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Dioden (19)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AS3D030120P2 | 9.2100 |  | 30 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | AS3D03012 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as3d030120p2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 42a | 1,8 V @ 15 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
 | 1N4148WT | 0,1000 | | 45 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 1N4148 | Standard | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||
 | AS3D020120C | 6.4900 | | 30 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as3d020120c | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 20 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 51a | 1280pf @ 0V, 1 MHz | ||||
 | 1N4148W | 0,1000 | | 69 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N4148 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | ||||
 | US1D-A | 0,1200 | | 17 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | SMA/Do-214AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | AS3D020120P2 | 6.5200 | | 60 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | AS3D02012 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as3d020120p2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 30a (DC) | 1,8 V @ 15 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
 | RS1D-A | 0,1000 | | 17 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | SMA/Do-214AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | AS3D030065C | 7.2300 | | 30 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as3d030065c | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 30 a | 0 ns | 20 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 35a | 1805PF @ 0V, 1 MHz | ||||
 | BAV99 | 0,1100 | | 125 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV99 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 215 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 6 ns | 2,5 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
 | B5819WS | 0,1900 | | 17 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
 | BAV21WS | 0,1100 | | 20 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAV21 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 NA @ 250 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||
 | AS3D040120P2 | 11.7100 | | 30 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | AS3D04012 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as3d040120p2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 52a (DC) | 1,8 V @ 20 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
 | 30sq045 | 0,9500 | | 100 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1.500 | |||||||||||||||||||
 | 40sq045 | 1.3200 | | 97 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | |||||||||||||||||
 | AS3D020065A | 4.6100 | | 158 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as3d020065a | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,65 V @ 20 a | 0 ns | 20 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 56a | 1190pf @ 0v, 1 MHz | ||||
 | BAV21W | 0,1100 | | 9 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV21 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 NA @ 250 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 1V, 1MHz | ||||
 | 1N4148WS | 0,1000 | | 53 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||
 | SD103AWs | 0,1100 | | 15 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 350 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||
 | MMBD4148SE | 0,1100 | | 14 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530 mmbd4148sekten | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 75 V | 150 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
2000+
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