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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSXD100A020S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 6652 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD100 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 200 v | 100a | 920 mv @ 100 a | 3 ma @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GSXD060A010S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 6688 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD060 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 100 v | 60a | 840 mv @ 60 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GSXF030A100S1-D3 | - - - | ![]() | 7309 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXF030 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1000 v | 30a | 2,35 V @ 30 a | 85 ns | 25 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | GSXF030A060S1-D3 | - - - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXF030 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GSXF030A060S1D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 600 V | 30a | 1,5 V @ 30 a | 60 ns | 25 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | GP2D060A120B | - - - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 60 a | 500 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | 3809PF @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | GP3D010A065A | 2.5492 | ![]() | 6628 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | GP3D010 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 10 a | 0 ns | 25 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 419PF @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GP3D010A065C | 2.9800 | ![]() | 1450 | 0.00000000 | Semiq | * | Rohr | Aktiv | GP3D010 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | GSXF100A100S1-D3 | 36.5319 | ![]() | 5662 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXF100 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1000 v | 100a | 2,35 V @ 100 a | 125 ns | 25 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | GP2D020A120B | - - - | ![]() | 4576 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1560-1052-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 20 a | 0 ns | 40 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 1270pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GP3D008A065C | - - - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Semiq | * | Rohr | Aktiv | GP3D008 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | GP3D030A120B | 13.3387 | ![]() | 2173 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | GP3D030 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 30 a | 0 ns | 60 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 1762pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GSXD120A006S1-D3 | 38.0922 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD120 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 60 v | 120a | 750 mV @ 120 a | 1 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GSXD100A004S1-D3 | 37.9500 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD100 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 45 V | 100a | 700 mV @ 100 a | 1 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GP3D020A065B | 6.2800 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | GP3D020 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 835PF @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GSXF100A040S1-D3 | 35.2259 | ![]() | 1350 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXF100 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 400 V | 100a | 1,3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | GP2D008A065C | - - - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | Semiq | * | Rohr | Abgebrochen bei Sic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | GP2D050A120B | - - - | ![]() | 6436 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 50 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 50a | 3174pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | GSXD060A012S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD060 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 120 v | 60a | 880 mv @ 60 a | 3 ma @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GSXD160A020S1-D3 | 41.7555 | ![]() | 4511 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD160 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 200 v | 160a | 920 MV @ 160 a | 3 ma @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GHXS060B120S-D3 | 98.5800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GHXS060 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1560-GHXS060B120S-D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 2 Unabhängig | 1200 V | 161a | 1,7 V @ 60 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | GSXF120A040S1-D3 | - - - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXF120 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 400 V | 120a | 1,3 V @ 120 a | 100 ns | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | GP3D010A170B | 8.5100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | GP3D010 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1700 v | 1,65 V @ 10 a | 0 ns | 40 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 67a | 699PF @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GSXF060A060S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 6062 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXF060 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GSXF060A060S1D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 600 V | 60a | 1,5 V @ 60 a | 90 ns | 25 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | GP3D020A170B | 13.6300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | GP3D020 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1700 v | 1,65 V @ 20 a | 0 ns | 80 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 67a | 1403PF @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GP2D020A170B | - - - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1560-1053-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1700 v | 1,75 V @ 20 a | 0 ns | 40 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 1624pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | GP3D060A120B | - - - | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Semiq | * | Rohr | Aktiv | GP3D060 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | ||||||||||||||||
![]() | GSXD100A012S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 3107 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD100 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 120 v | 100a | 880 mv @ 100 a | 3 ma @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GSXD100A008S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 5156 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD100 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 80 v | 100a | 840 mv @ 100 a | 1 ma @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GSXD080A012S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GSXD080 | Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 120 v | 80a | 880 mv @ 80 a | 3 ma @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GP2D010A065A | - - - | ![]() | 5454 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,65 V @ 10 a | 100 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 527PF @ 1V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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