SIC
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Dioden (2089)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
MBRTA60020 GeneSiC Semiconductor MBRTA60020 - - -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 300a 700 mv @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA80020L GeneSiC Semiconductor MBRTA80020L - - -
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 400a 580 mv @ 400 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor Mur30005Ctr - - -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur30005Ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 150a 1,3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC35005W GeneSiC Semiconductor GBPC35005W 2.8650
RFQ
 ECAD 3381 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC35005 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) GBPC35005WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 50 V 25 a Einphase 50 v
MBRTA600150 GeneSiC Semiconductor MBRTA600150 - - -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 300a 880 mv @ 300 a 4 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF300200R GeneSiC Semiconductor MBRF300200R - - -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab MBRF3002 Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 150a 920 MV @ 150 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR50030CTR GeneSiC Semiconductor MBR50030Ctr - - -
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBR50030Ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR5040 GeneSiC Semiconductor Mur5040 17.4870
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Mur5040gn Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1 V @ 50 a 75 ns 10 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 50a - - -
S380Y GeneSiC Semiconductor S380Y 69.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S380 Standard DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,2 V @ 380 a 10 µa @ 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C. 380a - - -
MBRF600200R GeneSiC Semiconductor MBRF600200R - - -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 300a 920 MV @ 300 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF12045 GeneSiC Semiconductor MBRF12045 - - -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 60a 700 mv @ 60 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBJ6G GeneSiC Semiconductor Gbj6g 0,6645
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ6 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-gbj6g Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 3 a 5 µa @ 400 V 6 a Einphase 400 V
MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30030Ctrl - - -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 150a 580 mv @ 150 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF12080R GeneSiC Semiconductor MBRF12080R - - -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 60a 840 mv @ 60 a 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURF30005R GeneSiC Semiconductor Murf30005r - - -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Standard To-244 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC15010T GeneSiC Semiconductor GBPC15010T 1.8979
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC-T GBPC15010 Standard GBPC-T - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 7,5 a 5 µA @ 1000 V 15 a Einphase 1 kv
MBR2X120A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A080 51.8535
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2x120 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 80 v 120a 840 mv @ 120 a 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C.
S12K GeneSiC Semiconductor S12K 4.2345
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S12KGN Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 12a - - -
MBRTA80035 GeneSiC Semiconductor MBRTA80035 - - -
RFQ
 ECAD 8625 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 400a 720 MV @ 400 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-ga - - -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-257-3 1N8024 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-257 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,74 V @ 750 mA 0 ns 10 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 250 ° C. 750 Ma 66PF @ 1V, 1 MHz
DB153G GeneSiC Semiconductor DB153G 0,2325
RFQ
 ECAD 7910 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) DB153 Standard Db Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) DB153GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1,5 a 5 µa @ 200 V. 1,5 a Einphase 200 v
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor GKN130/18 35.5490
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud GKN130 Standard DO-205AA (DO-8) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1800 v 1,5 V @ 60 a 22 Ma @ 1800 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 165a - - -
MBR2X050A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A180 43.6545
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MBR2X050 Schottky SOT-227 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 52 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 180 v 50a 920 mv @ 50 a 3 ma @ 180 v -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRT20045 GeneSiC Semiconductor MBRT20045 98.8155
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MBRT20045GN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 100a 750 mV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA500200 GeneSiC Semiconductor MBRTA500200 - - -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Drei -Turf Schottky Drei -Turf - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 250a 920 MV @ 250 a 4 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C.
FST7340M GeneSiC Semiconductor Fst7340m - - -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 35a 700 mV @ 35 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C.
S70D GeneSiC Semiconductor S70D 9.8985
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S70Dgn Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 70 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 180 ° C. 70a - - -
1N1202AR GeneSiC Semiconductor 1N1202Ar 4.3635
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud 1N1202Ar Standard, Umgekehrte Polarität Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N1202Argn Ear99 8541.10.0080 250 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 12 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
S300E GeneSiC Semiconductor S300E 63.8625
RFQ
 ECAD 8223 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg Do-205AB, Do-9, Stud S300 Standard DO-205AB (DO-9) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) S300EGN Ear99 8541.10.0080 8 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 300 V 1,2 V @ 300 a 10 µa @ 100 V. -60 ° C ~ 200 ° C. 300a - - -
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor Mur20010Ctr 101.6625
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur20010 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1242-1033 Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 v 100a 1,3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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