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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Diodentyp | Spannung – Spitzenumkehr (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UFT10040 | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | TO-249AB | Standard | TO-249AB | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 400 V | 50A | 1,3 V bei 50 A | 70 ns | 25 µA bei 400 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||||
![]() | GD30MPS12H | 10.4700 | ![]() | 980 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | SiC Schottky MPS™ | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 1242-GD30MPS12H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,8 V bei 30 A | 20 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 55A | 1101pF bei 1V, 1MHz | ||||||||
| S12D | 4.2345 | ![]() | 1447 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 200 V | 1,1 V bei 12 A | 10 µA bei 50 V | -65 °C ~ 175 °C | 12A | - | |||||||||||
![]() | GC2X5MPS12-247 | 5.3730 | ![]() | 8661 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | SiC Schottky MPS™ | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | GC2X5 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 1242-1324 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 27A (DC) | 1,8 V bei 5 A | 0 ns | 4 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | ||||||
| GB50SLT12-247 | - | ![]() | 9433 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Rohr | Veraltet | Durchgangsloch | TO-247-2 | GB50SLT12 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V bei 50 A | 0 ns | 1 mA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 50A | 2940pF bei 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | GKN26/14 | - | ![]() | 2241 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1400 V | 1,55 V bei 60 A | 4 mA bei 1400 V | -40°C ~ 180°C | 25A | - | |||||||||||
![]() | MBRH12045 | 60.0375 | ![]() | 1810 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | D-67 | Schottky | D-67 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MBRH12045GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 45 V | 650 mV bei 120 A | 4 mA bei 20 V | 120A | - | ||||||||||
![]() | 1N4592R | 35.5695 | ![]() | 6078 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-205AA, DO-8, Stud | 1N4592R | Standard, umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 1N4592RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 600 V | 1,5 V bei 150 A | 6,5 mA bei 600 V | -60 °C ~ 200 °C | 150A | - | ||||||||
![]() | MBR30030CTRL | - | ![]() | 5353 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | Zwillingsturm | Schottky | Zwillingsturm | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 30 V | 150A | 580 mV bei 150 A | 3 mA bei 30 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||||
![]() | MBR2X050A100 | 43.6545 | ![]() | 2660 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 2 Unabhängig | 100 V | 50A | 840 mV bei 50 A | 1 mA bei 100 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | MSRTA20080AD | 85.9072 | ![]() | 6580 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Drei Türme | MSRTA200 | Standard | Drei Türme | - | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1 Paar Reihenschaltung | 800 V | 200A | 1,1 V bei 200 A | 10 µA bei 800 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||
![]() | FR6J02 | 4.9020 | ![]() | 8607 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | FR6J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,4 V bei 6 A | 250 ns | 25 µA bei 50 V | -65 °C ~ 150 °C | 6A | - | ||||||||
![]() | FR20JR02 | 9.3555 | ![]() | 9256 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, umgekehrte Polarität | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | FR20JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 600 V | 1 V bei 20 A | 250 ns | 25 µA bei 50 V | -40 °C ~ 125 °C | 20A | - | ||||||||
![]() | 1N3293A | 33.5805 | ![]() | 2493 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-205AA, DO-8, Stud | 1N3293 | Standard | DO-205AA (DO-8) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 1N3293AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 600 V | 1,5 V bei 100 A | 17 mA bei 600 V | -40 °C ~ 200 °C | 100A | - | ||||||||
![]() | MBR40080CT | 98.8155 | ![]() | 1784 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Zwillingsturm | MBR40080 | Schottky | Zwillingsturm | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MBR40080CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 80 V | 200A | 840 mV bei 200 A | 5 mA bei 20 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||
| MBR8045 | 24.8600 | ![]() | 3214 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 45 V | 650 mV bei 80 A | 1 mA bei 45 V | -55 °C ~ 150 °C | 80A | - | |||||||||||
![]() | MSRTA20080D | 142.3575 | ![]() | 2531 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Modul | MSRTA200 | Standard | - | herunterladen | ROHS3-konform | 1242-MSRTA20080D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1 Paar Reihenschaltung | 800 V | 200A | 1,1 V bei 200 A | 10 µA bei 800 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||
| 1N8034-GA | - | ![]() | 7578 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Rohr | Veraltet | Durchgangsloch | TO-257-3 | 1N8034 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-257 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,34 V bei 10 A | 0 ns | 5 µA bei 650 V | -55 °C ~ 250 °C | 9,4A | 1107pF bei 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | MURT30010R | 118.4160 | ![]() | 4161 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Drei Türme | MURT30010 | Standard | Drei Türme | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | MURT30010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 100 V | 150A | 1,3 V bei 150 A | 100 ns | 25 µA bei 50 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||
![]() | MURF30040R | - | ![]() | 6740 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 400 V | 150A | 1,3 V bei 150 A | 110 ns | 25 µA bei 400 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||||
![]() | FR6M05 | 5.0745 | ![]() | 8511 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | FR6M05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,4 V bei 6 A | 500 ns | 25 µA bei 50 V | -65 °C ~ 150 °C | 6A | - | ||||||||
![]() | 1N3212 | 7.0650 | ![]() | 5672 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3212 | Standard | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 1N3212GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 400 V | 1,5 V bei 15 A | 10 µA bei 50 V | -65 °C ~ 175 °C | 15A | - | ||||||||
![]() | MBRT60035L | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestellmontage | Drei Türme | Schottky | Drei Türme | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 35 V | 300A | 600 mV bei 300 A | 3 mA bei 35 V | -55 °C ~ 150 °C | |||||||||||
![]() | S16M | 4.5900 | ![]() | 4308 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | - | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | S16MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1000 V | 1,1 V bei 16 A | 10 µA bei 50 V | -65 °C ~ 175 °C | 16A | - | |||||||||
![]() | 1N3766 | 6.2320 | ![]() | 4148 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3766 | Standard | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 1N3766GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 800 V | 1,2 V bei 35 A | 10 µA bei 50 V | -65 °C ~ 190 °C | 35A | - | ||||||||
![]() | MBR400100CT | 102.9600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestellmontage | Zwillingsturm | MBR400100 | Schottky | Zwillingsturm | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 1242-1022 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 100 V | 200A | 840 mV bei 200 A | 5 mA bei 20 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||||||
![]() | GKN26/12 | - | ![]() | 9746 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Veraltet | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1200 V | 1,55 V bei 60 A | 4 mA bei 1200 V | -40°C ~ 180°C | 25A | - | |||||||||||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | Fahrgestell, Bolzenmontage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, umgekehrte Polarität | DO-5 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | FR70JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,4 V bei 70 A | 250 ns | 25 µA bei 100 V | -40 °C ~ 125 °C | 70A | - | ||||||||
![]() | GBPC1510T | 2.4180 | ![]() | 2180 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 4-Quadrat, GBPC | GBPC1510 | Standard | GBPC | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V bei 7,5 A | 5 µA bei 1000 V | 15 A | Einphasig | 1 kV | ||||||||||
![]() | KBP210G | 0,2280 | ![]() | 2792 | 0,00000000 | GeneSiC-Halbleiter | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 4-SIP, KBP | KBP210 | Standard | KBP | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V bei 2 A | 10 µA bei 1000 V | 2 A | Einphasig | 1 kV |

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