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Dioden(2089)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If	Reverse Recovery Time (trr)	Strom – Rückwärtsleckage bei Vr	Betriebstemperatur – Verbindungsstelle	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	Kapazität @ Vr, F	Diodentyp	Spannung – Spitzenumkehr (max.)
GKN240/08	59.0066	Anfrage	1445	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-205AB, DO-9, Stud	GKN240	Standard	DO-205AB (DO-9)	-	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	8	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)		800 V		1,4 V bei 60 A		60 mA bei 800 V	-40°C ~ 180°C	320A	-
MBRF200200	-	Anfrage	2768	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	TO-244AB		Schottky	TO-244AB	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	25	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Kathode	200 V	100A	920 mV bei 100 A		1 mA bei 200 V	-55 °C ~ 150 °C
MBR2X050A120	43.6545	Anfrage	1366	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC	MBR2X050	Schottky	SOT-227	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	52	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	2 Unabhängig	120 V	50A	880 mV bei 50 A		3 mA bei 120 V	-40°C ~ 150°C
GB02SLT12-220	-	Anfrage	3082	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet		Durchgangsloch	TO-220-2	GB02SLT12	SiC (Siliziumkarbid) Schottky	TO-220-2	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	50	Keine Erholungszeit > 500 mA (Io)		1200 V		1,8 V bei 2 A	0 ns	50 µA bei 1200 V	-55 °C ~ 175 °C	2A	138pF bei 1V, 1MHz
FR20G02	9.0510	Anfrage	6241	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AB, DO-5, Stud		Standard	DO-5	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	FR20G02GN	EAR99	8541.10.0080	100	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)		400 V		1 V bei 20 A	200 ns	25 µA bei 50 V	-40 °C ~ 125 °C	20A	-
1N6096	14.0145	Anfrage	4464	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AA, DO-4, Stud	1N6096	Schottky	DO-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	1N6096GN	EAR99	8541.10.0080	250	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)		40 V		580 mV bei 25 A		2 mA bei 20 V	-55 °C ~ 150 °C	25A	-
MBRT300200	107.3070	Anfrage	7152	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	Drei Türme		Schottky	Drei Türme	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	40	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Kathode	200 V	150A	920 mV bei 150 A		1 mA bei 200 V	-55 °C ~ 150 °C
MURTA600120	207.4171	Anfrage	4406	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	Drei Türme		Standard	Drei Türme	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	24	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)	1 Paar gemeinsame Kathode	1200 V	300A	2,6 V bei 300 A		25 µA bei 1200 V	-55 °C ~ 150 °C
MBRF20040	-	Anfrage	9946	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	TO-244AB		Schottky	TO-244AB	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	25	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Kathode	40 V	100A	700 mV bei 100 A		1 mA bei 40 V	-55 °C ~ 150 °C
GBJ30D	1.1205	Anfrage	7632	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	4-SIP, GBJ	GBJ30	Standard	GBJ	herunterladen	ROHS3-konform		1242-GBJ30D	EAR99	8541.10.0080	200					1,05 V bei 15 A		5 µA bei 200 V		30 A		Einphasig	200 V
GBJ30G	1.1205	Anfrage	5909	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	4-SIP, GBJ	GBJ30	Standard	GBJ	herunterladen	ROHS3-konform		1242-GBJ30G	EAR99	8541.10.0080	200					1,05 V bei 15 A		5 µA bei 400 V		30 A		Einphasig	400 V
MURTA50020R	174.1546	Anfrage	7352	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	Drei Türme	MURTA50020	Standard	Drei Türme	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	MURTA50020RGN	EAR99	8541.10.0080	24	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Anode	200 V	250A	1,3 V bei 250 A	150 ns	25 µA bei 50 V	-55 °C ~ 150 °C
S70KR	9,8985	Anfrage	9090	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AB, DO-5, Stud	S70K	Standard, umgekehrte Polarität	DO-5	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	S70KRGN	EAR99	8541.10.0080	100	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)		800 V		1,1 V bei 70 A		10 µA bei 100 V	-65 °C ~ 180 °C	70A	-
MBRT40045L	-	Anfrage	6197	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	Drei Türme		Schottky	Drei Türme	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	25	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Kathode	45 V	200A	600 mV bei 200 A		5 mA bei 45 V	-55 °C ~ 150 °C
FR12G05	6.7605	Anfrage	4903	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	DO-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	250	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)		400 V		800 mV bei 12 A	500 ns	25 µA bei 100 V	-65 °C ~ 150 °C	12A	-
GB20SLT12-247	-	Anfrage	1966	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Durchgangsloch	TO-247-2	GB20SLT12	SiC (Siliziumkarbid) Schottky	TO-247-2	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	30	Keine Erholungszeit > 500 mA (Io)		1200 V		2 V bei 20 A	0 ns	200 µA bei 1200 V	-55 °C ~ 175 °C	20A	968pF bei 1V, 1MHz
1N3765R	6.2320	Anfrage	1506	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AB, DO-5, Stud	1N3765R	Standard, umgekehrte Polarität	DO-5	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	1N3765RGN	EAR99	8541.10.0080	100	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)		700 V		1,2 V bei 35 A		10 µA bei 50 V	-65 °C ~ 190 °C	35A	-
MBR30030CTRL	-	Anfrage	5353	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	Zwillingsturm		Schottky	Zwillingsturm	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	25	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Anode	30 V	150A	580 mV bei 150 A		3 mA bei 30 V	-55 °C ~ 150 °C
1N5829	14.0145	Anfrage	1994	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AA, DO-4, Stud	1N5829	Schottky	DO-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	1N5829GN	EAR99	8541.10.0080	250	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)		20 V		580 mV bei 25 A		2 mA bei 20 V	-55 °C ~ 150 °C	25A	-
MUR2X060A02	47.1200	Anfrage	6244	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC	MUR2X060	Standard	SOT-227	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	1242-1309	EAR99	8541.10.0080	52	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	2 Unabhängig	200 V	60A	1 V bei 60 A	75 ns	25 µA bei 200 V	-55 °C ~ 175 °C
MBR80100	21.1680	Anfrage	9276	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AB, DO-5, Stud		Schottky	DO-5	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	MBR80100GN	EAR99	8541.10.0080	100	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)		100 V		840 mV bei 80 A		1 mA bei 100 V	-55 °C ~ 150 °C	80A	-
S300DR	63.8625	Anfrage	7570	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-205AB, DO-9, Stud	S300	Standard, umgekehrte Polarität	DO-205AB (DO-9)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	S300DRGN	EAR99	8541.10.0080	8	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)		200 V		1,2 V bei 300 A		10 µA bei 100 V	-60 °C ~ 200 °C	300A	-
GKR26/16	-	Anfrage	9036	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	DO-4	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	5	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)		1600 V		1,55 V bei 60 A		4 mA bei 1600 V	-40°C ~ 180°C	25A	-
S12G	4.2345	Anfrage	4684	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestell, Bolzenmontage	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard	DO-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	S12GGN	EAR99	8541.10.0080	250	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)		400 V		1,1 V bei 12 A		10 µA bei 50 V	-65 °C ~ 175 °C	12A	-
1N8030-GA	-	Anfrage	5782	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet		Durchgangsloch	TO-257-3	1N8030	SiC (Siliziumkarbid) Schottky	TO-257	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	10	Keine Erholungszeit > 500 mA (Io)		650 V		1,39 V bei 750 mA	0 ns	5 µA bei 650 V	-55 °C ~ 250 °C	750mA	76pF bei 1V, 1MHz
MSRT10080AD	54.0272	Anfrage	4048	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	Drei Türme	MSRT100	Standard	Drei Türme	-	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	25	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)	1 Paar Reihenschaltung	800 V	100A	1,1 V bei 100 A		10 µA bei 800 V	-55 °C ~ 150 °C
MUR2X120A02	50.2485	Anfrage	2903	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC	MUR2X120	Standard	SOT-227	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	52	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)	2 Unabhängig	200 V	120A	1 V bei 120 A		25 µA bei 200 V	-55 °C ~ 175 °C
MBRT40035RL	-	Anfrage	3676	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	Drei Türme		Schottky	Drei Türme	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	25	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Anode	35 V	200A	600 mV bei 200 A		3 mA bei 35 V	-55 °C ~ 150 °C
MBR500150CTR	-	Anfrage	9003	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	Zwillingsturm		Schottky	Zwillingsturm	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	25	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Anode	150 V	250A	880 mV bei 250 A		3 mA bei 150 V	-55 °C ~ 150 °C
MUR40005CT	-	Anfrage	2519	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	Zwillingsturm		Standard	Zwillingsturm	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	MUR40005CTGN	EAR99	8541.10.0080	25	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Kathode	50 V	200A	1,3 V bei 125 A	90 ns	25 µA bei 50 V	-55 °C ~ 150 °C

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Vorrätiges Lager

Dioden(2089)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²