Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GE08MPS06E | 2.4000 | ![]() | 4567 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | Sic Schottky MPS ™ | Klebeband (CT) Schneiden | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | GE08MPS06 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 21a | 373pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | MBRT20060 | 102.9600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBRT20060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 100a | 800 mV @ 100 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MBR12035 ctr | 73.9100 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Twin Tower | MBR12035 | Schottky | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 35 V | 120a (DC) | 650 mV @ 120 a | 3 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | GD2X100MPS06N | 47.9100 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | Sic Schottky MPS ™ | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GD2X | SIC (Silicon Carbide) Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1242-GD2X100MPS06N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 2 Unabhängig | 650 V | 108a (DC) | 1,8 V @ 100 a | 0 ns | 5 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBRH20030L | - - - | ![]() | 8114 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D-67 | Schottky | D-67 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200a | - - - | ||||||||
![]() | MBRH20045L | - - - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D-67 | Schottky | D-67 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 200 a | 5 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200a | - - - | ||||||||
![]() | MBRH12020R | 60.0375 | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | D-67 | MBRH12020 | Schottky, Umgekehrte Polarität | D-67 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBRH12020Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 650 mV @ 120 a | 4 ma @ 20 v | 120a | - - - | ||||||
![]() | GKR240/14 | 59.2784 | ![]() | 8736 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | Do-205AB, Do-9, Stud | GKR240 | Standard | DO-205AB (DO-9) | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,4 V @ 60 a | 60 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 320a | - - - | ||||||
![]() | 1N4588R | 35.5695 | ![]() | 9256 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | 1N4588R | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N4588Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 150 a | 9,5 mA @ 200 V. | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||
![]() | 1N1186 | 6.2320 | ![]() | 7278 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1186 | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N1186gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 35 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - - - | |||||
![]() | GKN7112 | 13.8392 | ![]() | 4005 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | GKN71 | Standard | Do-5 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,5 V @ 60 a | 10 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 95a | - - - | ||||||
![]() | MBRT30030R | 107.3070 | ![]() | 9622 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MBRT30030 | Schottky | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBRT30030Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 150a | 750 MV @ 150 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | S16QR | 4.5900 | ![]() | 5525 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | S16Q | Standard, Umgekehrte Polarität | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S16QRgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 16 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - - - | |||||
![]() | MBR3560 | 14.3280 | ![]() | 3183 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR3560GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 35 a | 1,5 mA @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - - - | ||||||
![]() | MBR12020Ctr | 68.8455 | ![]() | 4862 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Twin Tower | MBR12020 | Schottky | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1053 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 20 v | 120a (DC) | 650 mV @ 120 a | 3 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | S70m | 9.8985 | ![]() | 7685 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S70mgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 70 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70a | - - - | ||||||
![]() | MBR50060Ctr | - - - | ![]() | 5399 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Twin Tower | Schottky, Umgekehrte Polarität | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR50060Ctrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 600 V | 250a | 800 mV @ 250 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MBR3530R | 15.1785 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | MBR3530 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBR3530Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 680 mv @ 35 a | 1,5 mA @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - - - | |||||
![]() | MSRT20060D | 110.1030 | ![]() | 2341 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MSRT200 | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1242-MSRT20060D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 600 V | 200a | 1,2 V @ 200 a | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MBR12030CT | 68.8455 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Twin Tower | MBR12030 | Schottky | Twin Tower | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1090 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 120a (DC) | 650 mv @ 60 a | 3 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
S85m | 11.8980 | ![]() | 9124 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 85 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | ||||||||
![]() | Murta30020r | 159.9075 | ![]() | 6270 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | Murta30020 | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 150a | 1 V @ 150 a | 25 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | Murt20010 | 104.4930 | ![]() | 1832 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | Standard | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Murt20010gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 100a | 1,3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Mur5060r | 17.9850 | ![]() | 6582 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | Mur5060 | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Mur5060rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 50 a | 90 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | ||||
![]() | GD10MPS12A | 4.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | Sic Schottky MPS ™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1242-GD10MPS12A | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 a | 0 ns | 5 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 25a | 367PF @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | S70QR | 9.8985 | ![]() | 2181 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | S70Q | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S70qrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 70 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70a | - - - | |||||
SD41 | 13.4625 | ![]() | 4113 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SD41Gs | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 680 mv @ 30 a | 1,5 mA @ 35 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||||||
![]() | MBRT40080R | 118.4160 | ![]() | 7228 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Drei -Turf | MBRT40080 | Schottky | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBRT40080Rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 200a | 880 mv @ 200 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | FR20M05 | 9.2895 | ![]() | 8771 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR20M05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 20 a | 500 ns | 25 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 20a | - - - | |||||
![]() | MBRT50080 | - - - | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Drei -Turf | Schottky | Drei -Turf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | MBRT50080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 250a | 880 mv @ 250 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus