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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N649ur-1/Tr | - - - |  | 1953 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N649ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||
 | AZ23B8V2 | 0,0270 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-AZ23B8V2TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | DB2W40200L | - - - | | 8062 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOD-123F | DB2W402 | Schottky | Mini2-F3-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 470 mv @ 2 a | 15 ns | 250 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 2a | 50pf @ 10v, 1 MHz | |||
 | VS-ETX1506S-M3 | 0,7542 | | 9155 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | ETX1506 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSETX1506SM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3,4 V @ 15 a | 20 ns | 36 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |
 | Es3c | 0,3686 | | 3595 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2796-ES3Ctr | 8541.10.0000 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 20 ns | 5 µa @ 150 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||
 | CGRTS4002-HF | 0,0690 | | 1918 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | CGRTS4002 | Standard | TS/SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | BZX84C24WQ | 0,0280 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZX84C24WQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | CMF02 (TE12L, Q, M) | - - - | | 3945 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-128 | CMF02 | Standard | M-Flat (2,4x3,8) | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | CMF02 (TE12LQM) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 1 a | 50 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||
 | Esh3c M6 | - - - | | 6018 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sh3cm6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 20 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | BZX584B10VQ | 0,0290 | | 800 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZX584B10VQTR | Ear99 | 8.000 | ||||||||||||||||
| CDBZ0130R-A1HF | - - - | | 9417 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Schottky | 0201/dfn0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CDBZ0130R-A1HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 850 mV @ 100 mA | 20 µa @ 30 V | 125 ° C. | 100 ma | - - - | ||||
 | By550-100 | 0,0897 | | 32 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Standard | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-by550-100TR | 8541.10.0000 | 1,250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 5 a | 1,5 µs | 5 µa @ 100 V. | -50 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||
| 1N6883UTK4 | 259.3500 | | 4586 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6883utk4 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CMSH3-60M TR13 PBFREE | 0,5600 | | 98 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CMSH3 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 280pf @ 4v, 1 MHz | |||
| AU01WS | - - - | | 8764 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Axial | AU01 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | AU01WS DK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,7 V @ 500 mA | 400 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | - - - | ||
| PD3S220L-7-2477 | - - - | | 3063 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | Schottky | PowerDi ™ 323 | - - - | 31-PD3S220L-7-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 490 mv @ 2 a | 160 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 46PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||
 | FFSP0865B | 3.3300 | | 205 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | FFSP0865 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-FFSP0865B | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10.1a | 336PF @ 1V, 100 kHz | |
| 1N3622R | 44.1600 | | 9408 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3622r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 50 a | 1 mA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | |||||
 | Au1fmhm3/i | 0,0980 | | 7998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Lawine | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-au1fmhm3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,85 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.2pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | STTH30RQ06WY | 3.0300 | | 8307 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | Do-247-2 (Gerade-Leads) | STTH30 | Standard | Do-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-17593 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.95 V @ 30 a | 55 ns | 40 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |
| Bas40q | 0,0240 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Bas40 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-Bas40qtr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||
 | 1N4946GPHE3/73 | - - - | | 2462 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4946 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
| 1N6941UTK3/Tr | 267.4800 | | 3870 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Thinkey ™ 3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6941utk3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 7500PF @ 5V, 1 MHz | |||||
 | Mer2dmb_r2_00601 | 0,3800 | | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Mer2d | Standard | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | 1N5281B-1 | 3.6450 | | 8663 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5281b-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 152 v | |||||||||||
 | S1JM | 0,0936 | | 3795 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Standard | Micro SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-s1JMT. | Ear99 | 8541.10.0080 | 18.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 780 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 5PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | SS102 | 0,1210 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS102TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | Mer802t_t0_00601 | 0,9400 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Mer802 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||
 | SS120HL-TP | 0,3900 | | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Ss | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | SS120 | Schottky | SOD-323HL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 1 a | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||
| R36100 | 33,6000 | | 2529 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | R36 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | R36100 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - |
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