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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK34A-LTP-HF | - - - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SK34 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | 353-SK34A-LTP-HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | RGP15A-E3/54 | 0,2320 | ![]() | 7885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | RGP15 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | ||||
![]() | CD1A60 | 8.2950 | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/586 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | Schottky | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD1A60 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 1 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||
![]() | UFT20120D | - - - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | SCHAUBENHAUTERUNG | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 200 v | 100a | 1,25 V @ 100 a | 70 ns | 50 µa @ 200 V. | |||||||
![]() | BZX84C36Q | 0,0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZX84C36QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4248/tr | 9.3600 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/286 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4248/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||
![]() | 1N4150UBD/Tr | 25.3950 | ![]() | 1431 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | Standard, Umgekehrte Polarität | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4150ubd/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||
![]() | RGP02-20E-M3/54 | - - - | ![]() | 7711 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 5PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | CPT12050 | - - - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | Schottky | To-244ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 60a | 800 mV @ 120 a | 3 ma @ 50 v | ||||||||
![]() | UGF10GCT-E3/45 | - - - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | UGF10 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 5a | 1,3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | S5G V7G | 1.0800 | ![]() | 613 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S5g | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 5 a | 1,5 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | SB380E-G | 0,2848 | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SB380 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 850 mv @ 3 a | 500 µa @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||
![]() | VS-S1408 | - - - | ![]() | 6688 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | S1408 | - - - | 112-VS-S1408 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF3060CTP | 0,8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF3060 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | -1765-mbrf3060CTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | - - - | 770 mv @ 15 a | 1 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | V8p10he3/87a | - - - | ![]() | 7058 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V8p10 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 680 mv @ 8 a | 70 µa @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||
![]() | Bas21W | 0,0498 | ![]() | 7612 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas21 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-Bas21wtr | Ear99 | 8541.10.0070 | 45.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V @ 100 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 125 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | Fesf8bThe3_a/p | 0,9405 | ![]() | 2406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Fesf8 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||
![]() | MUR15120F-BP | 0,8850 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Isolierte RegisterKarte | Mur15120 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | 353-MUR15120F-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,7 V @ 15 a | 65 ns | 10 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||
![]() | SD175SB45A.T1 | 2.5267 | ![]() | 3876 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SD175 | Schottky | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0040 | 49 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 640 mv @ 30 a | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 1600pf @ 5v, 1 MHz | |||||
![]() | Ddb6u104n18rr | 70.6300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - - - | 3 Unabhängig | 1800 v | - - - | - - - | ||||||||
![]() | SK5200L-TP | 0,1972 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK5200 | Schottky | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | 353-SK5200L-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 5 a | 1 ma @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 200pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | 1N914ur-1 | - - - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n914ur-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 424 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 50 Ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 4PF @ 1,5 V, 1 MHz | ||||||
![]() | A430pe | - - - | ![]() | 7514 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | A430 | Standard | Do-200ab, B-Puk | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1500 V | 1,42 V @ 3140 a | 10 µs | 50 mA @ 2000 V | 1000a | - - - | ||||||
![]() | Jan1N6874UTK2AS/Tr | 364.6950 | ![]() | 8734 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6874UTK2AS/Tr | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | STPS1640 | 0,7266 | ![]() | 3997 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | STPS16 | Standard | ITO220AB (Typ WX2) | Herunterladen | 31-STPS1640 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 8a | 1,3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | R9G02012XX | - - - | ![]() | 4661 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | R9G02012 | Standard | Do-200ab, B-Puk | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 1,45 V @ 1500 a | 25 µs | 150 mA @ 2000 V | 1200a | - - - | ||||||
![]() | SS22 | 0,0440 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | Do-214AC (HSMA) | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS22TR | Ear99 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 2 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 230pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | CDLL6857 | 13.9650 | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 16 v | 750 MV @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 4.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||
![]() | SS14-AU_R1_000A1 | 0,2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS14 | Schottky | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SS14-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 70pf @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | CDBFR40-HF | - - - | ![]() | 2466 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | Schottky | 1005/SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CDBFR40-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | 125 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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