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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STPS1170AFN | - - - |  | 1723 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | ECOPACK®2 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | STPS1170 | Schottky | Smaflat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-STPS1170AFNTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 170 v | 820 MV @ 1 a | 1,5 µa @ 170 V | 175 ° C (max) | 1a | - - - | |||||
 | D5810N02TVFXPSA1 | - - - | | 2117 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D5810N02 | Standard | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 100 mA @ 200 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 5800a | - - - | |||||||
 | STPSC40G12WL | 20.7800 | | 200 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | STPSC40 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 497-STPSC40G12WL | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | |||||||||||||||||
 | PMEG10020ELRX | 0,4600 | | 237 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | PMEG10020 | Schottky | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 830 mv @ 2 a | 3.7 ns | 150 na @ 100 v | 175 ° C (max) | 2a | 70pf @ 1v, 1 MHz | ||||
 | FSM154PL-TP | 0,2200 | | 4 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | FSM154PL | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | V40DM100C-M3/i | 1,9000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V40DM100 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 770 mv @ 20 a | 700 µA @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||
 | VS-87HF100 | 9.4189 | | 6884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 87HF100 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS87HF100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | |||||
 | 1n5061 | 0,0331 | | 44 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do15/do204ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-1n5061tr | 8541.10.0000 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 2 a | 1,5 µs | 5 µa @ 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||
 | VS-E5TH3012-M3 | 2.0600 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | E5th3012 | Standard | To-220ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-E5th3012-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,5 V @ 30 a | 58 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||
 | RS1KL RQG | - - - | | 8761 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1K | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | CDBFR70 | 0,0805 | | 1521 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | Schottky | 1005/SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | 125 ° C (max) | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||
 | RB228NS100TL | 2.0400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RB228 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 870 mv @ 5 a | 150 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | |||||
 | 1N4001GP-E3/54 | 0,4900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4001 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||
| S34110 | 49.0050 | | 1228 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S34110 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 1N5398GHA0G | - - - | | 2446 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5398 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | VS-6FLR40S02 | 5.5208 | | 8521 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 6flr40 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 6 a | 200 ns | 50 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - - - | ||||
 | VS-HFA08TB120SPBF | - - - | | 6186 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HFA08 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3,3 V @ 8 a | 95 ns | 10 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||
| Gp10me-e3/73 | - - - | | 1204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7pf @ 4v, 1 MHz | ||||
| JANS1N5622US/Tr | 89,7000 | | 1056 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/427 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | 150-Jans1n5622us/tr | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 1000 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
 | CDBB2100-HF | 0,5100 | | 3 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CDBB2100 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 810 mv @ 2 a | 500 µa @ 100 V. | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||
 | MA4L11100A | - - - | | 2451 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | - - - | MA4L1110 | Standard | Leadless | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 3 ns | - - - | - - - | - - - | |||||||
 | NSVBAS116LT3G | 0,4500 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVBAS116 | Standard | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | - - - | ||||
| MD120A18D1-BP | 24.4340 | | 3006 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | MD120 | Standard | D1 | Herunterladen | 353-MD120A18D1-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1800 v | 120a | 1,35 V @ 300 a | 6 ma @ 1800 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
 | MSKD100-16 | - - - | | 9099 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | D1 | Standard | D1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1600 v | 100a | 1,35 V @ 300 a | 5 ma @ 1600 V | ||||||||
| JantX1N6079 | - - - | | 9316 | 0.00000000 | Semtech Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/503 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Axial | 1N6079 | Standard | Axial | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 970 mv @ 5 a | 30 ns | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 230pf @ 5v, 1 MHz | |||||||
 | MBR2050CT-E3/45 | - - - | | 8946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR20 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 10a | 800 mV @ 10 a | 150 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | BYX82TAP | 0,2475 | | 1668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | BYX82 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 4 µs | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | APT15DQ100BG | 1,8000 | | 9007 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | APT15DQ100 | Standard | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 3 V @ 15 a | 235 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||
 | SF36-TP | - - - | | 8301 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | SF36 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||
 | IDD03SG60CXTMA1 | - - - | | 6754 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IDD03SG60 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 2,3 V @ 3 a | 0 ns | 15 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 1V, 1 MHz |
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