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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CPT30045d | - - - |  | 6420 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | Schottky | To-244ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 45 V | 150a | 760 mv @ 200 a | 4 ma @ 45 v | |||||||||
 | 12f140 | 1.6000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-12f140 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,2 V @ 12 a | 10 µa @ 1400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | |||||
 | S2m -au -_r1_000a1 | - - - | | 7523 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2m | Standard | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-S2M-Au_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 2 a | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | Ss1fl4-m3/i | 0,1409 | | 2790 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS1FL4 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 115PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | DSS60-0045b | - - - | | 2959 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | DSS60 | Schottky | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DSS600045B | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 60 a | 10 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - - - | ||||
 | RBQ30NS65AFHTL | 1.4300 | | 36 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RBQ30 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 65 V | 30a | 690 mv @ 15 a | 16.1 ns | 450 µa @ 65 V | 150 ° C (max) | ||||
 | SS2P5-M3/85A | 0,1130 | | 5378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||
 | VS-8EWS12SPBF | - - - | | 8492 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8ews12 | Standard | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS8EWS12SPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 8 a | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||
 | 1N916 | 1.0000 | | 2109 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||
 | HER508-F | 0,1550 | | 7189 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-Her508-Ftr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1,7 V @ 3 a | 75 ns | 500 NA @ 1000 V. | 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
 | SL310C | 0,2900 | | 1663 | 0.00000000 | Anstieg | - - - | Tasche | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2616-SL310C | 3a001 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 750 mv @ 3 a | 50 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 220pf @ 4V, 1 MHz | |||||
 | SK2045CD2-3g | 0,7534 | | 8752 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SK2045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-SK2045CD2-3g | 8541.10.0000 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 500 mV @ 10 a | 120 µa @ 45 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
 | AZ23B6V8 | 0,0270 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-AZ23B6V8TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BAS4006E6433HTMA1 | 0,4200 | | 20 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas4006 | Schottky | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | ||||
| GSPSL33 | 0,4800 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | Schottky | SOD-123HS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 2 a | 150 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 210pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
| SS1P3-E3/85A | - - - | | 3628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS1P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 150 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||
 | SK53CHM6G | - - - | | 6143 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK53 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||
 | DD800S45KL3B5NPSA1 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Modul | DD800S45 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | - - - | 2 Unabhängig | 4500 v | 800A (DC) | 3.1 V @ 800 a | 1000 a @ 2800 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | |||||
| AU1PJHM3/84A | 0,1914 | | 8370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Au1 | Lawine | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 1 a | 75 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 11pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | G5S06505DT | - - - | | 6707 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-263 | - - - | Verkäfer undefiniert | 4436-G5S06505DT | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24a | 395PF @ 0V, 1MHz | ||||||||
 | 1N5818RL | - - - | | 2573 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n58 | Schottky | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N5818RLST | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||
 | 1N5711UBCA | 31.9050 | | 5926 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1N5711 | Schottky | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||
 | S2K_R1_00001 | 0,0389 | | 6918 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2K | Standard | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 2 a | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||
 | SCS220AGC17 | 7.5200 | | 4999 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCS220AGC17 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 20 a | 0 ns | 400 µA @ 600 V | 175 ° C. | 20a | 730pf @ 1v, 1 MHz | ||||
| 689-6d, 6n, 6p | - - - | | 1049 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Nd | 689-6 | Standard | Nd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 600 V | 15a | 1,2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | LL4148 L1G | 0,2000 | | 80 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4148 | Standard | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 50 Ma | 54 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||
 | 1N3214R | 7.0650 | | 9573 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3214R | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1003 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 15 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||
| S2KW40KA-5 | - - - | | 1417 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Chassis -berg | Modul | S2KW40 | Standard | - - - | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4000 v | 40 V @ 6 a | 2 µs | 2 µa @ 4000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||
 | BAS285-GS18 | 0,4000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | Bas285 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 2,3 µa @ 25 V. | 125 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||
 | VS-10ETS08FP-M3 | 2.3200 | | 978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | 10ETS08 | Standard | To-220-2 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 10 a | 50 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - |
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