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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EGF1D-2HE3_A/H. | - - - | ![]() | 9565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214ba | EGF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | S1AFK-M3/6B | 0,0858 | ![]() | 1957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | S1a | Standard | Do-221AC (Slimsma) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,47 µs | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7.9PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | Byv27-050-tr | 0,2970 | ![]() | 5130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | Byv27 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 55 v | 1,07 V @ 3 a | 25 ns | 1 µa @ 55 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||
![]() | ER3DBHE3-TP | 0,1689 | ![]() | 7351 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | ER3D | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | 353-er3dbhe3-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
![]() | BAS40-05V115 | - - - | ![]() | 3001 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5822 | 94.3050 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/620 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Schottky | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||
![]() | RP 1HV1 | - - - | ![]() | 9805 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | K. Loch | Axial | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2000 v | 7 V @ 100 mA | 100 ns | 2 µA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 100 ma | - - - | |||||||
![]() | MD70A08D1-BP | 18.5540 | ![]() | 8331 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | MD70 | Standard | D1 | Herunterladen | 353-MD70A08D1-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 800 V | 70a | 1,3 V @ 200 a | 5 ma @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | Jankca1n4150 | 12.8611 | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-S-19500/231 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N4150 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||
Hsjlw | 0,0907 | ![]() | 9524 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-hsjlwtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 800 mA | 75 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 5PF @ 4V, 1 MHz | ||||||
![]() | MR1121R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-MR1121R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 12 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 190 ° C. | 12a | - - - | |||||
![]() | SFA1005G C0G | - - - | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | SFA1005 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | JANS1N6643 | - - - | ![]() | 6797 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/578 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Axial | Standard | Axial | Herunterladen | 600-Jans1N6643 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 100 mA | 6 ns | 500 NA @ 50 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | - - - | |||||||
SS12LSH | 0,0972 | ![]() | 8207 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | SS12 | Schottky | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS12LSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
1N6621US/Tr | 13.3500 | ![]() | 3708 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N6621 | Standard | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,6 V @ 2 a | 45 ns | 500 NA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 10v, 1 MHz | ||||||
![]() | MSASC25W30KV/Tr | - - - | ![]() | 1898 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-msasc25W30KV/tr | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | BYS10-25-M3/TR3 | 0,0721 | ![]() | 2444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 25 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||
![]() | VS-60CTQ150-N3 | - - - | ![]() | 8014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | 60ctq150 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-60CTQ150-N3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 30a | 1,09 V @ 60 a | 75 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | NRVS2K | 0,1097 | ![]() | 5210 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-nrvs2Ktr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,15 V @ 2 a | 2 µs | 1 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | R6202440xxoo | - - - | ![]() | 4467 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | R6202440 | Standard | DO-200AA, R62 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2400 V | 1,5 V @ 800 a | 9 µs | 50 mA @ 2400 V | 400a | - - - | ||||||
![]() | VS-E7MH0112-M3/i | 0,4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Vs-e7 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||
![]() | S2JGF_R1_00001 | 0,0513 | ![]() | 7479 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | S2JGF | Standard | SMBF | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 120.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 2 a | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 18PF @ 4V, 1 MHz | |||||
![]() | SMBT1553LT1 | 0,0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | 25fr05 | 2.0000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-25FR05 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | - - - | 25a | - - - | |||||||
![]() | MSASC150W30L/Tr | - - - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC150W30L/Tr | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | GATELEAD28134XPSA1 | 12.7800 | ![]() | 5965 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | GATELEAD28134 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | RB048RSM15stftl1 | 1.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 880 mv @ 8 a | 3,7 µa @ 150 V | 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||
![]() | SBR3540 | 51.2250 | ![]() | 8018 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-SBR3540 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n5406-g | 0,1085 | ![]() | 3318 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5406 | Standard | Do-27 (Do-201ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||
![]() | JANS1N6761UR-1 | - - - | ![]() | 7516 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/586 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N6761 | Schottky | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 380 mv @ 100 mA | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 70pf @ 5v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus