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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDBW130-G | - - - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CDBW130-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-247-3 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | 20a | 510pf @ 1V, 1 MHz | |||||
JANS1N6638U/Tr | 25.5002 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/578 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | Standard | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6638U/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 125 v | 1,1 V @ 200 Ma | 4,5 ns | 500 NA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||
![]() | Es3b | - - - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-es3btr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | 1n2134a | 74.5200 | ![]() | 9642 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2134a | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 350 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 350 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | |||||||
![]() | Tuau4jh | 0,2565 | ![]() | 6438 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tuau4 | Standard | SMPC4.6U | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-tuau4jhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 4 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 62pf @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | Mur240 | 0,1380 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MUR240TB | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | S1ghm3_a/h | 0,0677 | ![]() | 9441 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1g | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-S1GHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | |||
![]() | UF804F_T0_00001 | 0,7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | UF804 | Standard | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-UF804F_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 a | 50 ns | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||
![]() | 1n2228a | 44.1600 | ![]() | 9048 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2228a | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 30 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | |||||||
![]() | 1N2598 | 44.1600 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2598 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 30 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 22a | - - - | |||||||
![]() | BYV30W-600PT2Q | 1.0905 | ![]() | 7638 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | BYV30 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||
RS2DFSH | 0,0690 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-RS2DFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 2 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
![]() | 1N1581 | 38.3850 | ![]() | 6668 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1581 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 30 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | |||||||
![]() | S150JR | 35.5695 | ![]() | 1323 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | S150 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S150JRgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 150 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||
![]() | Byt28b-400he3_a/i | - - - | ![]() | 8353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Byt28 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 5a | 1,3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Dan202KFHT146 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dan202 | Standard | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DAN202KFHT146TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||
![]() | STPS40M80CR | - - - | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | STPS40 | Schottky | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 20a | 735 mv @ 20 a | 65 µa @ 80 V | 175 ° C (max) | |||||
![]() | RB521CS-30-TP | 0,0577 | ![]() | 5598 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-923 | RB521 | Schottky | SOD-923 | Herunterladen | 353-RB521CS-30-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 350 mV @ 10 mA | 1 µa @ 20 V | 125 ° C. | 100 ma | - - - | |||||||
![]() | SBT150-10J | 0,5400 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | VS-2ENH02-M3/84A | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | 2enh02 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 2 a | 28 ns | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||
![]() | PMEG3010BEA-QX | 0,0957 | ![]() | 5040 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PMEG3010BEA-QXTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 560 mv @ 1 a | 150 µa @ 30 V | 150 ° C. | 1a | 55PF @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | SB240-A52 | - - - | ![]() | 1541 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SB240-A52TB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SF20DG_HF | 0,0963 | ![]() | 6223 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SF20DG | Standard | Do-15 | Herunterladen | 31-SF20DG_HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
![]() | SD090SB45B.T1 | 0,6491 | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SD090 | Schottky | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0040 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 640 mv @ 7,5 a | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | 400PF @ 5V, 1 MHz | |||||
![]() | G3S12006B | - - - | ![]() | 2075 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | - - - | Verkäfer undefiniert | 4436-G3S12006B | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 14a (DC) | 1,7 V @ 3 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||
Es1ahm2g | - - - | ![]() | 4131 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1a | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 16PF @ 4V, 1 MHz | |||||
![]() | Mur440 | 0,1590 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MUR440TB | Ear99 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,35 V @ 4 a | 60 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
![]() | Rs1glwh | 0,0643 | ![]() | 2915 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-RS1glwhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||
Sdlwh | 0,0567 | ![]() | 6517 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | - - - | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sdlwhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 800 mA | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 7pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus