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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Diodentyp | Spannung – Spitzenumkehr (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GC2X15MPS12-247 | 10.5555 | ![]() | 4584 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | SiC Schottky MPS™ | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | GC2X15 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 1242-1333 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 75A (DC) | 1,8 V bei 15 A | 0 ns | 14 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | ||||||
![]() | MURT10040 | 93.0525 | ![]() | 3771 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Drei Türme | Standard | Drei Türme | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MURT10040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 400 V | 50A | 1,35 V bei 50 A | 90 ns | 25 µA bei 50 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||
![]() | UFT10010 | - | ![]() | 3578 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | TO-249AB | Standard | TO-249AB | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 100 V | 50A | 1 V bei 50 A | 60 ns | 25 µA bei 100 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||||
![]() | MBRT50040R | - | ![]() | 9641 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | Drei Türme | Schottky | Drei Türme | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MBRT50040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 40 V | 250A | 750 mV bei 250 A | 1 mA bei 20 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||
![]() | MBR2X050A180 | 43.6545 | ![]() | 6918 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 2 Unabhängig | 180 V | 50A | 920 mV bei 50 A | 3 mA bei 180 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||
| MBR3560R | 18.5700 | ![]() | 71 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AA, DO-4, Stud | MBR3560 | Schottky, Umgekehrte Polarität | DO-4 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 60 V | 750 mV bei 35 A | 1,5 mA bei 20 V | -55 °C ~ 150 °C | 35A | - | ||||||||||
![]() | FR30KR05 | 10.5930 | ![]() | 4390 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, umgekehrte Polarität | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | FR30KR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 800 V | 1 V bei 30 A | 500 ns | 25 µA bei 800 V | -40 °C ~ 125 °C | 30A | - | ||||||||
![]() | MBRF400100 | - | ![]() | 3350 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 100 V | 200A | 840 mV bei 200 A | 1 mA bei 100 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||||
![]() | MURF40020R | - | ![]() | 3160 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 200 V | 200A | 1 V bei 200 A | 150 ns | 25 µA bei 200 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||||
![]() | M3P100A-100 | - | ![]() | 1695 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | Standard | Modul | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,15 V bei 100 A | 10 mA bei 1000 V | 100 A | Dreiphasig | 1 kV | |||||||||||
![]() | S40GR | 6.3770 | ![]() | 3493 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | S40G | Standard, umgekehrte Polarität | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | S40GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 400 V | 1,1 V bei 40 A | 10 µA bei 100 V | -65 °C ~ 190 °C | 40A | - | ||||||||
![]() | GD05MPS17H | 5.6100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | SiC Schottky MPS™ | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | GD05MPS | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 1242-GD05MPS17H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,8 V bei 5 A | 0 ns | 20 µA bei 1700 V | -55 °C ~ 175 °C | 15A | 361 pF bei 1 V, 1 MHz | ||||||
![]() | MUR7005R | 17.7855 | ![]() | 3629 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | MUR7005 | Standard, umgekehrte Polarität | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MUR7005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 50 V | 1 V bei 70 A | 75 ns | 25 µA bei 50 V | -55 °C ~ 150 °C | 70A | - | |||||||
| GBPC3502T | 4.6200 | ![]() | 676 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | QC-Terminal | 4-Quadrat, GBPC-T | GBPC3502 | Standard | GBPC-T | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V bei 12,5 A | 5 µA bei 200 V | 35 A | Einphasig | 200 V | |||||||||||
![]() | MBRT40020RL | - | ![]() | 8227 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | Drei Türme | Schottky | Drei Türme | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 20 V | 200A | 580 mV bei 200 A | 3 mA bei 20 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||||
![]() | S85YR | 15.4200 | ![]() | 129 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | S85Y | Standard, umgekehrte Polarität | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1600 V | 1,1 V bei 85 A | 10 µA bei 100 V | -65 °C ~ 150 °C | 85A | - | |||||||||
![]() | MBRTA60045 | - | ![]() | 3977 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | Drei Türme | Schottky | Drei Türme | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 45 V | 300A | 700 mV bei 300 A | 1 mA bei 45 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||||
![]() | MUR10005CT | - | ![]() | 5416 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | Zwillingsturm | Standard | Zwillingsturm | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MUR10005CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 50 V | 50A | 1,3 V bei 50 A | 75 ns | 25 µA bei 50 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||
![]() | MBRH12045R | 60.0375 | ![]() | 6770 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | D-67 HALBPAK | MBRH12045 | Schottky, Umgekehrte Polarität | D-67 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 45 V | 700 mV bei 120 A | 1 mA bei 45 V | -55 °C ~ 150 °C | 120A | - | |||||||||
![]() | GBU10K | 1.6300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 4-SIP, GBU | GBU10 | Standard | GBU | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | GBU10KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V bei 10 A | 5 µA bei 800 V | 10 A | Einphasig | 800 V | |||||||||
![]() | MSRT100100D | 87.1935 | ![]() | 4135 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Drei Türme | MSRT100 | Standard | Drei Türme | herunterladen | ROHS3-konform | 1242-MSRT100100D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1 Paar Reihenschaltung | 1000 V | 100A | 1,1 V bei 100 A | 10 µA bei 1000 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||
![]() | MBRF60035R | - | ![]() | 1144 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 35 V | 300A (DC) | 650 mV bei 300 A | 10 mA bei 20 V | -40°C ~ 175°C | |||||||||||
![]() | MBRT200200R | 98.8155 | ![]() | 7921 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Drei Türme | MBRT200200 | Schottky | Drei Türme | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 200 V | 100A | 920 mV bei 100 A | 1 mA bei 200 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||
![]() | GD20MPS12A | 8.4800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | SiC Schottky MPS™ | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | GD20 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220-2 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 1242-GD20MPS12A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V bei 20 A | 0 ns | 10 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 42A | 737pF bei 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | S85K | 11.8980 | ![]() | 9079 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | S85KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 800 V | 1,1 V bei 85 A | 10 µA bei 100 V | -65 °C ~ 180 °C | 85A | - | |||||||||
![]() | MBR60030CTL | - | ![]() | 3097 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | Zwillingsturm | Schottky | Zwillingsturm | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 30 V | 300A | 580 mV bei 300 A | 3 mA bei 30 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||||
![]() | 1N1188R | 10.1200 | ![]() | 74 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1188R | Standard, umgekehrte Polarität | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 1242-1094 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 400 V | 1,2 V bei 35 A | 10 µA bei 50 V | -65 °C ~ 190 °C | 35A | - | ||||||||
![]() | GBJ35J | 1.5132 | ![]() | 3595 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 4-SIP, GBJ | GBJ35 | Standard | GBJ | herunterladen | ROHS3-konform | 1242-GBJ35J | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V bei 17,5 A | 10 µA bei 600 V | 35 A | Einphasig | 600 V | ||||||||||
![]() | MBRT12080 | 75.1110 | ![]() | 5417 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Drei Türme | Schottky | Drei Türme | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MBRT12080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 80 V | 60A | 880 mV bei 60 A | 1 mA bei 20 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||
![]() | MSRT150160D | 98.8155 | ![]() | 8169 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Drei Türme | MSRT150 | Standard | Drei Türme | herunterladen | ROHS3-konform | 1242-MSRT150160D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1 Paar Reihenschaltung | 1600 V | 150A | 1,1 V bei 150 A | 10 µA bei 1600 V | -55 °C ~ 150 °C |

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