 8541.10.0080 250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,4 V @ 6 a 500 ns 25 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL - - -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 300a 600 mv @ 300 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH120100R GeneSiC Semiconductor MBRH120100R 60.0375
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg D-67 MBRH120100 Schottky, Umgekehrte Polarität D-67 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRH120100Rgn Ear99 8541.10.0080 36 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 840 mv @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a - - -
MBR75100R GeneSiC Semiconductor MBR75100R 21.9195
RFQ
 ECAD 6029 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR75100 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR75100Rgn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 840 mv @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 75a - - -
MBR80100R GeneSiC Semiconductor MBR80100R 22.1985
RFQ
 ECAD 4945 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud MBR80100 Schottky, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR80100RGN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 840 mv @ 80 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C. 80a - - -
GKR71/12 GeneSiC Semiconductor GKR71/12 12.8537
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud GKR71 Standard Do-5 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,5 V @ 60 a 10 mA @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C. 95a - - -
S40QR GeneSiC Semiconductor S40QR 6.3770
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud S40Q Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S40qrgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 190 ° C. 40a - - -
GBJ25B GeneSiC Semiconductor GBJ25B 0,9795
RFQ
 ECAD 1534 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ25 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-GBJ25B Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 12.5 a 10 µa @ 100 V. 25 a Einphase 100 v
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Axial GA01PNS150 - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1258 Ear99 8541.10.0080 10 1 a 7PF @ 1000V, 1 MHz Pin - Single 15000V - - -
GBJ30M GeneSiC Semiconductor GBJ30M 1.1205
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ30 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-gbj30m Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 15 a 5 µA @ 1000 V 30 a Einphase 1 kv
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E 2.0500
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Klebeband (CT) Schneiden Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 GE06MPS06 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 17a 279PF @ 1V, 1 MHz
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 - - -
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 Genesic Semiconductor Sic Schottky MPS ™ Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca GB05MPS17 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-263-7 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1242-GB05MPS17-263 Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C. 18a 470pf @ 1V, 1 MHz
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W08m - - -
RFQ
 ECAD 7436 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4-Zirkular, wom Standard Wom Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2W08MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 a 10 µa @ 800 V 2 a Einphase 800 V
1N1188AR GeneSiC Semiconductor 1N1188ar 6.3770
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1188ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N1188Argn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 40 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 40a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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