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Dioden(19)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4148WT | 0,1000 |  | 45 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-79, SOD-523 | 1N4148 | Standard | SOD-523 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V bei 150 mA | 4 ns | 1 µA bei 75 V | -55 °C ~ 150 °C | 150mA | 2pF bei 0V, 1MHz | ||||
 | AS3D030120P2 | 9.2100 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | AS3D03012 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS3D030120P2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 42A | 1,8 V bei 15 A | 0 ns | 20 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
 | 1N4148W | 0,1000 | | 69 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-123 | 1N4148 | Standard | SOD-123 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V bei 150 mA | 4 ns | 2,5 µA bei 75 V | -55 °C ~ 150 °C | 150mA | 1,5 pF bei 0 V, 1 MHz | ||||
 | AS3D020120C | 6.4900 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS3D020120C | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V bei 20 A | 0 ns | 20 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 51A | 1280pF bei 0V, 1MHz | ||||
 | US1D-A | 0,1200 | | 17 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | DO-214AC, SMA | Standard | SMA/DO-214AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V bei 1 A | 50 ns | 5 µA bei 200 V | -55 °C ~ 150 °C | 1A | 15 pF bei 4 V, 1 MHz | |||||
 | B5819WS | 0,1900 | | 17 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV bei 1 A | 1 mA bei 40 V | -55 °C ~ 125 °C | 1A | 120pF bei 4V, 1MHz | ||||||
 | AS3D020120P2 | 6.5200 | | 60 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | AS3D02012 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS3D020120P2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 30A (DC) | 1,8 V bei 15 A | 0 ns | 20 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
 | RS1D-A | 0,1000 | | 17 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | DO-214AC, SMA | Standard | SMA/DO-214AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V bei 1 A | 150 ns | 5 µA bei 200 V | -55 °C ~ 150 °C | 1A | 15 pF bei 4 V, 1 MHz | |||||
 | AS3D030065C | 7.2300 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS3D030065C | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V bei 30 A | 0 ns | 20 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 35A | 1805pF bei 0V, 1MHz | ||||
 | BAV21WS | 0,1100 | | 20 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | BAV21 | Standard | SOD-323 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V bei 200 mA | 50 ns | 100 nA bei 250 V | -55 °C ~ 150 °C | 200mA | 5 pF bei 0 V, 1 MHz | ||||
 | BAV99 | 0,1100 | | 125 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV99 | Standard | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar Reihenschaltung | 70 V | 215mA | 1,25 V bei 150 mA | 6 ns | 2,5 µA bei 70 V | -55 °C ~ 150 °C | ||||
 | SD103AWS | 0,1100 | | 15 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV bei 200 mA | 10 ns | 5 µA bei 30 V | -55 °C ~ 125 °C | 350mA | 50 pF bei 0 V, 1 MHz | |||||
 | AS3D040120P2 | 11.7100 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | AS3D04012 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS3D040120P2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 52A (DC) | 1,8 V bei 20 A | 0 ns | 20 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
 | AS3D020065A | 4.6100 | | 158 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220-2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS3D020065A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,65 V bei 20 A | 0 ns | 20 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 56A | 1190pF bei 0V, 1MHz | ||||
 | 1N4148WS | 0,1000 | | 53 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | Standard | SOD-323 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V bei 150 mA | 4 ns | 1 µA bei 75 V | -55 °C ~ 150 °C | 150mA | 2pF bei 0V, 1MHz | ||||
 | 40SQ045 | 1.3200 | | 97 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | |||||||||||||||||
 | BAV21W | 0,1100 | | 9 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-123 | BAV21 | Standard | SOD-123 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V bei 200 mA | 50 ns | 100 nA bei 250 V | -55 °C ~ 150 °C | 200mA | 5pF bei 1V, 1MHz | ||||
 | 30SQ045 | 0,9500 | | 100 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 1.500 | |||||||||||||||||||
 | MMBD4148SE | 0,1100 | | 14 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-MMBD4148SECT | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar Reihenschaltung | 75 V | 150mA | 1,25 V bei 150 mA | 4 ns | 2,5 µA bei 75 V | -55 °C ~ 150 °C |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
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15.000 m2
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